【課題】ＳＲＡＭ回路の動作速度を向上させる。
【解決手段】駆動ＭＩＳＦＥＴと転送ＭＩＳＦＥＴとそれらの上部に形成された縦型ＭＩＳＦＥＴとでメモリセルを構成したＳＲＡＭにおいて、周辺回路を構成するＭＩＳＦＥＴ間の電気的接続を、メモリセルの縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）よりも下部に形成されるプラグ２８および中間導電層４６、４７で行うとともに、縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）よりも上部に形成されるプラグ、第１および第２金属配線層を用いて行うことにより、配線の自由度を向上でき、高集積化できる。また、ＭＩＳＦＥＴ間の接続抵抗を低減でき、回路の動作スピードを向上できる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を低減し、高性能化を図った固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法、前記固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供するものである。
【解決手段】本発明の半導体装置は、２つ以上の半導体チプ部２２，２６が貼り合わされた積層半導体チップ２７を有する。積層半導体チップ２７では、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイ２３と多層配線層４１が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路２５と多層配線層５５が形成される。第１の半導体チップ部２２には、一部の半導体部分が全て除去された半導体除去領域５２が形成され、半導体除去領域５２内に第１の半導体チップ部２２と第２の半導体チップ部２６との間を接続する複数の接続配線６７が形成される。この半導体装置は、裏面照射型の固体撮像装置として構成される。 （もっと読む）

トランジスタは、基板と、基板上の一対のスペーサと、基板上且つスペーサ対間のゲート誘電体層と、ゲート誘電体層上且つスペーサ対間のゲート電極層と、ゲート電極層上且つスペーサ対間の絶縁キャップ層と、スペーサ対に隣接する一対の拡散領域とを有する。絶縁キャップ層は、ゲートにセルフアラインされるエッチング停止構造を形成し、コンタクトエッチングがゲート電極を露出させることを防止し、それにより、ゲートとコンタクトとの間の短絡を防止する。絶縁キャップ層は、セルフアラインコンタクトを実現し、パターニング限界に対して一層ロバストな、より幅広なコンタクトを最初にパターニングすることを可能にする。
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【課題】 半導体装置の銅配線の信頼性をＴＤＤＢ寿命とＥＭ寿命との双方に関して向上させる。
【解決手段】 半導体装置の配線層３０は、配線溝が形成された絶縁膜３２、３５と、配線溝の内面に形成されたバリアメタル層４１と、バリアメタル層４１を介して配線溝内に形成された銅配線膜４３とを有する。バリアメタル層４１は、配線溝の内壁面側から順に形成された第１乃至第３のバリアメタル膜４１−１、２、３を有する。第２のバリアメタル膜４１−２は、第３のバリアメタル膜４１−３側の表面部分において、クラスタイオン照射によって形成された、その他の部分より高い密度の緻密層４１−２ａを有する。第３のバリアメタル膜４１−３は、例えばルテニウム等、銅配線膜４３との密着性に優れた材料を有する。 （もっと読む）

【課題】配線構造を形成する際に、ウェハ面内の配線溝の深さのばらつきを抑え、均一加工を実現する。
【解決手段】高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。第１のエッチング条件の第１のエッチングガス中のＣＨＦ系ガスの分圧は、第１のエッチングガスに当該ＣＨＦ系ガスを添加していない場合の各膜へのエッチングレートを基準として、当該ＣＨＦ系ガスを添加することにより、高炭素濃度絶縁膜１１４に対するエッチングレートが低下するとともに、低炭素濃度絶縁膜１１６に対するエッチングレートを変化させない範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。
【解決手段】半導体基板１０上で、上部電極膜４３上に形成したレジストマスク４４で上部電極膜４３をエッチングして上部電極４３ａとし、上部電極４３ａをマスクとしてＭＴＪ膜４２をエッチングしてＭＴＪ４２ａとし、上部電極４３ａ及びＭＴＪ４２ａを覆う保護膜４５ａを形成し、上部電極４３ａ及びＭＴＪ４２ａを保護膜４５ａを介して覆うように、保護膜４５ａ上にレジスト４６を形成し、レジストマスク４６で保護膜４５ａをエッチングし、保護膜４５ａをマスクとして下部電極膜４１エッチングして下部電極４１ａとし、上部電極４３ａ、ＭＴＪ４２ａ及び下部電極４１ａを覆うように保護膜４５ｂを形成して、保護膜４５ｂ上に層間絶縁膜４７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メチル基を含有する層間絶縁膜３２内に配線溝３７を形成する。配線溝３７が形成された絶縁膜３２に紫外線又は電子線を照射した後に、メチル基を有するガスを用いて絶縁膜の露出面を疎水化する。配線溝３７の疎水化された内面に沿ってバリアメタル層４１を形成し、該バリアメタル層４１を介して配線溝３７を銅配線４３で充填する。一実施形態において、配線溝３７はメタルハードマスク４７を用いて絶縁膜３２をエッチングすることにより形成され、絶縁膜３２への紫外線又は電子線の照射は、メタルハードマスク４７を残存させた状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるパターン形成方法は、基板上にカバー絶縁膜２２を形成し、第１のレジストパターン１０４をマスクとして、金属膜パターン形成領域を取り囲むようカバー絶縁膜２２に凹部１０３を形成する工程と、凹部１０３内に入り込むよう、カバー絶縁膜２２上にリフトオフ層となる第２のレジストパターン２５を形成する工程と、第２のレジストパターン２５をマスクとして、金属膜パターン形成領域のカバー絶縁膜２２に開口部を形成する工程と、第２のレジストパターン２５の上から基板表面に金属膜を成膜し、第２のレジストパターン２５とともに第２のレジストパターン２５上の金属膜を除去して金属膜パターンを形成する工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】配線層の加工マージンが大きく、微細化に適した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１にゲート電極溝を形成する工程と、ゲート電極溝の内壁面にゲート絶縁膜１５を形成する工程と、ゲート電極溝の底部に埋め込みゲート電極２３Ａを形成する工程と、埋め込みゲート電極２３Ａの上面を覆うようにゲート電極溝の内部に絶縁膜を埋め込んだ後、エッチバックして当該ゲート電極溝の上部にキャップ絶縁膜２２を形成する工程と、半導体基板１の上面に層間絶縁膜２４を形成する工程と、層間絶縁膜２４にビットコンタクト開口部を形成する工程と、を備え、半導体基板１の上面に層間絶縁膜２４を形成する工程が、半導体基板１の上面とキャップ絶縁膜２２の上面との間に生じた段差を埋め込むように層間絶縁膜２４を成膜するとともに当該層間絶縁膜２４の上面を平坦とすることを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層された信頼性が高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置において、メモリアレイ領域にメモリ積層体を設け、周辺回路領域にダミー積層体を設け、ダミー積層体にダミーホール３１ａ，３１ｂを形成し、その内部に絶縁部材を埋め込む。そして、絶縁部材内に複数本のコンタクト３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅを形成する。コンタクト３５ａ，３５ｂはＭＯＳＦＥＴ４０のソース層３６に、コンタクト３５ｃ，３５ｄはドレイン層３７に、コンタクト３５ｅはゲート電極３８に接続される。そして、１つのダミーホール内に配置された複数本のコンタクトは、同じ電位が印加されるコンタクトとするか、ダミーホールの長手方向に延びる中心線４１ａ，４１ｃ、４１ｄ、４１ｆ、４１ｈ、４１ｊ、４１ｋ、４１ｌから外れた位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を含む電子装置の製造コストの増大を抑制可能であり、かつ、低誘電体膜の損傷を防止可能な電子装置の切断方法を提供すること。
【解決手段】本電子装置の切断方法は、基板上に複数の絶縁層及び複数の配線層が積層されている電子装置を準備する第１工程と、ブラスト処理を含む工程により、前記電子装置の切断可能領域に存在する全配線層及び全絶縁層を除去して前記基板を露出させる第２工程と、前記切断可能領域に露出する前記基板をブレードにより切断する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する溝の寸法を制御しやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、デュアルダマシンのビアが形成された下側絶縁膜と、ビアを埋め下側絶縁膜上に延在しレジスト材料でできた樹脂膜と、樹脂膜上に形成された酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上方に形成されたレジストパターンとを有するエッチング対象物に対し、レジストパターンをマスクとし、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、及びＣＨ_３Ｆから選択されたガスの使用量、及び、Ｏ_２及びＡｒから選択されたガスの使用量を定めるレシピを複数含みエッチングチャンバの制御装置に記憶されたレシピ群から選択されたレシピで、酸化シリコン膜をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、ハードマスクを用い、樹脂膜及び下側絶縁膜をエッチングして、デュアルダマシンのトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】表面荒れが少なく、光の透過率の高い透明電極パターンを容易に形成できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の透明電極パターンの形成方法によれば、基材の一面に透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、前記透明電極層の一部を覆い、前記透明電極層の他部を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスクおよび前記透明電極層の表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、エッチングにより前記金属膜の一部を残し金属配線を形成し、前記マスクの一部と前記透明電極層の前記他部の一部を露出させる第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程で露出した前記透明電極層を前記マスクの一部をマスクとしてエッチングすることにより透明電極のパターンを形成する第２エッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

電子デバイス製造プロセスは、下部電極層を堆積する段階を含む。次いで、電子デバイスが下部電極層上に製造される。下部電極層をパターニングする段階は電子デバイスを製造する段階後に、上部電極をパターニングする段階とは個別のプロセスで実施される。第１誘電体層は次いで、電子デバイスおよび下部電極層上に堆積され、上部電極層がそれに続く。上部電極は次いで、下部電極とは別のプロセスでパターン化される。上部および下部電極の別々のパターニングにより、電子デバイス間の誘電体材料におけるボイドが減少することによって収率が向上する。その製造プロセスが適切な１つの電子デバイスが、磁気トンネル接合（MTJ）である。
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歪み材料を有する半導体デバイスが開示される。特定の実施形態では、半導体デバイスは、第１ドレインと第１ソースとの間に第１ゲートを含む第１セルを含む。半導体デバイスはまた、第１セルに隣接する第２セルを含む。第２セルは、第２ドレインと第２ソースとの間に第２ゲートを含む。半導体デバイスはさらに、第１ソースと第２ソースとの間にシャロートレンチ分離領域を含む。第１ソースおよび第２ソース上の第１量の歪み材料は、第１ドレインおよび第２ドレイン上の第２量の歪み材料より多い。
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【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム系金属膜、及びチタニウム系又はモリブデン系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、鉄化合物０．１重量％〜１０重量％、硝酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）