【課題】 所望の適正な加工状態を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１の主面上にゲート絶縁膜１２を介してゲート構造１３を形成する工程と、ゲート構造の上面、ゲート構造の側面及び半導体基板の主面を覆う第１の絶縁膜１４を形成する工程と、フッ素を含まないガスを用いた異方性のプラズマ処理によりゲート構造の上面及び半導体基板の主面を覆う第１の絶縁膜を改質する工程と、改質された第１の絶縁膜１５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電極の段切れを防止して表示品位の優れたアクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置は、接続配線４と、貫通孔３３を含む無機絶縁膜２１と、コンタクトホール３２を含む有機絶縁膜２２と、画素メタル電極６とを備える。貫通孔３３は、接続配線４の表面においてコンタクトホール３２よりも大きくなるように形成され、有機絶縁膜２２は、貫通孔３３とコンタクトホール３２とに挟まれるように形成された介在部３１を含む。接続配線４は、表面のうち少なくとも介在部３１が接する領域に形成された酸化膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

ピッチが増倍されたスペーサ等のマスクパターンの寸法が、パターン内のフィーチャが形成された後で、フィーチャの制御された成長によって制御される。ピッチが増倍されたスペーサ１７５ａのパターンを形成するために、まず、半導体基板１１０の上にマンドレルのパターンを形成する。次に、マンドレルの上に材料のブランケット層を堆積させ、スペーサ材料を水平面から選択的に除去することにより、マンドレルの側壁にスペーサを形成する。その後、マンドレルを選択的に除去し、自立スペーサのパターンを後に残す。スペーサは、酸化するとサイズが大きくなることで知られているポリシリコンやアモルファスシリコン等の材料を含む。スペーサを酸化して所望の幅９５に成長させる。所望の幅に達した後、スペーサ１７５ａは、下にある層１５０及び基板１１０をパターニングするためのマスクとして用いられ得る。有利なことに、酸化によってスペーサ１７５ａを成長させるため、マンドレルの上に薄いブランケット層を堆積することができ、それにより、よりコンフォーマルなブランケット層を堆積させ、スペーサ形成用の処理窓を拡張することが可能となる。
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【課題】 プラズマ処理によりシリコン表面に形成される、ＳｉＣを含む変質層を、シリコン表面の侵食を最小限に抑止しながら除去する。
【解決手段】 前記変質層を、酸素ラジカルに、前記半導体表面のＳｉ原子に結合してＳｉ原子と酸素原子との間の二重結合の形成を阻害するような元素の活性種を添加して改質し、形成された改質層をウェットエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基体１０の上方に形成された絶縁層２０に、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成すること、（ｂ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部に、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有するプラグ４２，４４を形成すること、（ｃ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４の上方を含む領域に、バリア層５１を形成すること、（ｄ）下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成すること、（ｅ）積層体８１をエッチングすることによって、第１のコンタクトホール２２のプラグ４２の上方を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成すること、（ｆ）第２のコンタクトホール２４のプラグ４４の上方を含む領域に、被覆層９０を形成すること、（ｇ）酸素雰囲気下においてアニール処理を行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンプラグ上のプラグコンタクトの抵抗ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板上の第１の絶縁膜１２中にポリシリコンよりなるプラグ１３を形成する工程と、ポリシリコンよりなるプラグの上に、酸化物層１４を形成する工程と、ポリシリコンよりなるプラグと第１の絶縁膜の上に、第２の絶縁膜１６を形成する工程と、第２の絶縁膜の上に、所定の形状にパターニングされたレジストを形成する工程と、パターニングされたレジストをマスクとして第２の絶縁膜の中に、コンタクト孔１７ｂを設ける工程と、酸化物層を、ポリシリコンよりなるプラグの上に残した状態で、コンタクト孔の内部を洗浄する工程と、酸化物層を除去した後に、コンタクト孔の内部を導電性金属１９で埋め込むことにより導電性金属よりなるプラグを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

拡散バリア膜と金属膜との間の接着性を改善するための方法が提唱される。拡散バリア膜及び金属膜の両方は、いずれかのシークエンスで、半導体基板上へ堆積される。拡散バリア膜又は金属膜のいずれか一方である第一膜（第一膜は、基板の表面領域の少なくとも一部で暴露される）を有する基板は、酸素含有リアクタントに暴露され、第一膜の露出部分に酸素含有基又は酸素原子の約１の単層の表面終端を生成する。次いで、第二膜（これは、拡散バリア膜及び金属膜のうち他方である）が基板上に堆積される。さらに、酸素架橋構造が提唱され、該構造は、拡散バリア膜及び該拡散バリア膜との界面を有する金属膜を含む（ここで、界面は、酸素原子の単層を含有する）。
【課題】
【解決手段】
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【課題】 レジストを用い、無電解めっきによって基板の表面に金属パターンを形成する方法であって、基板表面への密着性に優れた精細な金属パターンを得ることができるとともに、レジストパターンおよびその上の無電解めっき被膜を同時に除去すること、およびレジストパターン上の無電解めっき被膜のみを除去することのいずれもが容易になる方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターンが形成された基板の表面全面を酸化処理（例えば紫外線照射）し、次いでレジストパターンの最上層を除去した後、基板の表面全面に無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】ランディングプラグコンタクトとストレージノードコンタクトとの間の不整合を防止し、接触抵抗を改善することができる半導体素子のストレージノードコンタクトの形成方法を提供すること。
【解決手段】複数のゲート２３とソース／ドレーン領域２５が形成された半導体基板２１のゲート間に酸化膜２６とランディングプラグコンタクトを形成するステップと、ランディングプラグコンタクト及びゲートを含んだ半導体基板の全面上に層間絶縁膜２９を形成するステップと、層間絶縁膜をエッチングしてランディングプラグコンタクトを露出させる第１ストレージノードコンタクトホールを形成するステップと、露出されたランディングプラグコンタクトと酸化膜を除去し、第２ストレージノードコンタクトホールを形成するステップと、第２ストレージノードコンタクトホール内にポリシリコンを埋め込んでストレージノードコンタクト３０を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】加工パターンの疎密に依存することなく面内均一に精度良好なパターン加工行うことが可能なエッチング工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＳｉＯＣＨ系絶縁膜からなる被エッチング膜１３を形成し、マスクパターン１５上からのプラズマ処理を行う。これにより、マスクパターン１５から露出している被エッチング膜１３部分をＳｉＯ₂化して改質部１３ｂを形成する前処理を行う。次に、マスクパターン１５およびＳｉＯＣＨ系材料からなる未改質部１３ａに対して選択的に改質部１３ｂをエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】所定パターンのＳｉＯ_２膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成されたＳｉＯ_２膜、このＳｉＯ_２膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、所定パターンの第２の層間絶縁層（ＳｉＯ_２膜）５を形成する方法であり、主としてポリオルガノシロキサンで構成されるポリオルガノシロキサン膜を形成する第１の工程と、ポリオルガノシロキサン膜の前記所定パターンに対応する領域に、第１のＳｉＯ_２化処理を施して、前記領域に存在するポリオルガノシロキサンをＳｉＯ_２に変化させる第２の工程と、ＳｉＯ_２に変化した前記領域をアルカリ溶液により除去する第３の工程と、第３の工程において残存するポリオルガノシロキサン膜に、第２のＳｉＯ_２化処理を施して、ポリオルガノシロキサンをＳｉＯ_２に変化させることにより、第２の層間絶縁層５を得る第４の工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、多機能誘電体層を基板上、特に基板上に露出している金属配線系上に形成する方法に関する。本発明の目的は、銅による配線を形成するための多機能パッシベーション層を容易に形成する方法を提供するとともに、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、および接着性を向上させる方法を提供することにある。本発明によれば、更なる金属層（５）を、露出した金属配線（３）の表面上に堆積することによって、本発明の目的は達せられる。この金属層は少なくともその一部が非導電性の金属酸化物に変換され、誘電体層となっている。
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【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル２０₁ が、配線溝１６の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚１６ｎｍのＴａＮ_0.87膜３１と、ＴａＮ_0.87膜上に形成され、配線溝１６に埋め込み形成されたＣｕダマシン配線１７に接する膜厚４ｎｍのＴａＮ_1.19膜３２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 短絡や断線を回避しながら、基板の接続配線の抵抗の均一化を図る。
【解決手段】 基板の各信号配線３と素子側端子８とを接続する接続配線７を、それぞれ所定の線幅を有する複数の接続部である第１の区間７ａ、第２の区間７ｂから構成し、該複数の接続部の膜厚を調整したり、第１の区間７ａに積層配線１９を設けて多層構造とすることにより、各接続配線７で全抵抗が略同じになるように構成する。これにより、接続配線７の最大線幅と最小線幅の差を約２倍程度に抑えることができるため、太い接続配線７における短絡や、細い接続配線７における断線を回避しながら、各接続配線７の抵抗の均一化を図ることができる。 （もっと読む）