【課題】異物の種類によらずに高効率で異物の存在を検査しうる異物検出用パターン、並びにこのような異物検出用パターンを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、複数の角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】保護対象の回路ブロックの上に配置された導電パターンに加えられた改変の検出精度を向上するための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板に配置された回路ブロックと、回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置された導電パターンと、導電パターンの第１部分の電位を基準電位にリセットするリセット部と、第１部分を電流供給ラインに接続する接続部と、第１部分の電位を基準電位にリセットした後に第１部分を電流供給ラインに接続してから一定時間経過後の第１部分の電圧が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、一定時間経過後の電圧が事前に設定された範囲に含まれない場合に導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有する半導体集積回路装置が提供される。第１部分の電圧の変化は、導電パターンの回路定数に依存する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表側に配置された回路が半導体基板の裏側から解析されることを検出する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】回路ブロックが配置された第１面と、第１面の反対側の第２面とを有する半導体基板と、半導体基板を搭載する実装基板と、実装基板のうち、回路ブロックの保護対象の部分と重なる領域に配置された導電パターンと、導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有する半導体集積回路装置が提供される。半導体基板の第２面と実装基板とが対向するように、半導体基板が実装基板に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力を増大させずにオンチップでＨＥＭＴの動作状況をモニターする。
【解決手段】
この半導体装置１０においては、第１の半導体層である電子走行層１１上に、第２の半導体層である電子供給層１２が形成されている。これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。この半導体装置１０において、電子は、電子供給層１２の表面に形成された第１の主電極であるソース電極１４と、同様にこの表面に形成された第２の主電極であるドレイン電極１５との間を、この２ＤＥＧ層１３を通って流れる。ゲート電極１６とソース電極１４との間の電子供給層１２上に電位検出電極１７が設置される。この電位検出電極１７には、動作時にこの電位検出電極１７に流れる電流がドレイン電流と比べて無視できる程度となるような、充分に高い抵抗値をもつ抵抗１８が接続される。 （もっと読む）

【課題】ゲインａ、およびオフセットｂの変動を動的に補正することで、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能な電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】
同一半導体チップ上に、トランジスタ４と、電流−電圧変換回路２２とＡＤコンバータ２３とを有する。参照電流生成回路６は、負荷２の電流に電流パルスＩｃを重畳して、ＡＤコンバータが出力する電圧デジタル値を変動させる。ゲインオフセット補正部８は、参照電流生成回路６による電圧デジタル値の変動を信号処理して、ＡＤコンバータ２３が出力する電圧デジタル値と負荷の電流デジタル値の線形関係式におけるゲインａ及びオフセットｂを動的に取得する。電流デジタル値演算部１２は、ゲインオフセット補正部８により取得されたゲイン及びオフセットを用いて、ＡＤコンバータが出力する電圧値を補正する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電源遮断（パワーゲーティング）を適用する際に、待機モード時の出力が一意に定まらない場合がある。そのような場合には、複数のバッファ電源線と複数の電源セレクタを用意することでパワーゲーティングを適用する。しかし、このような方法では回路面積が増加してしまうという問題がある。
【解決手段】そこで、パワーゲーティングを適用した回路が非活性状態から活性状態に復帰する際のタイミングを半導体装置に発行されたコマンド、又はサブ電源線が復帰電圧の監視、に基づいて定めることとする。 （もっと読む）

【課題】不良箇所を容易に特定し得る半導体装置及びその形成方法並びにその設計方法を提供する。
【解決手段】配線パターン３２ａと、ダミーパターン３２ｂと、一方の端部が配線パターンに電気的に接続され、他方の端部がダミーパターンに電気的に接続されたヒューズ３２ｃとを有している。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の層間における剥離の有無を簡便な手法で検出できるようにする。
【解決手段】第１電極４１２は多層配線層２０に形成されている。第２電極４２２は、絶縁膜２２の一部を介して第１電極４１２と対向している。第１電極パッド４３０は第１電極４１２に接続している。第２電極パッド４３２は第２電極４２２に接続している。そして少なくとも２層以上の絶縁膜２２のそれぞれが、第１電極４１２及び第２電極４２２に挟まれている。そして第１電極４１２及び第２電極４２２により、センサ４０の少なくとも一部が形成されている。センサ４０は、多層配線層２０の層間における剥離の有無を検出するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】集積回路を有するウェーハの無線試験を行うためのウェーハ上に形成された試験回路を含む装置および方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１６の外部にある試験ユニット１２、および集積回路を含むウェーハ上に製造された少なくとも1つの試験回路１４を含む。試験ユニット１２は、RF信号を送信し、試験回路１４に電力を供給する。試験回路１４は、可変リング発振器を含み、集積回路の公称動作周波数での一連のパラメータ試験を実行し、試験結果を分析のために試験ユニット１２に送信する。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧパターンより上の層を除去しなくてもＴＥＧパターンを用いた検査を行うことができるようにする。
【解決手段】複数の配線層２００，３００，４００は第１ＴＥＧパターン３０の上に形成されている。複数の配線層２００，３００，４００には、それぞれ配線２４２，３４２，４４２及び複数のダミーパターン２２４，３２４，４２４が形成されている。電極パッド４４４は、最上層の配線層４００に形成されている。そして平面視において、第１ＴＥＧパターン３０は、いずれの配線２４２，３４２，４４２及びダミーパターン２２４，３２４，４２４にも重なっていない。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された半導体集積回路の、特にプローブ検査時間を短縮することができる検査工程を提供する。
【解決手段】 検査対象となる半導体基板には、半導体集積回路本体を含む回路領域２ａと、それに隣接するスクライブエリアにＴＥＧ３ａが形成され、回路領域２ａには第１パッド電極５ａ、５ｂの列が、またＴＥＧ３ａには第２パッド電極６の列が設けられる。ここでＴＥＧ３ａに隣接している方の第１パッド電極５ａが第２のパッド電極６に対向しないように配置される。このような状態の第１パッド電極５ａ、５ｂおよび第２パッド電極６にプローブ針８ａ、８ｂ、９を接触させて半導体集積回路の検査とＴＥＧの測定とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩの全体動作のパフォーマンス低下を抑えながら各ブロックに対する電源供給の制御を行うことができ、且つＬＳＩ内部のパワースイッチの故障を検出することが可能な半導体装置及び半導体テスト方法を提供することを目的としている。
【解決手段】機能毎に分割されたブロックに対する電源の供給と遮断を制御する半導体装置であって、前記ブロックに供給される電源電圧と当該半導体装置全体に供給される電源電圧とを比較する電圧比較手段と、前記電圧比較手段の出力の変化により、前記ブロックに供給される電源電圧の変化時間を計測する計測手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低電位領域と高電位の配線が交差することの無い優れた耐圧性能を示す半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ロジック回路（５０１）と、ロジック回路からの制御信号に従い低電位側パワー素子を駆動する低電位側駆動回路（５０２）と、ロジック回路からの制御信号がレベルシフト回路を介して入力され、高電位側パワー素子（５０６）を駆動する高電位側駆動回路（５０５）と、複数に重なったトレンチ分離領域により、前記高電位側パワー素子を含む高電位島を分離する多重トレンチ分離領域（５０８）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を削減する。
【解決手段】回路動作スケジュール補正部１４が、回路動作スケジュールを入力し、複数の回路動作期間を連続するように、回路動作期間の開始時刻または終了時刻を補正し、電源スイッチ制御部１５が、補正された回路動作スケジュールにしたがって、回路１１へ電源を供給するか否かを切り替える電源スイッチ１２をオンまたはオフすることで、電源スイッチ１２の動作回数が減少し、電源スイッチ１２をオフからオンする際の、電源復帰時のエネルギー損失が減少し、消費電力が低減される。 （もっと読む）

【課題】複数の集積回路層が厚さ方向に積層されて成る半導体集積回路装置の層間接続不良の有無を、一層積層する毎に短時間で検査することが可能な検査方法及び半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】互いに積層される集積回路層１０及び２０に、複数の検査用整流素子部１５及び２５をそれぞれ形成する。複数の検査用整流素子部１５（２５）は、複数の接続用端子１４（２４）のそれぞれと正電源配線１３ａ（２３ａ）及び接地配線１３ｂ（２３ｂ）との間に接続され、整流素子１５ａ，１５ｂ（２５ａ，２５ｂ）を含み電流により発光する。複数の接続用端子１４及び２４を互いに電気的に接続したのち、正電源配線１３ａ（又は接地配線１３ｂ）と接地配線２３ｂ（又は正電源配線２３ａ）との間にバイアス電圧を印加し、検査用整流素子部１５又は２５の発光に基づいて、接続用端子１４及び２４の接続状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】複数の集積回路層が厚さ方向に積層されて成る半導体集積回路装置の層間接続不良の有無を、一層積層する毎に短時間で検査することが可能な検査方法及び半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】互いに積層される集積回路層１０及び２０に、複数の検査用整流素子部１５及び２５をそれぞれ形成する。複数の検査用整流素子部１５（２５）は、複数の接続用端子１４（２４）のそれぞれと正電源配線１３ａ（２３ａ）及び接地配線１３ｂ（２３ｂ）との間に接続され、整流素子１５ａ，１５ｂ（２５ａ，２５ｂ）を含み電流により発光する。複数の接続用端子１４及び２４を互いに電気的に接続したのち、正電源配線１３ａ（又は接地配線１３ｂ）と接地配線２３ｂ（又は正電源配線２３ａ）との間にバイアス電圧を印加し、検査用整流素子部２５の発光に基づいて、接続用端子１４及び２４の接続状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング処理に起因する、チップ用パッド同士のショートを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と複数の第１のパッドと、複数の第２のパッドとを備える半導体装置であり、第１のパッドは素子形成領域ＩＭＣ内に、第２のパッドは素子形成領域ＩＭＣを取り囲むダイシングライン領域ＤＬＲ内に形成される。ダイシングライン領域ＤＬＲには、第２のパッド同士が電気的短絡を生じさせやすい第１の領域ＳＬＲと、第２のパッド同士が電気的短絡を生じさせにくい第２の領域ＳＵＲとを有している。第１の領域ＳＬＲに対向する位置に配置された一部の第１のパッドは、第２の領域ＳＵＲに対向する位置に配置された残りの第１のパッドよりも、素子形成領域ＩＭＣの外縁の１辺ＢＤＬから離れて配置されている。 （もっと読む）

【課題】制御信号の系統を整理して、不定信号伝播防止回路等の検討漏れの危険性を回避し、さらに、自動化ツールへの搭載へ向けた検討を容易にし、また、チップ内部での電源遮断制御を容易化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置において、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩごとに電源遮断の優先順を設け、優先順の高い回路がＯＮしている場合にはそれより優先順の低い電源領域はＯＦＦにできないという規則を設けて、設計方法の容易化を図る。また、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩ内において、さらに別の電源を印加できる領域を設け、その領域に中継バッファ（リピータ）やクロックバッファ、情報退避用の情報保持ラッチを集積する。レイアウト上は、電源線の電流を分散させる目的でセルがロウ方向に並ぶ方向と垂直な方向にまとめてレイアウトすればよい。 （もっと読む）

【課題】電流値だけでなく電流の流れる向きまで検出できる電流検出回路およびそれを有するインバータ回路が備えられる半導体装置を提供する。
【解決手段】下アーム１０ｂ、１０ｄ、１０ｆのＩＧＢＴ１１ｂ、１１ｄ、１１ｆおよびＦＷＤ１２ｂ、１２ｄ、１２ｆに対してセンス素子を備えると共に、各センス素子に対して電流検出抵抗１８ａ〜１８ｆが直列接続させる。これにより、各センス素子および電流検出抵抗１８ａ〜１８ｆに基づいて、具体的には第１電位および第２電位を検出することにより、各相の電流経路に流れる電流の電流値の絶対値および向きを検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】演算処理や電力消費を増大させることなく、温度特性が安定する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】高周波信号を処理する半導体装置１であって、高周波信号を処理する複数の素子２〜８が形成された半導体基板を備え、半導体基板には、複数の素子２〜８のうち温度に応じて特性が変化する特定の素子２，３，５〜８に隣接して該特定の素子２，３，５〜８を加熱する発熱素子９Ａ〜Ｆが形成されている。 （もっと読む）