【課題】低吸湿性かつ低誘電率のＦ添加ＳｉＯ₂ 膜を形成すること。
【解決手段】導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ₂ の網目構造を有する絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際に、原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₃ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＲＯ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＮ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＮＯ₂ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＯＯＲ）₃ （Ｒは官能基）またはＳｉＦ_n （ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）_4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用いたときに、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換する反応確率が、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも小さくなる成膜温度で、前記絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。
【解決手段】酸化シリコンなどからなる被エッチング膜１２に界面膜１３を積層する。界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。界面膜１３上に有機マスク２０を設け、無水または加湿したＨＦ（反応剤）とＯ_３（酸化剤）を含むエッチングガスを供給する。界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ゲート形成溝内に埋め込んで形成される金属系ゲート電極を有するトランジスタ群と抵抗とを有する半導体装置で、抵抗値のばらつきをなくした抵抗形成を可能とする。
【解決手段】半導体基板１１に、第１トランジスタ群と、これよりも低い動作電圧の第２トランジスタ群と、抵抗３とを備え、第１トランジスタ群は、半導体基板１１上に第１ゲート絶縁膜１３を介してシリコン系材料層７１で形成された第１ゲート電極１５を有し、第２トランジスタ群は、半導体基板１１上の第１層間絶縁膜３８に形成したゲート形成溝４２内に第２ゲート絶縁膜４３を介して金属系ゲート材料を埋め込むように形成された第２ゲート電極４７、４８を有し、抵抗３は、半導体基板１１上に絶縁膜６１を介してシリコン系材料層７１と同一層で形成された抵抗本体部６２と、この上部に形成された抵抗保護層６３を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サリサイド技術で形成した金属シリサイド層が断線するのを防止する。
【解決手段】半導体基板１にゲート絶縁膜４、ゲート電極５およびソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域８を形成する。それから、サリサイド技術によりゲート電極５およびｎ^＋型半導体領域８上に金属シリサイド層１３を形成する。そして、半導体基板１上に絶縁膜２１を形成し、接合リーク低減のための熱処理を行ってから、絶縁膜２２，２３を形成する。絶縁膜２１，２２は半導体基板１に引張応力を生じさせる膜である。その後、絶縁膜２１，２２，２３にコンタクトホール２４を形成するが、この際、絶縁膜２２，２１をエッチングストッパとして用いて絶縁膜２３をドライエッチングしてから、コンタクトホール２４の底部で絶縁膜２２，２１をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の部材に含まれるＮａが、基板上に形成する膜中に取り込まれるのを十分に抑制しうる成膜装置及びそのコーティング方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１８を収容する反応室１０と、反応室１０内に設けられたバッファ室２４と、プラズマによる活性化を必要とするＮＨ_３ガスと、ＤＣＳガスとをバッファ室２４内に供給するシャワーノズル２６と、バッファ室２４内においてＮＨ_３ガスを活性化するためのプラズマを生成する一対の高周波電極３８とを有する成膜装置において、ウェハ１８上にシリコン窒化膜を形成する前に、ＮＨ_３ガスとＤＣＳガスとをバッファ室２４内に供給することにより、バッファ室２４内部の表面をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】ダマシンゲートプロセスにおいて、ゲート電極用溝形成時に層間絶縁膜が後退せず、短絡の原因となる導電層の残渣が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を有する半導体基板１０にダミーゲート絶縁膜１２とダミーゲート電極１３を形成し、ダミーゲート電極をマスクとして基板にソース・ドレイン領域１９を形成し、酸化シリコンよりフッ酸耐性を有する絶縁性材料によりダミーゲート電極より厚い膜厚でダミーゲート電極を被覆して第１絶縁膜２１を形成し、その上に第１絶縁膜と異なる絶縁性材料で第２絶縁膜２２を形成し、第２絶縁膜の上面から第１絶縁膜の頂部、さらにダミーゲート電極が露出するまで第１絶縁膜と第２絶縁膜とを平坦化除去し、ダミーゲート電極及びダミーゲート絶縁膜を除去し、得られるゲート電極用溝の底部にゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成し、電界効果トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のＣＭＰ時にクラックが発生することを抑制するとともに、クラックが発生しても、クラックによる影響を排除できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上全面を覆うようにオゾンＴＥＯＳ膜７を形成した後、オゾンＴＥＯＳ膜７上にプラズマＴＥＯＳ膜８を形成する。その後、プラズマＴＥＯＳ膜８の素子形成領域ＦＲと素子非形成領域ＮＦＲとの間での高低差を低減するようにＣＭＰを施す。次に、プラズマＴＥＯＳ膜８を所定の厚さ全面的にエッチングして平坦化する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とコンタクトの間の容量とフリンジ容量の両者を低減することが半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を有する半導体基板１０上にゲート絶縁膜２０とゲート電極２１が形成され、ゲート電極の両側部における半導体基板にソース・ドレイン領域１３が形成されて、電界効果トランジスタが構成されており、電界効果トランジスタを被覆して第１絶縁膜２６が形成され、第１絶縁膜においてソース・ドレイン領域に達するようにコンタクトホールＣＨ_ＳＤが開口され、コンタクトホール内にコンタクトプラグ（２８，２９，３０）が埋め込まれ、第１絶縁膜の上層に第２絶縁膜（３１，３３）が形成されており、ゲート電極とコンタクトプラグの間の領域における第１絶縁膜が除去され、ゲート電極の側面とコンタクトプラグの側面を含む面から空隙Ｖが構成されている構成とする。 （もっと読む）

本発明は、フッ素を含有する絶縁膜を有する半導体装置であって、前記絶縁膜の上に直接形成されたＳｉＣＮ膜を有し、前記ＳｉＣＮ膜において、前記絶縁膜との界面から遠ざかる方向に、窒素含有量が低下する半導体装置でもよい。本発明において、ＣＦｘ膜との界面近傍においては耐フッ素性の高いＳｉＣＮ膜であって、ＳｉＣＮ膜全体としては誘電率の低い膜をハードマスクとして形成することができる。

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【課題】有機物を含むシリコン酸化物系の低誘電率膜に対してエッチング処理やアッシング処理などのプラズマ処理を行った時に、有機物が脱離することによって受けるダメージの少ない低誘電率膜及びこの低誘電率膜を備えた半導体装置を得ること。
【解決手段】フェニル基とシリコンとを含み、窒素を含まないガスを用いて低誘電率膜を形成した後、後処理工程として、この層間絶縁膜に対して熱処理、ＵＶ照射処理あるいはＳＰＡプラズマ処理などによりエネルギーを加えることによって、層間絶縁膜から水分を脱離させて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ骨格構造を形成する。 （もっと読む）

ＳＡＣＶＤによって堆積した層間絶縁材料（２０７，３０７）の余分な材料を除去することにより、ＳＡＣＶＤの堆積法のギャップフィル能を利用する一方で、当該材料の悪影響が低減される。別の態様では、ＳＡＣＶＤに基づいて層間絶縁材料（２０７，３０７）を堆積する前に、バッファ材料（３６０）（二酸化シリコンなど）が形成されてもよく、これにより、異なる高い固有応力レベルを有する誘電層上に層間絶縁材料（２０７，３０７）を堆積させる際の、堆積プロセスの均一性が改善される。したがって、層間絶縁材料（２０７，３０７）の信頼性を向上できる一方で、ＳＡＣＶＤ堆積によって得られる利点を温存することができる。
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【目的】タングステン膜の成膜時にタングステン膜の剥れを防止できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミ配線２を形成した半導体基板１上に第１Ｐ−ＴＥＯＳ膜３を形成し、その上にＯ３−ＮＳＧ膜４を形成し、その上に第２Ｐ−ＴＥＯＳ膜５を形成し、その上に有機ＳＯＧ膜６を形成し、エッチバックした後、その上に第３Ｐ−ＴＥＯＳ膜７を形成し、アルミ配線２上の前記の積層された層間絶縁膜にＶｉａコンタクト８を形成し、その上にＴｉＮ膜９を形成し、その後でＴｉＮ膜９のアニール１０を行った後、次工程でタングステン膜１１を形成する。ＴｉＮ膜９のアニールを行うことでタングステン膜１１の剥れが防止できる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性に優れ、かつ、膜の破壊及び剥離を防止する絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】無機シラザンベース絶縁膜を形成する方法が与えられる。当該方法は、Si及びHから構成されるガス並びにN及びHから選択的に構成されるガスを被処理体が配置される反応チャンバ内に導入する工程と、被処理体の温度を−５０℃から５０℃に制御する工程と、無機シラザン結合を含むSi、N及びHにより構成される膜をプラズマ反応により堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】最終保護膜形成後の製品のそりを低減した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜上に、引張応力を有する第２保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第１保護膜、及び前記第２保護膜を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】水素の含有量を１原子％以下とすることで４００度における十分な耐熱性を付与された、ケイ素を含有するフッ素化非晶質炭素膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】式CxFy（式中x, yは２以上の整数）で表される不飽和フッ化炭素ガスと式SiaFb（式中a, bは１以上の整数）で表されるフッ化ケイ素ガスを原料ガスとして用いる。 （もっと読む）

【課題】低電力のプラズマを容易に生成、維持、制御することができるようにし、もって低誘電率のプラズマ重合高分子膜を容易に形成することができるようにする。
【解決手段】原料ガスを真空チャンバ１内に導入し、真空チャンバ１内の基板２と該基板２と相対向する対向電極４との間にグロー放電によるプラズマを励起して基板２表面に薄膜を形成する成膜方法において、基板２表面の仕事関数以上のエネルギーの光を基板２へ照射すると共に、基板２と対向電極４間へのＤＣパルス電圧の印加を行うことによって、基板２と対向電極４間にグロー放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の材質としてフッ素添加カーボン（ＣＦ膜）を用いた半導体装置において、低誘電率であるフッ素添加カーボン膜の利点を生かすこと。
【解決手段】直鎖構造のＣ_５Ｆ_８ガスを用いてＣＦ膜を成膜し、その表面にハードマスクになる金属を直接形成する。このＣＦ膜は、耐熱性が大きいので金属膜の膜剥れがなく、また機械的強度が大きいのでＣＭＰ加工にも耐えられ、またＣＭＰ加工の後処理を有機酸などで行うことによりＣＦ膜の損傷もなくなる。その結果下層側のＣＦ膜と上層側のＣＦ膜との間にＳｉＣＮなどからなる比誘電率の高いキャップ膜が存在しなくなる。 （もっと読む）

【課題】膜中の空孔の孔径及び空孔率を正確に制御することができ、かつ良好なスループットで多孔質膜を形成する.
【解決手段】第１工程において、下地１１の上側表面１１ａに、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜１５を形成する。次いで、第２工程において、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜１５を水洗することによって、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜に含まれるＧｅＯ₂を溶解する。この溶解によって、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜からＧｅＯ₂が除去されるため、ＳｉＯ₂ＧｅＯ₂膜においてＧｅＯ₂に相当する部分が、空孔１９となる。そして、ＧｅＯ₂が除去されることによって残存したＳｉＯ₂は、膜中に空孔を有する多孔質ＳｉＯ₂膜１７となる。 （もっと読む）

【課題】プラグまたは局所配線による接続で低い接続抵抗と十分に小さい拡散層リーク電流を実現し、更に深さが異なる接続孔や開口断面の断面の形状や大きさが異なる接続孔または局所配線穴を用いる場合でも、十分に小さい拡散層リーク電流と低い接続抵抗を実現する製造方法を提供する。
【解決手段】基体上の絶縁膜に開口した、表面がシリコンを主成分とする層が底部に露出している第１の開口部（接続孔または局所配線穴）の群と、表面が第１の金属珪化物を主成分とする層が底部に露出している第２の開口部の群と、表面が第１の金属を主成分とする層が底部に露出している第３の開口部の群のうちの、少なくとも２群の各開口部の底部に、第２の金属珪化物を主成分とする層また第２の金属を主成分とする層を、化学気相成長法によって同時に形成する。
【効果】従来以上に高集積、高性能の半導体装置が実現される。 （もっと読む）