【課題】第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる２つの点とをカバーするように延び第１及び第２の領域に分ける分離領域であり、第１分離ガスで分離領域を第１及び第２の領域より高圧に維持可能な分離領域；第１分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第１及び第２の領域より高圧に制御する圧力制御部；第１の領域にて回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２の領域にて回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第１の領域を通して排気する第１排気口；及び第２反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第２の領域を通して排気する第２排気口を備える。 （もっと読む）

【課題】約２．６以下の誘電率を有する超低誘電率材料およびその作製する方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ原子、Ｃ原子、Ｏ原子およびＨ原子を含み、共有結合３次元ネットワーク構造を有し、２．６以下の誘電率を有する、熱的に安定な超低誘電率膜を提供する。この誘電率膜は、さらに、共有結合環状ネットワークを有することもできる。共有結合３次元ネットワーク構造は、Ｓｉ−Ｏ共有結合、Ｓｉ−Ｃ共有結合、Ｓｉ−Ｈ共有結合、Ｃ−Ｈ共有結合およびＣ−Ｃ共有結合を含み、必要ならＦおよびＮを含むこともできる。この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。この誘電率膜は、１．３マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒１０^−１０メートル以下の水中での亀裂成長速度を有する。さらに、ＢＥＯＬ絶縁体、キャップまたはハード・マスク層として本発明の誘電膜を含むバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】異なる基板に形成された電極同士を接合する場合、合わせずれが発生しても、電極抵抗の上昇や電流リーク等の発生を、層間容量を大きくせず防止する。
【解決手段】第１基板１１上の第１層間絶縁膜１２に形成された第１溝１３内に第１金属電極１５が埋め込まれた第１基板１１と、第２基板上の第２層間絶縁膜に形成された第２溝内に第２金属電極が埋め込まれた第２基板を用意し、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜、側のそれぞれに第１拡散防止層１６、第２拡散防止層、を形成する工程と、第１金属電極１５、第２金属電極、を対向して接合する際に、第１金属電極１５、第２金属電極、のそれぞれの形成領域内の第１拡散防止層１６、第２拡散防止層、のそれぞれに第１開口部１７、第２開口部、を形成する工程と、第１開口部１７、第２開口部、を対向させて熱処理を行い、第１金属電極１５、第２金属電極、を熱膨張によって接合させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板１上に複数のロジック用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ１と、複数のロジック用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ１と、複数のメモリ用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ２と、複数のメモリ用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ２とが混載されている。複数のロジック用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ１のうちの少なくとも一部は、シリコンゲルマニウムで構成されたソース・ドレイン領域を有し、複数のロジック用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ１の全ては、それぞれシリコンで構成されたソース・ドレイン領域を有している。複数のメモリ用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ２の全ては、それぞれシリコンで構成されたソース・ドレイン領域を有し、複数のメモリ用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ２の全ては、それぞれシリコンで構成されたソース・ドレイン領域を有している。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極間を埋め込む膜に吸湿性の高い膜を用いた半導体装置において、金属配線の信頼性劣化を防ぐ。
【解決手段】半導体装置５０は、基板１上に形成された複数のゲート電極２と、複数のゲート電極２上を含む基板上を覆う第１の層間絶縁膜５と、第１の層間絶縁膜５上を覆う第２の層間絶縁膜６と、第１の層間絶縁膜５及び第２の層間絶縁膜６を貫通し、それぞれ基板１上の所定箇所又は複数のゲート電極２のいずれか一つに達する複数のコンタクトプラグ７と、第２の層間絶縁膜６上に形成され、コンタクトプラグ７に接続された金属配線９を含む配線形成層８とを備える。第１の層間絶縁膜５は、少なくとも一つのゲート電極２上方に第１の凹部５ａを有すると共に、複数のゲート電極２及び基板１に接する下部膜３と、第１の凹部５ａ以外の部分において下部膜３上に配置された上部膜４とを有し、第１の凹部５ａ内に、第２の層間絶縁膜６が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜（第１の配線層間絶縁膜３）に配線形成用溝（第１層配線形成用溝２１）を形成する。配線形成用溝内にＣｕ配線（第１層配線４）を形成し、Ｃｕ配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Ｃｕ配線上及び配線層間絶縁膜上にＳｉ−Ｏ、Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ及びＣ−Ｈのうちの少なくとも何れか１つの結合を含む絶縁膜層（第１の有機ポリマー層６）を形成する。Ｃｕ配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Ｃｕ配線上にキャップメタル（第１のキャップメタル５）を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、埋込導体構造の密着性とＣｕ拡散防止能を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた絶縁膜に設けた埋込導体用の凹部内に埋め込まれたＣｕまたはＣｕを最大成分とする合金からなるＣｕ系埋込導体層と、前記凹部に露出する前記絶縁膜との間にＣｏを最大成分とするとともに、少なくともＭｎ、Ｏ及びＣを含むＣｏＭｎ系合金層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 キャップ膜、もしくはバリア膜として使用することが可能な膜を、形成するか形成しないかを選択することが可能となる成膜方法を提供すること。
【解決手段】 銅を使用している配線と絶縁膜とが表面に露出している基板に対してマンガン含有膜を成膜する成膜方法であって、銅を使用している配線上に、マンガン化合物を用いたＣＶＤ法を用いてマンガン含有膜を形成する工程（ステップ２）を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度のもとで、良質で、かつ、薄いシリコン酸化膜等を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステップ１では、半導体基板がモノシラン（ＳｉＨ₄）に暴露される。次に、ステップ２では、残存するモノシラン（ＳｉＨ₄）が排気される。そして、ステップ３では、半導体基板が亜酸化窒素プラズマに晒される。ステップ１〜３を１サイクルとして、必要とされる膜厚が得られるまでこのサイクルを繰り返すことで、所望のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が３以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。 （もっと読む）

【課題】実用上十分なエレクトロマイグレーション耐性及び動作速度を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１０上に、ポリシリコン膜２２０及びタングステン・シリサイド膜２１０をこの順に積層してポリサイド・ゲート電極２３０を形成する。ポリサイド・ゲート電極２３０を含む半導体基板１１０上に、Ｂ濃度が高濃度の下層ＢＰＳＧ膜１４０を第１の成膜速度ｖ１で形成する。下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。第２の成膜速度は前記第１の成膜速度未満である。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁膜を有する積層膜を形成する場合のスループットの向上等を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、少なくともトリメチルシリルアセチレンを原料ガスとして用いて、組成の異なる複数の絶縁膜３４、３６、３８、４０を有する積層膜及び組成の異なる複数の絶縁膜５６，５８，６０，６２を有する積層膜６４を、同一の反応室内において大気開放することなく連続的に形成する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なＡｌ配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を図ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、Ａｒガスを用いたスパッタリングによって純ＡｌまたはＡｌ合金を第１層として成膜する工程と、前記第１層の上層に、Ａｒ＋Ｎ₂混合ガスまたはＡｒ＋ＮＨ₃混合ガスを用いたスパッタリングによって、前記第１層の材料に加えて窒化アルミニウムも部分的に含む第２層を成膜する工程と、別途形成するコンタクトホールを介して透明膜電極と第１電極の前記第２層とを電気的に接続する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３に多孔質絶縁膜２を形成する工程（Ｓ１０１）と、多孔質絶縁膜２が形成された基板３をチャンバー１内に配置する工程（Ｓ１０２）と、基板３が配置されたチャンバー１内にシロキサンを投入するとともに基板３を第一の温度に昇温する工程（Ｓ１０３）と、投入されたシロキサンが付着した基板３を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程（Ｓ１０４）と、を含む。Ｓ１０３では、チャンバー１内の圧力を１ｋＰａ以下とする。また、第一の温度は、チャンバー１内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜２とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ−ＭｎＯｘをバリア膜に用いても歩留りの低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎ層以上の銅、又は銅合金配線４、８を有し、これらＮ層の銅、又は銅合金配線４、８のバリア膜としてＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜を使用する半導体装置の製造方法であって、第１層乃至第Ｎ−１層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜３は、セルフリミットがかかる前に成膜を完了させ、第Ｎ層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜７は、セルフリミットがかかるように成膜する。 （もっと読む）