【課題】 金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内で金属の表面が露出している被処理体Ｗにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器２２内へＳｉ含有ガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と、前記処理容器２２内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が従来のＳｉＯ₂よりも低く、２０Ｖの電圧時に１０^−８Ａ／ｃｍ^２を越えるリーク電流が起きることの無い高品質な絶縁膜を提供することである。
【解決手段】 化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であって、
下記の［Ｉ］に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物と、
下記の［ＩＩ］に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物
とを含む。
［Ｉ］
ＨＳｉ（ＯＣＨ_３）_３，Ｈ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２，ＨＳｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２
［ＩＩ］
（ＣＨ_２=ＣＨ）Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３，（ＣＨ_２=ＣＨ）Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３，（ＣＨ_２=ＣＨ）Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２，（ＣＨ_２=ＣＨ）Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣ_２Ｈ_５）_２，（ＣＨ_２=ＣＨ）Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＯＣＨ_３），（ＣＨ_２=ＣＨ）Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＯＣ_２Ｈ_５） （もっと読む）

アセンブリは、互いに重ねて形成された窒化物エッチストップ層を有する多層窒化物スタックを備え、これら窒化物エッチストップ層の各々は、膜形成プロセスを使用して形成される。多層窒化物スタックを形成する方法は、単一ウエハ堆積チャンバに基板を配置し、堆積の直前に基板に熱的ショックを与えることを含む。第１の窒化物エッチストップ層が基板上に堆積される。第２の窒化物エッチストップ層が第１の窒化物エッチストップ層上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、選択ソースラインと共通ソースライン間の漏れ電流を著しく減少させることが可能な半導体素子のパッシベーション膜形成方法及び半導体素子のパッシベーション膜構造を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体基板上に金属配線を形成する段階と、前記金属配線上にプラズマによる損傷を緩衝することが可能な第１パッシベーション膜のバッファ酸化膜を形成する段階と、前記バッファ酸化膜上に第２パッシベーション膜の高密度プラズマ（ＨＤＰ）膜を形成する段階と、前記第２パッシベーション膜上に第３パッシベーション膜を形成する段階とを含んで半導体素子のパッシベーション膜を形成する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも８０重量％の式Ｉ：［Ｙ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ａ［Ｚ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｂ［Ｈ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｃ［式中、Ｙはアリール、Ｚはアルケニル、ａは式Ｉの１５％−７０％、ｂは式Ｉの２％−５０％、ｃは式Ｉの２０％−８０％を表す］の化合物を含むオルガノシロキサンを提供する。本発明のオルガノシロキサンは、セラミックバインダー、高温カプセル化剤及び繊維マトリックス結合剤として使用し得る。本発明の組成物はまた別の材料と組合わせたときに優れた接着性を示すのでマイクロエレクトロニクス以外の用途またはマイクロエレクトロニクスの用途で接着促進剤として有用である。好ましくは本発明の組成物はマイクロエレクトロニクスの用途でエッチストップ、ハードマスク及び誘電体として使用される。 （もっと読む）

【課題】他の膜へのダメージや膜剥がれを防ぐとともに、配線特性を劣化させることなく、膜強度を維持した状態で、誘電率２．５以下の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有する成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を維持するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。また、シラン含有ガスと酸素ガスとを含む成膜ガスまたはＳｉ−Ｏ結合含有ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【解決課題】 低誘電率と高機械強度を両立する絶縁膜を得ること
【解決手段】 エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基またはフェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むＣＶＤ用絶縁膜原料組成物及び、該ＣＶＤ用絶縁膜原料組成物を気化または昇華して生成させたガスを、基材を静置した反応容器に導入した後、該ガスをプラズマ化して該基材上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体分野における集積回路の高機能化に利用することができる低誘電率絶縁膜の形成材料及び形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の低誘電率絶縁膜の形成材料は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン (ＴＭＣＴＳ) の全ての立体異性体分子の中で、Ｓｉ−Ｈ結合を構成する全ての水素原子４個がＳｉ−Ｏ環平面に対して同じ側にある立体異性体が１５％以上１００％以下含まれている。 （もっと読む）

コンタクトエッチストップ層（１１６）を設けることによって、異なるトランジスタ型（１００Ｎ），（１００Ｐ）のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層（１１６）の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ（１００Ｎ），（１００Ｐ）の性能を大きく改善することができる。
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【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨ原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

下にあるバリア層に対する多孔性低誘電率膜の接着は、その上にある多孔性低誘電率膜より炭素含量が低く、シリコン酸化物が豊富な中間層を形成することにより向上する。この接着層は、多数の手法のうち一つを単独で又は組み合わせて利用して形成されてもよい。一つのアプローチでは、接着層は、低誘電率材料の堆積直前にＯ_２／ＣＯ_２／などの濃酸化ガスを導入してＳｉ前駆体を酸化することにより形成することができる。別のアプローチでは、α−テルピネン、シメン及びその他の酸素非含有有機物などの熱的に不安定な化学物質が、低誘電率膜の堆積前に除去される。また別のアプローチでは、ハードウェア又はシリコン非含有成分を導入する方式などの処理パラメータが変更されて、低誘電率膜の堆積の前に酸化物界面の形成を可能とすることもできる。さらに別のアプローチでは、吸収量、エネルギー又は熱アニール処理の使用などの電子ビーム処理のパラメータが制御され、バリアと低誘電率膜との間の界面で炭素種を除去することもできる。さらなるアプローチでは、低誘電率堆積の前に前処理プラズマが導入されバリア界面の加熱を増進することにより、低誘電率堆積ガスが導入され、低誘電率膜が堆積される時、薄い酸化物界面を形成することもできる。 （もっと読む）

本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと、燐含有プロセスガスと、酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。 （もっと読む）

多数層を有するマスキング構造が形成される。そのマスキング構造は、無定形炭素層と該無定形炭素層上に形成されたキャップ層とを含む。無定形炭素層は透明無定形炭素を含む。キャップ層は非酸化物材料を含む。マスキング構造は、半導体装置の製作中、エッチング・プロセスにおけるマスクとして使用可能である。 （もっと読む）

本発明は、４２０℃以下の熱履歴を経たフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を備えた半導体装置に関する。本発明の特徴は、前記フッ素添加カーボン膜中の水素原子の含有量が、前記熱履歴を経る前において、３原子％以下であることにある。 （もっと読む）

集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）

本発明においては、前面（１４）と背面（１６）とを備える半導体基板（１２）であって、基板を（１２）通って前面（１４）と背面（１６）との間を延びる孔（１８、２０、２２）を備える半導体基板（１２）を用意する。孔（１８、２０、２２）は、部分的に、内壁部分によって規定され、外側導電性シースを形成する。導電性材料（５４）を、内壁部分の少なくとも一部に隣接して形成する。その後に誘電体材料層（５６）を、孔内部に、導電性材料上であってそのラジアル方向内側に形成する。次に第２の導電性材料（６０）を、孔内部に、誘電体材料層（５６）上であってそのラジアル方向内側に形成する。後者の導電性材料は、内側導電性コアキシャル線要素を構成する。 （もっと読む）