Fターム[5F033QQ49]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | パターン形成方法,基板,導電膜,絶縁膜の処理方法 (47,095) | 研磨 (4,337) | ストッパー膜、研磨速度調整膜 (245)
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半導体の整合補助部
半導体デバイス用の整合補助部(115)に関する。整合補助部は、高い反射度を有する領域(123)と、低い反射度を有する隣接領域(125)とを備える。低い反射度を有する領域には、半導体デバイスの相互接続層(225)に配置され、かつ半導体デバイスの能動回路(218)の上方に配置されている、1層以上のタイル(203)が含まれる。一部の例では、整合補助部のタイルの走査方向への間隔は、整合補助部の走査に使用される光(例えば、レーザ光)の波長より短い。他の例では、整合補助部のタイルの走査方向への幅が、整合補助部の走査に使用される光の波長より短い。
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絶縁膜形成用塗布液とそれを用いた半導体装置
【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が1000Å以下であって、粒径の3σが平均粒径の20%以下である第一の微粒子と、平均粒径が1第一の微粒子の1/3以下で、粒径の3σが第二の微粒子の平均粒径の20%以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。
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配線構造及びその形成方法
【課題】 配線遅延を抑止し配線の微細化及び多層配線化を可能とする配線構造、及び当該配線構造の材料に固有の諸問題、例えば一方の材料の他方の材料への溶出等の不都合を解決して、信頼性の高い配線構造を実現する。
【解決手段】 Cu配線101と電気的に接続されるWプラグ102を形成するに際して、
配線基板の製造方法、半導体装置及びめっき装置
【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板10の一方の面10aに少なくとも孔10bを形成する工程と、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上と、孔10bの内面上とに、めっき給電層14を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層14を介して、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上に形成され、かつ孔10bを埋め込む金属層18を形成する工程と、金属層18を研磨することにより、孔10bに金属層18が埋め込まれた金属層のパターン17a,17bを形成する工程とを有する。
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多層スピンオン多孔性誘電体からなるlow−k配線構造
【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第1の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第2の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第1および第2の組成は、エッチング選択性が少なくとも10:1またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。
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