【課題】抵抗を低減することが可能な配線を提供する。
【解決手段】第１導電膜１２と第１導電膜１２の上層の第２導電膜２６とを電気的に接続する配線２４であって、第１導電膜１２の上の複数の第１金属粒子１６と、複数の第１金属粒子１６のそれぞれを介して第１導電膜１２の表面に一端を接続する複数の導電部材１８と、複数の導電部材１８のそれぞれの他端側の側面上の複数の第２金属粒子２０と、複数の第２金属粒子２０のそれぞれを介して複数の導電部材１８のそれぞれの表面に一端を接続し、第２導電膜２６にそれぞれ接続する複数の導電部材２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】接続ブロックを用いたＣＮＴによる横配線を有する電子デバイスであって、接続ブロックとカーボンナノチューブの接続を良好にすること。
【解決手段】側面に第１の面を有する導電性の第１の接続ブロック１３ａと、第１の面に対向する第２の面を有する第２の接続ブロックと、第１の面上に形成される触媒金属微粒子１７ａ、触媒薄膜のいずれかを有する触媒領域１７と、第２の接続ブロックの第２の面上に形成される炭素吸収金属１８ａ、１８ｂを有する炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８と、触媒領域１７から炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８に伸びて第１の接続ブロック１３ａと第２の接続ブロック１３ｂを電気的に接続する炭素元素円筒型構造体１９ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が制御された高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】シリコン基板１１上にＴｉＮ薄膜１２を形成した後、ＴｉＮ薄膜１２上にＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４を両者が混在化するように堆積し、成長条件を変えてＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４からＣＮＴ１５，１６を順次成長させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属半導体化合物からなるゲート電極を採用して十分な低抵抗化を図るも、煩瑣な構成・製造工程を付加することなく、容易且つ確実にゲート電極の閾値電圧の十分に広範囲な制御を可能とし、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体領域に例えばシリコン基板を用い、ゲート電極材料に多結晶シリコンを用いる場合、多結晶シリコン膜を炭素、窒素及び酸素のうちから選ばれた少なくとも１種である添加元素を含有するように形成して半導体層とした後、この半導体層上にＮｉ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｐｔ等の高融点金属膜を積層して熱処理してシリサイド化し、ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属膜を吸着および分解プロセスの繰り返しにより、効率よく成膜する。
【解決手段】成膜方法は、被処理基板表面に金属元素のカルボニル原料を気相分子の形で、前記気相分子の分解を抑制する気相成分と共に、前記気相成分の分圧を、前記カルボニル気相原料分子の分解が抑制される第１の分圧に設定して供給する第１の工程と、前記被処理基板表面において前記気相成分の分圧を、前記カルボニル原料の分解が生じる第２の分圧に変化させ、前記被処理基板表面に前記金属元素を堆積させる第２の工程と、よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性異常の発生を低減することのできるリセスチャネル構造を有するトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体シリコン基板の活性領域に設けられた第一のリセスおよび素子分離領域に設けられた第二のリセスと、リセスチャネル構造を有するトランジスタと、を少なくとも有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、前記第一のリセス内部に設けられたゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、前記第一のリセス内部に設けられた部分に加えて、前記第二のリセス内部に設けられた部分を有し、
前記第一のリセス内部に設けられた前記ゲート電極の部分と、前記第二のリセス内部に設けられた前記ゲート電極の部分とは、前記活性領域と前記素子分離領域との境界面と同一の面で互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭの１情報保持性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を順次形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極の側部を少なくとも覆うシリコン窒化膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、減圧ＣＶＤ法により所定の厚みのシリコン窒化物層を形成する工程と、減圧雰囲気下で前記シリコン窒化物層を窒素に暴露させる工程とを繰り返し行って、前記シリコン窒化物層を複数積層することにより、前記シリコン窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ配線を用いた集積回路の修正配線形成方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム化学気相成長法で配線修正が必要なところに成長の触媒となる金属を含む微粒子10を堆積し、炭化水素系ガスやエタノールを原料とした化学気相成長法でカーボンナノチューブ配線11を成長させる。配線修正が必要なところへの触媒金属の供給は走査マイクロピペットプローブ顕微鏡による電気化学反応による析出または集束イオンビーム化学気相成長法でも行うことができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の正確な予測が可能な成膜形状シミュレーション及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基体の表面に堆積種を供給することにより形成される薄膜の厚みを計算する成膜形状シミュレーション方法であって、計算に用いるパラメータを、堆積された薄膜の厚みに応じて変更することを特徴とする成膜形状シミュレーション方法が提供される。また、本発明の他の一態様によれば、上記の成膜形状シミュレーション方法により薄膜の堆積条件を求め、前記求められた条件により薄膜を堆積することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜の成膜工程において、ポリメタルゲートの一部を構成する高融点金属の酸化物による基板の汚染を低減する半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】タングステン膜を含むゲート電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃ上に窒化シリコン膜１１を形成する際、ＣＶＤ装置のチャンバ内をタングステンの酸化物が還元される雰囲気にし、チャンバ内にアンモニアを供給し続けながら、ウエハ１を６００℃以上の温度で昇温する。次に、チャンバ内にアンモニアとモノシランとを供給し、これらのガスを反応させることによって窒化シリコン膜１１を堆積する。次に、モノシランの供給を止め、チャンバ内にアンモニアのみを供給し続けながらウエハ１を４００℃まで降温した後、チャンバ内を窒素で置換し、ウエハをアンロードする。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜以外のバリア膜の形成方法及びその方法によりえられたバリア膜を提供する。このバリア膜を含む多層配線構造及び多層配線構造の作製方法を提供する。
【解決手段】 ホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面上で、ＣＶＤ法により、Ｚｒ(ＢＨ_４)_４ガスからなる原料ガスと、Ｎ_２ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、バリア膜としてのＺｒＢＮ膜４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、酸化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとワード配線、あるいはコンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供する。
【解決手段】上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。その後、犠牲層間膜を除去してコンタクトプラグの柱を形成し、その上に層間絶縁膜１０６を形成し、さらに層間絶縁膜を表面から一部除去し、容量コンタクトプラグの表面を露出させるようにした。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素層に対する良好なコンタクトを確保しつつ、炭化珪素層に接続された電極の剥離を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（Ａ）炭化珪素層１１の上に絶縁層１３を形成する工程と、（Ｂ）絶縁層１３に、炭化珪素層１１の表面の一部を露出するコンタクトホール１３ａを形成する工程と、（Ｃ）コンタクトホール内において露出された炭化珪素層１１の表面およびコンタクトホール１３ａの側壁に接するように第１の導電膜１５を形成する工程と、（Ｄ）第１の導電膜１５の上に第２の導電膜１７を形成する工程と（Ｅ）第１の導電膜１５および第２の導電膜１７が形成された炭化珪素層１１に対して熱処理を行うことにより、第２の導電膜１７を構成する材料の少なくとも一部を炭化珪素層１１の珪素と反応させて、第１の導電膜１５を構成する元素および第２の導電膜１７を構成する元素を含むシリサイドを形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の作製において、すべての多層配線用ビア・配線・電極および放熱用ビアなどを、相互の接続特性を良好に保って、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束により形成する半導体装置を提供する。
【解決手段】電導素材である、柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束２の少なくとも一つの表面に、Ａｕ膜など金属膜を形成後、下地層を積層し、その上に触媒金属層を形成して、ＣＶＤ法により柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束７を成長することで、二つの柱状構造体カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を低抵抗で接続して形成する。この基本構成方法の組合せで、多層配線用の各種電導構成要素を作製する。また、成長条件によりＣＮＴの成長先端部が平坦となることを用いて、Ａｕ膜など金属膜を利用せずに、成長方向に多段に、長いカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を作製でき、特に放熱用ビアなどへの適用が可能である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程を通じて形成しうる半導体素子の配線及びそれの製造方法が開示される。
【解決手段】配線は基板上に位置し、開口部を含む層間絶縁膜と、前記開口部内部を満たし、ソースガスの反応を用いる蒸着工程によって形成された第１タングステンからなるコンタクトプラグと、前記ソースガスの反応を用いる蒸着工程によって形成された第１タングステン及び物理気相蒸着工程によって形成された第２タングステンの積層された形状を有し、前記コンタクトプラグの上部面と接触する導電性パターンを含む。前記配線を形成するとき、平坦化工程が要求されない。なお、前記導電性パターンの表面モルフォルジー特性が優れている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に使用するための特性が優れて安定したタングステンシリサイド膜を得る。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置して昇温し、ジクロルシランを導入してシリコンウェーハの表面反応を起こさせた後、ジクロルシランにWF₆を加えて導入して上記シリコンウェーハに薄くタングステンシリサイドを堆積させる。次にWF₆ を止めてジクロルシランを導入し、その後に、ジクロルシランに加えてWF₆を導入してタングステンシリサイドの堆積を行ないタングステンシリサイド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の改質のために過剰に行っていたプラズマ処理を基板が窒化されない範囲に抑制して低抵抗なコンタクトプラグを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の上に絶縁膜１０２を形成する工程と、絶縁膜１０２に半導体基板１００と接続するコンタクトホール１０３を形成する工程と、コンタクトホール１０３の内側に第１の金属を含む第１の導電膜１０４を堆積する工程と、第１の導電膜１０４の上に化学気相堆積法により第１の金属の窒化物を含む第２の導電膜１０５を堆積する工程と、半導体基板１００に水素および窒素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、前記工程の後にコンタクトホール１０３を埋めるように第３の導電膜１０７を堆積する工程を含み、プラズマ処理を行う工程は半導体基板１００を窒化させない所定の条件下で行う。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子の電気的接続構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。開口の側壁を不均一の窒素濃度を有する窒化第１金属層３１２でライニングする。開口の内部に導電パターン４１０が形成される。導電パターンと窒化第１金属層との間に第２金属窒化膜３２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ｐ型またはｎ型に制御された低抵抗のＳｉＧｅからなる導電性パターンを基材上に選択的に５００℃以下の低温で形成することを可能にする。
【解決手段】ガラス又は酸化ケイ素からなる非晶質基材上にアルミニウム薄膜又はクロム薄膜をパターン状に形成し、フッ化ゲルマニウムとジシランを原料とした熱ＣＶＤ法によって、前記パターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的にＳｉＧｅを堆積する。得られた導電性パターンは、ＳｉＧｅ膜が、非晶質基材上にパターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的に形成され、非晶質基材上には形成されない。 （もっと読む）