【課題】比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜しているので、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられ、その結果、低誘電率であり、かつＣｕなどの金属に対するバリア性を有するといった利点を生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】１の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線の配置密度が異なる第１のエリア及び第２のエリアを有する半導体装置の製造方法であって、前記配線間を絶縁する多孔質の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表出する面のうち、前記第１のエリアよりも前記配置密度が小さい前記第２のエリアにエネルギー線を照射し、前記絶縁膜のヤング率が前記第１のエリアに比べて大きな値になるように、前記絶縁膜の構造を変える工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】素子構造部にダメージを与えずに側壁スペーサ膜等を除去し、高集積化された高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。ＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる側壁スペーサ膜３０を用い、ソース、ドレイン領域形成処理を行った後、これを除去する。 （もっと読む）

半導体素子（１０，２０）を形成する方法は、第１の主要表面と第２の主要表面とを有する半導体基板（１２）上に第１の能動回路（１４）を形成する工程を含む。第１の能動回路（１４）は第１の主要表面上に形成される。第１の半導体基板内には、第１の能動回路から第１の半導体基板の第２の主要表面まで延びるビア（１６，１８）が形成される。第２の主要表面上には第１のビアに隣接して誘電体層（２４）が形成される。誘電体層（２４）は窒素とシリコンを含んでよく、低圧プラズマ、低温プラズマ、または両方のプラズマプロセスにより形成され得る。
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【課題】機械的強度が高く、かつ誘電率が低く安定した絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンに炭化水素基を結合させたＳｉＯＣ系材料からなる多孔質の第１層間絶縁膜５を基板１上に成膜する工程と、第１層間絶縁膜５に電子線ＥＢを照射することにより第１層間絶縁膜５の機械的強度を高める工程とを行う半導体装置の製造方法において、電子線ＥＢを照射した後に、第１層間絶縁膜５を酸素雰囲気中においてアニール処理を行い、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に置き換える。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜の成膜後にアニール等の加熱下での処理を施してもアモルファスカーボン膜の特性が大きく変化することがないアモルファスカーボン膜の後処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、加熱をともなう処理が施されたアモルファスカーボン膜を後処理するに際し、加熱をともなう処理の直後に、アモルファスカーボン膜の酸化防止処理、例えばシリル化剤を接触させるシリル化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の多孔質物質含有膜を提供すること。
【解決手段】Si、C、O、H及びSi-CH₃種を含み、かつ少なくとも1つの含Si構造形成物質と少なくとも1つの含C細孔形成物質とを含む複合膜を基板表面の少なくとも一部分に形成する工程; 該複合膜及び該複合膜を活性化学種に暴露して前記含C細孔形成物質を少なくとも部分的に改質し、その際、形成されたままの状態の皮膜中のSi-CH₃種の少なくとも90%(FTIRにより測定)を暴露工程後も皮膜中に残す工程を含む多孔質絶縁膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜を絶縁膜例えば層間絶縁膜として用い、この絶縁膜に銅を含む金属配線を形成するにあたり、絶縁膜と金属配線との間において、フッ素及び銅の拡散を防ぐこと。
【解決手段】フッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜と、この絶縁膜に形成された銅配線と、の間に、フッ素の拡散を防止するための第１の膜であるチタン膜を形成し、第１の膜と胴配線との間に銅の拡散を防止するための第２の膜であるタンタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が異なる複数の凹部内に効率よく、かつ、容易に膜を埋め込むことができるとともに、凹部に埋め込む膜の埋め込み性の向上、およびクラックや剥がれの抑制を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シラン３５と過酸化水素３６とを基板１上で反応させて流動性を有する液相のシラノール３７を生成させる。シラノール３７を、基板１に設けられたアスペクト比が所定の値以上である第１の凹部５ａ内を満たすまで導入するとともにアスペクト比が所定の値未満である第２の凹部５ｂ内にその底部から中間部まで導入する。各凹部５ａ，５ｂ内のシラノール３７を脱水縮合させてシリコン酸化膜８に転換し、凹部５ａをシリコン酸化膜８により埋め込むとともに凹部５ｂの底部から中間部までシリコン酸化膜８を設ける。シリコン酸化膜８よりも膜密度が高い絶縁膜９を凹部５ｂの中間部から上部を埋め込むまで設ける。 （もっと読む）

【課題】
絶縁膜に形成した深孔内に王冠構造のキャパシタを設ける場合、深孔内壁に形成した第１の上部電極とプレートとなる第２の上部電極との間に誘電体が介在するため、上部電極相互の接続が困難になる問題を解決する。
【解決手段】
深孔の内壁に形成される第１の上部電極２２７を導体膜２２４、導体プラグ２３６ａを介して配線２４１ａに接続し、プレートとなる第２の上部電極２３１を導体プラグ２３９ａを介して配線２４１ａに接続する構成とし、第１の上部電極と第２の上部電極を接続する。 （もっと読む）

【課題】
ワード線間に位置するコンタクトホールをＳＡＣ法を用いてドライエッチングで形成してさえも、ワード線カバー膜の肩がエッチングされコンタクトプラグとワード線とがショートする問題を回避する方法を提供する。
【解決手段】
コンタクトホールの側面、底面およびその他の露出する表面を全て窒化シリコン膜で覆った状態で酸化シリコン膜からなるコンタクトホール部分の絶縁膜をフッ酸含有溶液を用いて除去する。ドライエッチングを用いないので肩がエッチングされるのを回避できる。 （もっと読む）

【課題】 プラグ上にキャパシタを形成する際、プラグの破壊を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ア）半導体素子を形成し、ポリシリコンプラグ１５表面が露出した下地構造半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、（イ）層間絶縁膜中にポリシリコンプラグ１５表面に達する接続孔を形成する工程と、（ウ）接続孔に埋め込まれて、ポリシリコンプラグ１５に積層するＷプラグ１７を形成する工程と、（エ）窒化性雰囲気中で半導体基板を加熱し、前記Ｗプラグの表面のみを窒化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。
【解決手段】 基板にプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 制御電極と電荷蓄積層との間に優れた絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１３と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜２０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極とを備えた半導体装置の製造方法であって、第２の絶縁膜を形成する工程は、酸素及び金属元素を含有した下層絶縁膜２０１を形成する工程と、下層絶縁膜に対して酸化性ガスを含む雰囲気下で熱処理を施す工程と、熱処理が施された下層絶縁膜上に水素及び塩素の少なくとも一方を含んだ成膜ガスを用いて上層絶縁膜２０２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 温度条件等を変えずに、炭素等の不純物が少なく、且つ欠陥が少ない良好な膜質の絶縁膜を得る。
【解決手段】 基板上にプラズマＣＶＤ法を用いて行う絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となる第一ガスと酸素を構成元素に含む第二ガスを用い、且つ該第一ガスを一定の時間間隔を設けて供給することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 多層配線の層間絶縁層の膜剥れや、クラックを防止する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造のシリコンカーバイド層表面を、Ｏ₂より分子量が大きく、酸素を含む弱酸化性ガスのプラズマで親水化処理する工程と、親水化処理したシリコンカーバイド層表面上に、酸化シリコンより比誘電率の小さい低誘電率絶縁層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

二つの有機シリコン化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる方法が提供される。混合物には、更に、炭化水素化と酸化ガスが含まれてもよい。第一有機シリコン化合物は、Ｓｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有する。第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数は、第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きい。低誘電率膜は、良好なプラズマ／ウェットエッチング損傷抵抗、良好な機械的性質、且つ望ましい誘電率を有する （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けを抑え、熱処理後のハードマスク層の膜剥がれを抑える技術を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたフッ素添加カーボン膜２０と、このフッ素添加カーボン膜２０の上に形成され、ＳｉＣＯ膜２３とＳｉＯ_２膜２４とを含むハードマスク層と、前記フッ素添加カーボン膜２０とハードマスク層との間に、ＳｉＮ膜２１とＳｉＣＮ膜２２とを下からこの順序で積層して形成されたバリア層と、を備える。ＳｉＮ膜２１によりフッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けが抑えられ、ＳｉＣＮ膜２２によりハードマスク層の成膜プロセス時のフッ素添加カーボン膜２０の酸化を抑えることができるので、熱処理後のハードマスク層やバリア層の膜剥がれを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面側に形成された凹部を有する下地領域と、前記下地領域の凹部内全体に埋め込まれた塩素を含有するシリコン酸化膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）