【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラッチ型メモリが搭載されたＣＰＵを動作させるに際して、処理内容に応じて常時記憶方式と終了時記憶方式のいずれかを選択し、ラッチ型メモリが搭載されたＣＰＵの消費電力を低減する。
【解決手段】ラッチ型メモリが搭載されたＣＰＵを動作させるに際して、電源のオンオフの繰り返し動作が多い場合には常時記憶方式とし、電源のオンオフの繰り返し動作が少ない場合には終了時記憶方式とする。常時記憶方式と終了時記憶方式のどちらを選択するかは、消費電力に応じて決定したしきい値をもとにして決定する。 （もっと読む）

【課題】配線層とビア層との剥離箇所を簡単に特定できる技術を提供する。
【解決手段】第１層配線層のパターンの導体部は、所定の方向Ｘに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Ｘに交差する所定の方向Ｙに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、第２層配線層のパターンの導体部は、所定の方向Ｘに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Ｘに交差する所定の方向Ｙに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記方向Ｘ（方向Ｙ）に沿って設けられた第１層配線層と第２層配線層とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、第１層配線層と第２層配線層とは、両方向ともに平面視において共通する或る位置において、電気的に接続し一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の入力端子数よりも少ない端子数のテスタを用いて半導体集積回路装置のテストを行うテスト方法を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路装置のテスト方法は、半導体集積回路装置の複数の入力端子とテスタからのテスト信号を受信するテスタ端子とを、多対１に電気的に接続するテストボードを介して、該テスタから該半導体集積回路装置に所定のテストパタン信号を送信する工程と、前記半導体集積回路装置の出力端子から出力された出力信号と、前記所定のテストパタン信号に対応する期待値とを比較して、前記半導体集積回路装置の良否を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハーテストにおいて、キャリブレーション動作の評価を、容易、かつ高精度に行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション端子ＺＱを駆動するレプリカバッファ（１３１）と、レプリカバッファの出力インピーダンスを変化させる際に目標となるインピーダンスが設定され、キャリブレーション端子ＺＱに接続される可変インピーダンス回路（１７０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不良回路ブロックを特定する時間を短くでき、また、各回路ブロックの信頼性加速試験での特性劣化を精度良く測定できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の回路ブロックＢ１、Ｂ２、・・・Ｂｎと、複数の回路ブロックに対応し、回路ブロックと電源端子２との接続を制御する複数のスイッチ回路Ｓａ１、Ｓａ２、・・・Ｓａｎと、複数のスイッチ回路に対応し、スイッチ回路へ回路ブロック選択信号を出力する複数のフリップフロップ回路ＤＦＦ１、ＤＦＦ２、・・・ＤＦＦｎとを備え、複数のフリップフロップ回路は、シフトレジスタ回路を構成し、外部信号の入力に基づいて、２以上のスイッチ回路を選択して回路ブロック選択信号を出力し、当該回路ブロック選択信号を入力された２以上のスイッチ回路は、当該２以上のスイッチ回路それぞれに対応する回路ブロックと電源端子とを接続する半導体集積回路１００。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程での誤判定を受けにくい半導体チップおよび半導体ウェハを提供する。更に、配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程で誤判定を受けにくい半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】電極パッド領域は、絶縁膜（７）上で一列に配列されたｎ個（ｎ≧３）の電極パッド（４_ｍ−４から４_ｍ＋４）を備える。内部セル領域は、電極パッド領域側に配列されている半導体回路（３_ｌ−３から３_ｌ＋３）にそれぞれ接続された配線（ＶＤＤＬ）をｎ個の電極パッドの配列方向に備える。ｎ個の電極パッドの内、第１の電極パッド（４_ｍ−１）と、第１の電極パッドから１個の電極パッドを隔てた第２の電極パッド（４_ｍ＋１）とが、絶縁膜中で互いに接続され、かつ、配線Ｌ_ｍ−１およびＬ_ｍ＋１によって、配線（ＶＤＤＬ）にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に半導体素子と内部回路とが設けられた半導体装置において、半導体素子及び内部回路の各温度を検出するセンサを効率的に配置してレイアウトの自由度を高めることができ、且つ半導体素子及び内部回路の各温度をより正確に検出し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板５の一方面側に、スイッチング素子２０と、このスイッチング素子２０の配置領域から距離を隔てて内部回路３０が配置されている。また、スイッチング素子２０に隣接して、周囲に第１絶縁膜２７が形成された第１温度検出素子２４が設けられている。さらに、内部回路３０よりもスイッチング素子２０に近い側に、周囲に第２絶縁膜２８が形成された第２温度検出素子２５が設けられている。そして、第２絶縁膜２８の厚さが第１絶縁膜２７の厚さよりも大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ積層後に、チップごとにクラックの有無検出可能な半導体装置の提供。
【解決手段】積層半導体装置において、半導体チップ２１〜２４は、基板１０とこの表裏面の対向する位置に形成した対のテスト端子と配線６１を備える。これらは、一対の（表側）第１のテスト端子６２１ｈ、（裏側）第１のテスト端子６２１ｔ及び複数対の（表側）第２のテスト端子６２２〜６２５ｈ、（裏側）第２のテスト端子６２２〜６２５ｔで、貫通電極ＴＳＶＴ１が（表側）第１のテスト端子と（裏側）第１のテスト端子を接続し、貫通電極ＴＳＶＴ２〜５が対の（表側）第２のテスト端子と（裏側）第２のテスト端子同士を接続し、配線は、一端が第１のテスト端子と、他端が第２のテスト端子の一つに接続され、基板の外周に沿って延びる。また異なる半導体チップの上下に隣接する第２のテスト端子同士も接続する。 （もっと読む）

【課題】温度に対し高精度なリファレンス電圧の発生を実現する。
【解決手段】ダイオード接続されたトランジスタのベース−エミッタ間電圧を用いた、温度に対して負の特性を持つ電圧に、絶対温度に比例する正の特性を持つ電圧を加えて１次の温度補償を行うとともに、さらに前記トランジスタのベース−エミッタ間電圧に含まれる例えば２次の温度特性成分を打ち消す温度補償信号を発生するＮ次温度補償信号発生回路１０５を設け、ベース−エミッタ間電圧に、Ｎ次温度補償信号発生回路１０５からの温度補償信号Ｖｃｏｍｐを加えることにより、ベース−エミッタ間電圧に含まれる２次の温度特性成分による変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】熱処理機構を用いて基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置において、前記熱処理機構の温度を簡易な方法で適切に校正する。
【解決手段】温度校正装置の温度検査治具１０は、熱処理板上に載置される被処理ウェハ７０と、被処理ウェハ７０上に設けられた複数のホイートストンブリッジ回路７１とを有している。ホイートストンブリッジ回路７１は、温度変化に応じて抵抗値が変化する４つの測温抵抗体７２と、接触子４１が接触する４つのコンタクトパッド７３と有している。温度校正装置の制御部では、ホイートストンブリッジ回路７１が平衡状態となるように、すなわちホイートストンブリッジ回路７１のオフセット電圧がゼロになるように、熱処理板の温度を調節する。 （もっと読む）

【課題】監視対象の素子の破壊を直接的に検知することを可能にする。
【解決手段】監視対象の半導体素子近傍にモニタ用配線を敷設する一方、所定のクロックを出力するクロック出力手段を当該モニタ用配線の一端に接続し、同モニタ用配線の他端に監視手段を接続する。そして、クロック出力手段からモニタ用配線へ出力されるクロックを伝播を監視手段に監視させ、クロックの伝播が途絶えたことを検出した場合に、監視対象の半導体素子の破壊が生じた旨を通知する破壊通知信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】電源線との接続／遮断が切替制御される接続／遮断領域回路を有する半導体装置において、電源線との接続を行う際、突入電流により電源線に急激な電圧降下が生じ、動作中の他の回路が誤動作を起こす問題を解決する。
【解決手段】第１の内部配線と、電源線と第１の内部配線の接続／遮断を切り替える第１のスイッチと、第１の内部配線と接続／遮断領域回路の接続／遮断を切り替える第２のスイッチと、容量素子と、第１の内部配線と容量素子の接続／遮断を切り替える第３のスイッチを備え、接続／遮断領域回路への電源供給を立ち上げる場合、第１のスイッチを遮断し、容量素子の電荷を接続／遮断領域回路に接続された第２の内部配線に供給して閾値電位まで充電した後に、第１のスイッチを接続して、電源線により第２の内部配線を電源線の電位まで充電させる。 （もっと読む）

【課題】温度検出回路と絶縁素子とを同一の基板上に形成できるようにし、装置全体の小型化を容易にする温度検出装置を提供する。
【解決手段】温度検出回路２００は、温度センサ３５で検出された温度をデジタル値に変換するＡＤ変換回路４４とデジタル比較回路４５を備えている。デジタル比較回路４５の出力は、第１パルス発生器５２、第２パルス発生器５３を経由して絶縁トランス回路１０１に入力される。絶縁トランス回路１０１で発生する誘導電流によりパルス信号が信号復調回路１０２に伝達される。また、温度センサ３５で検出された温度が限界温度を越えたときにコンパレータ４９からパルス信号が生成され、同様に、信号復調回路１０２に伝達される。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧによる検査結果を容易に確認できるようにしつつ、ＴＥＧの占有面積を小さくする。
【解決手段】ＴＥＧ群３００は、第１テスト用パッド３１０、第２テスト用パッド３１２、及び複数のＴＥＧ（例えば第１ＴＥＧ３２０、第２ＴＥＧ３４０、及び第３ＴＥＧ３６０）を有している。複数のＴＥＧは、電気回路上、第１テスト用パッド３１０と第２テスト用パッド３１２の間に位置し、互いに直列又は並列に配置されており、かつ平面視で互いに重なっていない。本実施形態において、ＴＥＧ群３００を構成するＴＥＧは、ＯＢＲＩＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）用のＴＥＧである。 （もっと読む）

【課題】実システム動作中に電源状態を監視できる手段を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、発振器１４と、電源電圧に応じて発振周波数が変化するリング発振器１１と、発振器１４の信号に基づいて、所定の判定期間を計測するインターバルタイマ１３と、判定期間にリング発振器１１が発振する発振周波数を測定する周波数測定用カウンタ１２と、発振周波数の上限値と下限値とを保持する不揮発性メモリ１５と、カウンタが測定した発振周波数が、不揮発性メモリ１５が保持する上限電圧／下限電圧の判定コードの範囲内であるかを判定し、判定結果を出力する電圧判定回路１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ドライバの故障による出力異常を救済することが可能な故障検出救済回路を含んだ半導体装置を提供すること。
【解決手段】故障検知部１は、ドライバ１０の出力の期待電位の逆電位となるようにドライバ１０の出力にプルアップ抵抗１５またはプルダウン抵抗１８を接続し、ドライバ１０の入力電位と出力電位とを比較することによりドライバ１０の故障を検出する。故障救済部２は、故障検知部１によってドライバ１０の故障が検出された場合に、期待電位と同電位となるようにドライバ１０の出力にプルアップ抵抗２６またはプルダウン抵抗２９を接続してドライバ１０の故障を救済する。したがって、ドライバ１０の故障による出力異常を救済することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】内蔵された回路の状態を確認する機能を備えた半導体集積回路を更に小型化することができる技術を提供
【解決手段】半導体集積回路１では、コアＬＳＩ１１と周辺ＬＳＩ１２との間の内部配線ＷＩが異常であると判定回路１５が判定すると、判定回路１５は、リングオシレータ１６Ａを発振させることを指示する情報（第１発振指示情報）をリングオシレータ制御部１７へ出力する。そしてリングオシレータ制御部１７が第１発振指示情報を取得すると、リングオシレータ制御部１７が、発振周波数ｆ１で発振するように構成されたリングオシレータ１６Ａを発振させる。そして、半導体集積回路１内で発生している磁界を近磁界プローブで測定し、発振周波数ｆ１で大きさが変動する磁界を検出した場合に、リングオシレータ１６Ａが動作していると判断することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１状態と第２状態との二つの状態のうち、第１状態に初期化し、初期化した第１状態に対応する電位の信号を生成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、“０”（第１状態）と“１”（第２状態）との二つの状態のうち、“０”に初期化し、初期化した“０”に対応する電位の信号Ａを生成することが可能な半導体装置１０である。半導体装置１０は、並列に複数接続され、“０”と“１”との二つの状態を保持することが可能なフリップフロップ回路２と、複数のフリップフロップ回路２と接続し、複数のフリップフロップ回路２のうち、少なくとも一つのフリップフロップ回路２で保持する状態が“０”の場合、“０”に対応する電位の信号を生成し、出力するＡＮＤ回路３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 集積回路における時間的に変動するばらつきを検出する回路を提供する。
【解決手段】 集積回路内に検出回路１００、演算回路１０１、ばらつき/電圧変換回路１１３とを設ける。検出回路１００において集積回路の特性ばらつきを検出回路１００の出力信号の発振周波数として検出する。演算回路１０１では、タイマ１０６にて規定した時間間隔毎に検出したばらつき情報をレジスタ１１１に格納し、統計演算回路１１２にて統計処理を施し、集積回路の時間的に変動する特性ばらつきを検出する。更に、ばらつき／電圧変換回路１１３は、検出された特性ばらつきに対応した電圧情報に変換する。 （もっと読む）