【課題】従来はシールド線を部分的に切断又は剥離後、ＦＩＢ加工等や適当な手段で物理解析を阻害しない迂回経路でシールド線に再接続する、あるいは外部から導体路をバイパスとしてシールド線に接続し、検出機能を無効にするような不正手段には脆弱であった。
【解決手段】半導体装置上の保護すべき領域を覆うように配線されかつ始点から終点に至る経路を１つのみ有する少なくとも１つのシールド線５を形成し、信号発生器２よりシールド線５に電気信号を与え、シールド線５に与えられた電気信号の変化を捉えたことを検出信号として出力する複数の検出器３を前記電気信号の変化が順番に伝播するように分散配置し、前記検出信号は判定器４に出力した順番に入力され前記検出信号の出力結果と前記検出信号が出力した順番とに基づいてシールド線５の状態を判定し、不正検知信号Ａ１を出力することで、シールド線５の改竄を検出する保護回路を搭載する。 （もっと読む）

【課題】複数のＩ／Ｏバッファ間における相対的な差を測定し、Ｉ／Ｏバッファの複数信号の相対的な差が許容範囲にあれば正常な半導体集積デバイスと判定し、いままでは不良のデバイスであると判定されていたものを救済する。
【解決手段】半導体集積デバイスにおいて、ドライバ、複数のレシーバ、インバータによって発振回路を構成し、この発振回路の出力をクロック入力とする２個以上のカウンタと、カウント値を比較するコンパレータの比較結果により半導体集積デバイスの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出して、マスク解除信号に対する制御信号のセットアップ時間またはホールド時間のマージンを大きくする。
【解決手段】 モニタモード中に、通常より低い参照電位を受信回路に供給して伝送信号の論理レベルを判定することで、半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出する。検出したプロセス状態に応じて可変遅延回路を制御し、内部同期信号および外部同期信号の少なくともいずれかの遅延時間を調整する。これにより、内部同期信号に応じて生成されるマスク解除信号に対する半導体チップからの制御信号のセットアップ時間またはホールド時間を、半導体チップのプロセス状態に拘わらず一定にできる。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流モニタ、リーク電流モニタ方法、及び、半導体装置の製造方法に関し、複数種類のデバイス特性をできるかぎり同じ構造のモニタで評価する。
【解決手段】 形状或いはしきい値電圧の少なくとも一方が異なる複数種類のトランジスタを異なった領域に同じ間隔で配置するとともに、前記複数種類のトランジスタの内、設計データにおける設置頻度の比を反映した数のトランジスタのゲート電極同士、ソース電極同士、及び、ドレイン電極同士を電気的に共通に接続する。 （もっと読む）

【課題】モニタ回路によって消費される電力を抑制することが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、チップ内に配置され、チップ内の特性ばらつきを検出するメインモニタ回路と、チップ内に配置され、チップ内の特性ばらつきを検出するサブモニタ回路と、メインモニタ回路から出力された検出結果に応じた切替制御信号を生成するモニタ出力変化検出回路と、を備える。また、サブモニタ回路は、特性ばらつきの検出動作を行うか否かが前記切替制御信号に基づいて制御される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフト高圧トランジスタのゲートに接続される電源の電圧が高い場合にも低い場合にも弊害なく稼動するゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電圧の波形がパルス信号で制御されるレベルシフト高圧トランジスタと、該レベルシフト高圧トランジスタのゲートと電源を接続する抵抗と、該レベルシフト高圧トランジスタのドレインと接続され、該レベルシフト高圧トランジスタのドレイン電流に応じてゲート駆動信号を出力する高電圧回路と、該レベルシフト高圧トランジスタのソース及びゲートと接続され、該ドレイン電流が増大すると該抵抗を流れる電流を増大させるように構成されたカレントミラー回路と、該電源の電源電圧が低い場合は該抵抗の抵抗値を低減させ、該電源の電源電圧が高い場合は該抵抗の抵抗値を維持する抵抗調整手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置において、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に、適切にパッド数の増加を抑制する。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１１〜１３の直下部位には、当該半導体装置の特性を検査するための検査用配線３１〜３３が設けられており、検査用配線３１〜３３の一端側は、半導体基板１の一面に設けられた検査用パッド２０に導通し、検査用配線３１〜３３の他端側はボンディングパッド１１〜１３に導通している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減する。
【解決手段】内部回路（ＬＫ＃２）の内部ノードに対応して対応の内部ノードの信号をラッチする複数のラッチ回路（Ｆ１−Ｆ７）をテストパス（３０２）に配置する。内部回路のＭＩＳトランジスタは、ラッチ回路のＭＩＳトランジスタよりスタンバイ状態時にゲートトンネル電流が低減される状態に設定される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ領域内へのクラック伝播を抑制でき新規な構造を持つ金属リングを有する半導体ウエハを提供する。
【解決手段】半導体ウエハは、半導体素子が形成された第１半導体チップ領域と、半導体素子が形成された第２半導体チップ領域と、第１半導体チップ領域と第２半導体チップ領域との間に挟まれたスクライブ領域とを有し、第１半導体チップ領域は、第１半導体チップ領域に形成された半導体素子を囲む金属リングを含み、金属リングは、下側金属層と下側金属層上に重なる上側金属層とを含む複数の金属層で形成され、上側金属層の第１半導体チップ領域外側の側面が、下側金属層の外側の側面と揃っているか、または、下側金属層の外側の側面に対して第１半導体チップ領域内側に位置しているように、下側金属層上に上側金属層が重なっている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを切り出す際に生じるばりによる半導体装置の歩留まりの低下及び信頼性の低下を防止し且つ半導体チップの取り数を向上させることができるようにする。
【解決手段】上面に複数のボンディングパッド１４と複数の検査用パッドのパッド断片１９とが形成された平面方形状の半導体チップにおいて、複数のパッド断片１９は半導体チップの４辺のうちの対向する２辺に沿って形成されている。複数のボンディングパッド１４は異なる２辺に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造時に発生する不具合を減少しつつ、回路面積を縮小可能なチップレイアウトを設計する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。ヴィアチェーンは、第１パッド１及び第２パッド２が接続される第１配線４と、一端が第１配線４に接続され、他端が第３パッド３に接続された、抵抗測定対象となるヴィア又はコンタクト６とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の設計ＴＡＴの増大を防止する。
【解決手段】レイアウト設計装置は、パッケージに起因して半導体チップに加わるパッケージ応力の応力値の分布を示す応力分布データを読み込む応力分布データ読込み手段３と、半導体チップのチップレイアウトデータから素子レイアウトデータを抽出する素子レイアウトデータ獲得手段７と、半導体チップに搭載される各素子について応力値と素子の特性変動の関係を示した検量線データを保持する検量線データ保持部９と、応力分布データ、素子レイアウトデータ及び検量線データに基づいて各素子についてパッケージ応力による素子特性変動を算出する素子特性変動計算手段１１と、素子特性変動を打ち消すように素子レイアウトデータを補正する素子レイアウト補正手段１３と、補正後素子レイアウトデータを用いてチップレイアウトデータを補正するチップレイアウト補正手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】内部の電圧変化を原因とする不具合が発生した場合であっても、その不具合の原因特定を容易にする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の構成として、測定対象信号の伝播速度を測定する伝播速度測定部と、前記伝播速度の測定結果を基に電圧変化が発生したか否かを判断する電圧変化判断部とを備え、前記電圧変化判断部は、前記電圧変化が発生したと判断した場合、前記電圧変化の発生履歴を内部或いは外部に設けられた記憶部に保存する、という構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】特定のモニタ回路が動作不良であったり、モニタ回路内のリングオシレータを構成する一部の素子の特性に異常があったりした場合、最も動作速度の遅いモニタの結果に基づいて電圧制御をおこなうと、必要電圧を過大に見積もる恐れがある。その結果、消費電力の増加を招き、また、複数モニタの検出結果の平均値をとる際にも精度が低下する。
【解決手段】複数のモニタ回路を設け、それらの検出結果の内、所定の範囲から外れたものについては検出結果を無視して残りのモニタ結果の平均値を最終的なモニタ検出値とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性と配線系における配線負荷の特性とを高精度で分離でき、配線負荷に大きな影響を及ぼす層間絶縁膜等の特性を評価できる技術を提供することである。
【解決手段】（２ｋ＋１：ｋは１以上の整数）個のインバータを具備したリング発振回路を有してなり、隣接するインバータの間に、各々、同一インピーダンス値の負荷回路が設けられてなる半導体集積回路用テスト回路。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ故障検出用の追加的なテストパタンを用いることなくブリッジ故障の検出を可能とし、また、ブリッジ故障の検出漏れを減らす。
【解決手段】スキャンチェインのシフト操作によってスキャンチェインに入力論理値を伝播させる。次に、クロック線にクロックパルスを入力することによって、入力論理値をスキャンチェインから組合せ回路に供給する。続いて、クロック線の電位を所定の電位に固定した状態で半導体装置の電源電流を測定することによって、クロック線と組合せ回路内の信号線との間のブリッジ故障を検出する。さらに続いて、クロック線にクロックパルスを入力することによって、スキャンチェインに出力論理値を伝播させる。最後に、出力論理値を観測することによって、組合せ回路内における縮退故障又はブリッジ故障の発生を検出する。 （もっと読む）

【課題】制御信号の系統を整理して、不定信号伝播防止回路等の検討漏れの危険性を回避し、さらに、自動化ツールへの搭載へ向けた検討を容易にし、また、チップ内部での電源遮断制御を容易化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置において、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩごとに電源遮断の優先順を設け、優先順の高い回路がＯＮしている場合にはそれより優先順の低い電源領域はＯＦＦにできないという規則を設けて、設計方法の容易化を図る。また、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩ内において、さらに別の電源を印加できる領域を設け、その領域に中継バッファ（リピータ）やクロックバッファ、情報退避用の情報保持ラッチを集積する。レイアウト上は、電源線の電流を分散させる目的でセルがロウ方向に並ぶ方向と垂直な方向にまとめてレイアウトすればよい。 （もっと読む）

【課題】切断したヒューズ素子の再癒着等があってもシステムの安全性が確保できる信頼性の高い半導体装置及びヒューズ回路の状態判定方法を提供する。
【解決手段】導通または非導通にそれぞれ設定可能な複数のヒューズ素子と、複数のヒューズ素子にそれぞれ接続され複数のヒューズ素子が導通または非導通のいずれの状態であるかをそれぞれ読み出す読出し回路と、読出し回路に接続され、複数のヒューズ素子の導通、非導通の状態を判定して１ビットのデータとして出力するデータ出力回路と、読出し回路に接続され、複数のヒューズ素子が一致して導通または非導通の状態にあるか否かをモニタする状態モニタ回路と、を含むヒューズ回路を備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する端子間にサージ電圧が印加された場合に、隣接する端子の間に接続された回路素子をサージ電圧による静電破壊から保護すると共に過電圧保護回路の回路規模を削減する。
【解決手段】半導体集積回路２００は、端子Ｐ０〜Ｐ１４、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭＮ０〜ＭＮ１５、保護ダイオード回路ＨＤ１、ＨＤ３、ＨＤ５、ＨＤ７、ＨＤ９、ＨＤ１１、ＨＤ１３、電池放電用ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ１４、電池電圧検出制御回路１０、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭＰ１１〜ＭＰ１７を含んで構成される。ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭＮ１〜ＭＮ１４は、端子Ｐ０〜Ｐ１４の隣接する各端子間にそれぞれ接続される。ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭＰ１１〜ＭＰ１７は、２つのセルに１個ずつ設けられている。 （もっと読む）

【課題】テストパッドの数を減らすことができ、かつウェハ状態で各トランジスタを個別にテストすることができる半導体ウェハを得る。
【解決手段】半導体ウェハ１内に複数の半導体装置２が行列状に配置されている。複数の半導体装置２を分離するためのダイシングライン３が設けられている。各半導体装置２は、複数のトランジスタ４を含む。複数のトランジスタ４のコレクタ（第１端子）に、それぞれ個別に複数のテストパッド５（第１テストパッド）が接続されている。複数のトランジスタ４のエミッタ（第２端子）に接地電極１１が共通に接続されている。複数のトランジスタ４のベース（制御端子）に、ダイシングライン３内を通る配線６を介して、共通にテストパッド７（第２テストパッド）が接続されている。 （もっと読む）