【課題】 半導体集積回路等の微細な集積回路の修正等を行う際、配線を低抵抗で形成することができる集積回路の配線形成方法を提供する。
【解決手段】 集積回路２上の配線を必要とする部分２ｃｘを集束イオンビーム１０ａにより掘出す工程と、掘出し工程によって掘出された部分に対し、銀４０をコートした走査トンネル顕微鏡探針２１に電圧パルスを印加して該探針から銀原子を移動させる走査トンネル顕微鏡法により、銀配線４ｃを形成する工程とを有する集積回路の配線形成方法であって、配線を必要とする部分の線幅が１μｍ以下である場合は走査トンネル顕微鏡法を用い、線幅が１μｍを超える場合は、集積回路上の配線を必要とする部分に対し、非サーマル方式のインクジェット装置から銀粒子を含むインクを噴射した後に、レーザー又は加熱した走査プローブ顕微鏡の探針でインクを乾燥させるインクジェット法により銀配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い結晶化温度を有する改良型誘電体層の構造及び該構造の製造方法には、誘電体層の等価酸化膜厚を減らすこと並びに界面特性の改良によってデバイス性能を改良する必要が今も残っている。
【解決手段】例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。一実施形態における金属含有膜の堆積法は、金属アミド前駆体、ケイ素含有前駆体、及び酸素源を燃焼室に導入する工程（ただし、パージガスを導入した後に各前駆体を導入する）を含む。 （もっと読む）

【課題】熱プロセスを使用しないで、低誘電率材料である空隙を含む多層配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】誘電層１０５にトレンチを形成し、トレンチにコンフォーマル誘電バリア膜と金属拡散バリア膜を堆積する。トレンチに導電材料を充填し導電ライン１０９を形成する。誘電層と導電ライン上に多孔性バリア１１１を形成する。フォトレジスト１１２を生成し、そのホール１１３からエッチング液を多孔性バリアを介して誘電層に接触させ、誘電層をエッチング除去して空隙１１４を形成する。コンフォーマル誘電バリア膜が、ウェットエッチング化学薬品に対するバリアとして作用する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ−Ｍｎ合金層を側壁に形成したＣｕ配線パターンの表面に、炭素および酸素源となる炭素含有膜を接触させ、熱処理により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記炭素源からの炭素原子と酸素原子を反応させ、炭素を含むＭｎ酸化物膜をバリア膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの不均一を改善することにより、プラズマダメージを抑え、得られる半導体素子の性能や製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１１内に設けられた下部電極１３にウェハｗを載置し、反応室１１内にプロセスガスを導入し、ウェハｗの被処理面と離間するように磁場を印加し、下部電極１３と、下部電極１３と対向配置された上部電極１２間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマが安定化した後、磁場を除去し、ウェハｗをプラズマ処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＮＢＴＩ劣化を抑制することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、ｎ型領域を有するシリコン基板と、前記ｎ型領域上に、窒素を含む酸化シリコンを用いて形成されたゲート絶縁膜と、ホウ素を含むシリコンを用いて、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極両側の前記シリコン基板内に形成されたｐ型ソース／ドレイン領域と、酸化シリコンを用いて、前記ゲート電極の側壁上に形成されたサイドウォールスペーサと、前記ゲート電極、サイドウォールスペーサを覆い、平坦化された表面を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の平坦化された表面から内部に向って形成された配線用凹部と、前記凹部を埋める、下地のバリア層とその上の銅領域を含む銅配線と、前記銅配線を覆って、前記層間絶縁膜上に形成された炭化シリコン層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＮＢＴＩ劣化を抑制することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、ｎ型領域を有するシリコン基板と、前記ｎ型領域上に、窒素を含む酸化シリコンを用いて形成されたゲート絶縁膜と、ホウ素を含むシリコンを用いて、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極両側の前記シリコン基板内に形成されたｐ型ソース／ドレイン領域と、酸化シリコンを用いて、前記ゲート電極の側壁上に形成されたサイドウォールスペーサと、前記ゲート電極、サイドウォールスペーサを覆い、平坦化された表面を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の平坦化された表面から内部に向って形成された配線用凹部と、前記凹部を埋める、下地のバリア層とその上の銅領域を含む銅配線と、前記銅配線を覆って、前記層間絶縁膜上に形成された炭化シリコン層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子装置及びその製造方法に関し、エッチングストッパ膜となる絶縁膜に過度のダメージを与えることなく、塗布系の低誘電率膜との密着性をバラツキなく改善する。【解決手段】 基板９上に形成されたＳｉ−ＣＨ₂ −Ｓｉ構造を１０〜９０重量％含有するシリコンオキシカーバイドからなる第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１上に形成されたポーラスシリカ系の第２の絶縁膜３とを有し、第１の絶縁膜１と第２の絶縁膜３の界面において、第１の酸素４と二重結合している炭素５を介して、第１の珪素６と、第２の珪素７と結合した第２の酸素８とが連結された構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系絶縁膜との密着性向上が図られたＣＦ_ｘ膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜構造を提供する。
【解決手段】半導体装置の層間絶縁膜構造は、下側のＳｉ系絶縁膜と、上側のＳｉ系絶縁膜と、下側及び上側のＳｉ系絶縁膜に挟まれ、厚さ方向の中間のＦ組成ｘよりもＳｉ系絶縁膜との界面のＦ組成ｘが小さいＣＦ_ｘ絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】 配線上のコンタクトプラグを導通不良なく形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板上に配線を形成する工程と、配線上に第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、第２の膜上に第２の膜よりもエッチング耐性が低い材料によって第３の膜を形成する工程と、配線上の第２の膜上に第３の膜の端部を有し端部の膜厚と配線上の他部分の膜厚が異なる形状を有する領域を形成する工程と、第２の膜又は第３の膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、形状を有する領域において配線に接続するコンタクトプラグを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内及び上に形成された素子及び素子領域と、上方に形成される配線パターンとを電気的に絶縁するための絶縁膜を研削して平坦化する際に、その残存値の均一化を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された素子分離領域上に、ダミーのゲート電極を形成するとともに、前記半導体基板内に形成されたｎＭＯＳＦＥＴ領域及びｐＭＯＳＦＥＴ領域上において、前記ダミーのゲート電極の少なくとも一部を被覆するようにして第１のＳｉＮ応力膜及び第２のＳｉＮ応力膜を形成し、前記ダミーのゲート電極、前記第１のＳｉＮ応力膜及び前記第２のＳｉＮ応力膜で形成された凹部を埋設するようにして形成された絶縁膜を、前記第２のＳｉＮ応力膜をストッパーとして研削する。 （もっと読む）

【課題】複数層の絶縁膜に形成される同軸のコンタクトホールが各絶縁膜の境界を含む内壁面において滑らかなすり鉢状（順テーパ状）として信頼性よく形成される表示装置の提供。
【解決手段】第１の絶縁膜および第２の絶縁膜はシリコン窒化膜で構成され、 前記第１の絶縁膜は、バルク層と、前記バルク層の下層に設けられ前記バルク層よりもエッチングレートの小さな初期層とを備え、 前記第２の絶縁膜は、バルク層と、前記バルク層の上層に設けられ前記バルク層よりもエッチングレートの大きな後退層とを備え、 前記第１の絶縁膜の前記バルク層と前記第２の絶縁膜の前記バルク層とが前記コンタクトホールにおいて接触しており、 前記第１の絶縁膜の前記バルク層の応力をσ１、前記第２の絶縁膜の前記バルク層の応力をσ２とした場合に、 −１５０ＭＰａ ≦ σ２−σ１ ≦ ５５０ＭＰａの関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】電流駆動能力が高いＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、シリコン基板２の表面にＮＭＯＳ３を形成し、ＮＭＯＳ３のチャネル領域７の直上域に、内部に圧縮応力を有する圧縮応力膜８を設け、シリコン基板２上における少なくともチャネル領域７の直上域の周囲に、内部に引張応力を有する引張応力膜９を設ける。 （もっと読む）

【課題】
オーバーエッチングを大きくしても、問題発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。ｎチャネル電界効果トランジスタを覆って引張応力絶縁膜を、ｐチャネル電界効果トランジスタを覆って圧縮応力絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルシリサイド等の他の膜をエッチングすることなく、半導体装置に利用される側壁スペーサ膜等の薄膜を速やかに除去可能とする薄膜、及びその薄膜を用いた半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】
半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、この薄膜は、珪素、ゲルマニウム、および酸素を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性をプラズマにより成膜する技術及びそのバリア膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層の異常成長を防止する。
【解決手段】半導体基板１にゲート絶縁膜５、ゲート電極６ａ，６ｂ、ソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびｐ^＋型半導体領域８ｂを形成する。それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。そして、金属シリサイド層１３の表面を還元性ガスのプラズマで処理してから、半導体基板１を大気中にさらすことなく、金属シリサイド層１３上を含む半導体基板１上に窒化シリコンからなる絶縁膜２１をプラズマＣＶＤ法で堆積させる。 （もっと読む）

【課題】安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢＣＮ膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）