【課題】暗輝度を引き下げることで、コントラスト比が高く、また、高精細な表示装置とすることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光波長が異なる複数の発光素子と、発光素子が載置される複数の凹部を有する基体と、各凹部内に設けられる封止部材と、を有する発光装置であって、凹部は互いに離間するとともに、発光素子の発光波長と同系色の着色部材を含有する封止部材が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の上に設けられる第１導電型の第１導電型層と、第１導電型層の上に設けられ、光を発する活性層１６と、活性層１６の上に設けられ、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層と、第１導電型層の表面の一部に接する第１電極と、第２導電型層の表面の一部に接する第２電極とを備え、第１電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第１導電型層の表面とは異なる第１導電型層の表面に接し、第２電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第２導電型層の表面とは異なる第２導電型層の表面に接する。 （もっと読む）

【課題】発光層内部での光吸収が低減され、上方への光反射率が高められた発光素子を提供する。
【解決手段】第１の反射器４０を有する支持体８と、第１および第２の発光部６０ａ，６０ｂと、第２の反射器６４と、を備えた発光素子が提供される。第１および第２の発光部は、前記支持体の上に設けられ、発光層２２ａ，２２ｂを有し、前記発光層からの放出光のうち下方に向かう光が前記第１の反射器により上方に向かって反射可能とされている。第２の反射器は、前記第１および第２の発光部の間に挟まれ前記支持体の上に設けられ、かつ下方に向かって拡幅する断面形状を有し、側面に設けられた側面金属層６４ａを有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造によって、局在プラズモン共鳴現象により所望のスペクトル特性を得ることが可能となる半導体発光素子等を提供する。
【解決手段】基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、
前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、
前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】被照明領域における光強度の均一化を図ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０００では、発光素子１００は、第１ロッドインテグレーター２０に入射する第１光および第２光と、第２ロッドインテグレーター３０に入射する第３光および第４光と、を出射し、第１ロッドインテグレーター２０は、第１光および第２光が入射する第１入射面２２と、第１光および第２光の伝播方向を変える第１屈曲部２３と、第１光と第２光とが混合された光を所定の領域に向けて射出する第１射出面２４と、を有し、第２ロッドインテグレーターは、第３光および第４光が入射する第２入射面３２と、第３光および第４光の伝播方向を変える第２屈曲部３３と、第３光と第４光とが混合された光を所定の領域に向けて射出する第２射出面３４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるＡｌＧａＡｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する
【解決手段】本発明のＡｌＧａＡｓ基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）と、裏面１１ｂに形成されたＧａＡｓ基板１３とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。ＧａＡｓ基板１３は、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上２×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が改善され、高出力化が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向した第２のリードと、発光素子と、透明樹脂からなる成型体と、を備えた発光装置が提供される。前記第１のリードは、主面および前記主面に設けられた凹部を有するダイパッド部と、前記主面の上方に折り曲げられた屈曲部と、を有する。前記発光素子は、前記凹部の底面に接着される。前記成型体は、前記発光素子と、前記屈曲部と、前記ダイパッド部と、前記第２のリードの前記一方の端部と、を覆い、前記第１のリードの他方の端部および前記第２のリードの他方の端部をそれぞれ突出させる。前記成型体の重心の位置は、前記凹部の前記底面とは反対側となる前記ダイパッド部の下面と前記屈曲部の上端を含む面との間、かつ上方からみて前記発光素子の領域内とされる。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏光比が高い半導体発光素子及びそれを用いた偏光表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２００は、基板２０１上に形成され、少なくとも２種類以上の偏光を有する光を発生する光ガイド領域を含む積層構造体２０２と、積層構造体２０２の主面に設けられ、光を光ガイド領域内において所定の方向に導波させるストライプ形状の導波路とを備え、積層構造体２０２は、光の導波方向と垂直な積層構造体２０２の端面の一部において、少なくとも光ガイド領域の一部を含んで凹形状に形成されたスリット部２１７を備える。 （もっと読む）

【課題】コア・シェル型の半導体ナノワイヤが積層されて高効率のデバイスを製造することのできるナノ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上にこの基板と垂直にコア・シェル型の半導体ナノワイヤを形成し、この半導体ナノワイヤを絶縁体で覆うと共に、この絶縁体をエッチングにより除去して半導体ナノワイヤの上部を露出させたナノ構造体を製造する。このナノ構造体を用いれば、半導体ナノワイヤの露出した上部にトンネル接合部を形成し、このトンネル接合部に新たな半導体ナノワイヤを積層することによりショートすることを抑制した高効率のデバイスを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同一なカラー帯域の光を発光し、互いに異なるメインピークを有する発光ダイオードを含む発光素子及びこれを備えたライトユニットを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、胴体と、第１カラー帯域の波長範囲内で第１メインピークを発光する第１発光ダイオードと、第１カラー帯域の波長範囲内で第２メインピークを発光する第２発光ダイオードと、上記胴体の上に上記第１発光ダイオード及び第２発光ダイオードのうち、少なくとも１つと電気的に連結された複数のリード電極と、を含み、上記第１発光ダイオードの第１メインピークと上記第２発光ダイオードの第２メインピークの間の中心ピークの差は上記第１カラー帯域の波長範囲を基準にして少なくとも７５％の波長差を含む。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）Ａｓ（０≦Ｘ３≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して前記活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ；０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１及び第２のガイドと、該第１及び第２のガイドのそれぞれを介して活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、発光部上に形成された電流拡散層と、電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_Ｙ３Ｉｎ_１−Ｙ３Ｐ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ３≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１と、エピタキシャル層２１上に形成された透明導電膜２６とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高い。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

【課題】高い演色性や優れた色再現性を得つつ、高い輝度を確保できるカラー液晶表示装置を提供する
【解決手段】液晶表示装置は、カラー液晶表示パネルと、緑色光を照射する光源を有しかつ前記液晶表示パネルの裏側に配されているバックライト５とを備え、光源は、例えば蛍光ランプ３１である。この蛍光ランプ３１から前記光源から発せられる緑色光のピーク波長をＬｇｐ［ｎｍ］とし、蛍光ランプ３１から前記カラー液晶表示パネルの表示画面までの間に配された光学部材における緑色光の透過率が最大となる波長をＦｇｐ［ｎｍ］とし、視感度曲線が最大となる波長をＶｐ［ｎｍ］としたときに、Ｆｇｐ ＜ Ｌｇｐ、Ｆｇｐ ＜ ＶｐおよびＶｐ−７ ≦ Ｌｇｐ ≦ Ｖｐ＋１６の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板８上に、選択エッチング層３、応力緩和層９および応力緩和層９より大きいヤング率を有するIII−Ｖ族化合物半導体から成る化合物半導体層４をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Ｓｉ基板５の主面に化合物半導体層４の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４が積層された化合物半導体基板８を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層３をさらにエッチング除去することにより、Ｓｉ基板５と化合物半導体基板８とを分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】第２電極の特にカバーメタルを高い信頼性、高い精度をもって形成することを可能とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、積層構造体２０を構成する第２電極３０を、（ａ）第２化合物半導体層２２上に、銀を含む第１層３１及びアルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３を形成した後、（ｂ）第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３上に亜鉛層３４ａを析出させ、次いで、（ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す各工程に基づき形成する。 （もっと読む）