【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体の部品として石英ガラス等が用いられる場合に、Naの発生を低減するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 正イオンかつ可動イオンとなる不純物元素を含む誘電体部品と、一部が前記誘電体部品を用いて封止された真空容器と、前記真空容器内にガスを導入し、前記真空容器の内部の圧力を調整する手段と、前記誘電体部品を介して電磁波を前記真空容器の内部に放射する手段と、被処理体を保持する手段と、を有し、前記真空容器の内部でプラズマを発生させ、前記プラズマを用いて前記被処理体の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記誘電体部品の前記プラズマが接する面と反対側に電極を設置し、前記電極に前記誘電体部品とプラズマが接する面のフローティング電位より負の直流電位を印加することによりNaの発生を低減させる。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。支持基板１０ｅにおいて、電界効果型トランジスタ１０ｙのチャネル領域１ｘに対向する位置には凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅには埋め込みゲート電極４ｘが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ソース電極又はドレイン電極の膜厚のばらつき又は断線を防止した半導体装置を容易に作製する方法を提案する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第２の絶縁層と、を有し、少なくとも第１の絶縁層、及び第２の絶縁層に形成された半導体層に達する開口部と、前記開口部において前記第２の絶縁層の側面に形成された段差と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高温環境下で作動する半導体装置に好適な電極または配線形成方法及びこれらを備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 半導体基板１０の基板面１０ａ上に、下層配線１１を覆って層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２に配線溝１３を形成する。次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより、層間絶縁膜１２の表面、配線溝１３の内壁及び下層配線１１を覆う金属膜１４を形成する。続いて、酸素プラズマによる酸化処理を行い、金属膜１４を酸化してバリア層１５を形成する。これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】焼成を必要とする液滴吐出法をはじめとする塗布法において、配線や導電膜の作製時における焼成温度を低減することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法等の塗布法を用いて導電性材料よりなるナノ粒子が分散された組成物を吐出し、その後乾燥することで該溶媒を気化させる。そして、活性酸素による前処理を行った後、焼成を行うことで、配線もしくは導電膜を作製する。このように、焼成前に活性酸素による前処理を行うことで、作製時における焼成温度を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。
【解決手段】金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 （もっと読む）

【課題】開口径の異なるコンタクトが混在することによる歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１に形成された所定パターンの活性領域１２と、半導体基板１１上の所定位置に形成されたゲート電極１４と、半導体基板１１上に形成された層間膜１６ａと、中央部において幅が極小となる開口形状を有し、層間膜１６ａを貫通して活性領域１２およびゲート電極１４と接続されるシェアードコンタクト１７を備える （もっと読む）

【課題】新規な特徴を有する半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０の上方に第１絶縁膜２５を形成する工程と、第１絶縁膜２５の所定の深さに不純物をイオン注入することにより、第１絶縁膜２５に不純物層２２を形成する工程と、不純物層２２を形成した後、第１絶縁膜をアニールすることにより、不純物層２２をバリア絶縁膜２３に改質する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した新規な構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、を有する。半導体層は局所的に薄膜化され、薄膜化された領域にチャネル形成領域が設けられており、第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタを構成する材料によって熱処理温度が制限される半導体装置の層間絶縁膜の形成において、ＣＭＰ平坦化処理工程でスクラッチの発生を抑制することが可能な比較的低温のプロセスで形成されるＯ₃／ＴＥＯＳ系の熱−ＵＳＧ膜からなる層間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を得ること。
【解決手段】ソース／ドレイン領域となる拡散層１６および／またはゲート電極１３上にシリサイド膜１４，１７を有する電界効果型トランジスタがシリコン基板１上に形成された半導体基材上に、熱ＣＶＤ法によって不純物が導入されていないシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２２を形成する工程と、シリサイド膜１４，１７に影響を与えない程度の温度で、シリコン酸化膜中に混入したガス状反応生成物を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ライナー膜やポーラスｌｏｗ−ｋ膜内に、十分な膜厚を有するバリアメタルを自己形成することを目的とする。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１２が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１２上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１２，３０とビア２８とは、バリアメタル１４，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１４，３２は、Ｒｕ膜１６Ａ，３４Ａと、ＭｎＯｘ１６Ｂ，３４Ｂとが積層されてなる。ＭｎＯｘ１６Ｂ，３４Ｂは、ＲｕＯ_２膜から供給された酸素を用いて自己形成される膜である。 （もっと読む）

【課題】配線溝とスルーホール形成時の洗浄でキャップ金属が溶解して初期不良率の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】上層配線開口部１１２の底部となる下部銅配線上に密着性を向上させるために形成されるキャップ金属の少なくとも上部のプラグと接続する部分を、科学的に安定するように変性された変性膜にすることにより、配線溝１１３形成後の洗浄工程においてキャップ金属の溶解を防止でき、初期不良率の低減及びエレクトロマイグレーション耐性の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸素の含有量の少ないシリコンカーバイドからなる絶縁膜の上に、低誘電率絶縁材料からなる膜を形成する場合にも、十分な密着性を得ることができる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、シリコンカーバイド、酸素含有シリコンカーバイド、シリコンオキシカーバイドからなる群より選択された絶縁材料からなる第１の膜を形成する。第１の膜の上に、比誘電率が２．７以下の低誘電率絶縁材料で形成されている絶縁膜であるか、または塗布法により形成される絶縁膜である第２の膜を形成する。第２の膜が形成された基板を、水素プラズマに晒す。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に使用するための特性が優れて安定したタングステンシリサイド膜を得る。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置して昇温し、ジクロルシランを導入してシリコンウェーハの表面反応を起こさせた後、ジクロルシランにWF₆を加えて導入して上記シリコンウェーハに薄くタングステンシリサイドを堆積させる。次にWF₆ を止めてジクロルシランを導入し、その後に、ジクロルシランに加えてWF₆を導入してタングステンシリサイドの堆積を行ないタングステンシリサイド膜を形成する。 （もっと読む）

自己制限プロセスシーケンスによって窒化アルミニウム層（１０６）を形成することにより、銅系メタライゼーション層の界面特性を大幅に改善できる一方で、層スタックの全体的な誘電率を低いレベルに保つことができる。
（もっと読む）

【課題】電気的な特性が向上される半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、導電パターン１０５を有する半導体基板１００の上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａを形成する。第１拡散防止膜により囲まれている開口部を埋める金属膜１５２を形成する。この方法により製造された半導体素子及び半導体素子の製造に利用する半導体クラスタ装備を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面に荒れが生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に半導体素子を形成する工程と、半導体素子１上に層間絶縁膜、配線層、及びパッド１１ａを形成する工程と、パッド１１ａ上にパッシベーション膜１２ａを形成する工程と、パッシベーション膜１２ａ上にレジストパターン５０をマスクにしてエッチングを行うことにより、パッド１１ａ上に位置する開口部１２ｃを形成する工程と、レジストパターン５０を、有機アミンを含有する薬液を用いて除去する工程とを具備する。半導体素子を形成する工程において、半導体基板１の裏面にはシリコン膜２４が形成され、パッド１１ａを形成する工程の後ではシリコン膜２４は露出する。パッド１１ａを形成する工程の後、レジストパターン５０を除去する工程の前に、シリコン膜２４の表面に酸化膜２４ｂを形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】メモリを有するＲＦＩＤにおいて、プロセスもしくは回路面積を増大させることなくアンテナの配置を行うことを課題とする。
【解決手段】メモリを中央に配置し、メモリ共通電極を囲むようにアンテナの配線を行う。さらに、メモリ共通電極とアンテナの距離は５００μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以上離して配置する。このような構成により、メモリ共通電極とアンテナとを共通の絶縁層上に形成することが可能となり、余剰プロセスを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率を有し、かつ、密着性に優れた積層体、ならびに該積層体を含む絶縁膜および半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、有機系膜と、第１のシリカ系膜と、前記第１のシリカ系膜と前記有機系膜との間に設けられた第２のシリカ系膜と、を有し、第２のシリカ系膜はポリカルボシランを含む。 （もっと読む）