【課題】放熱性に優れた発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、板状をなすベース基板２と、ベース基板２の一方の面側に配置され、通電により発熱する第１の発熱体４ａと、ベース基板２の一方の面側に第１の発熱体４ａに対し離間して配置され、通電により発熱する第２の発熱体４ｂと、少なくとも第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとの間をつなぐように設けられ、第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとからそれぞれ発生する熱を放熱する、主として樹脂材料で構成された放熱体５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱変色性に優れ、長寿命で、バリ取りが非常に容易で、比較的安価でしかも材料の保存安定性、ハンドリング性、加工性に優れた表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体からなる第１の樹脂体４０と、発光素子１０を被覆する第２の樹脂体５０とを備え、第１の樹脂体４０の凹部４０ｃの底面部４０ａには、発光素子１０を載置した第１のリード２０が露出され、かつ第１のリード２０と第２のリード３０とを絶縁する樹脂絶縁部４５が設けられ、乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体は、不飽和アルキッド樹脂と架橋剤が混合された不飽和ポリエステル樹脂１４〜４０質量％、無機充填剤と白色顔料の合計４４〜７４質量％、無機充填剤と白色顔料の合計に占める白色顔料の割合３０質量％以上の樹脂組成物を成形したものである。 （もっと読む）

【課題】必要スペースの少ない、表面に取り付け可能な発光ダイオード光源を提供する。また、少ない数の製造工程で製造でき、使用する温度安定性に関して改良された特性を有する、半導体ＬＥＤを基礎とする光源の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に取り付け可能な発光ダイオード光源が、それぞれのリードフレーム接続部分の透明なプラスチック成形体の内部にチップ取り付け領域から発光ダイオード光源の取り付け面に向かってＳ型の湾曲部を有する。 （もっと読む）

【課題】紫外光半導体発光素子からの紫外光を赤色光、緑色光、及び青色光に変換して白色光を得るための半導体ダイオードまたは半導体発光装置の製造において、色度ばらつきの低減を容易な工程で行うことができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主波長のばらつきを有する、多数の紫外光半導体発光ダイオードを準備する発光ダイオード準備工程と、多数の紫外光半導体発光ダイオードのそれぞれに所定値の電力を供給して発光させたときの輝度に基づき、所定の輝度範囲ごとに各紫外光半導体発光ダイオードをグループ分けするグルーピング工程と、紫外光を所定の発光色に変換するために、グループ毎に対応して予め設定された、複数種の蛍光体を含む所定の配合組成を有する複数種の被覆材を準備する被覆材準備工程と、グループ分けされた各紫外光半導体発光ダイオードを、各グループに対応して準備された被覆材で被覆する被覆工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が実装されている基板上の複雑な三次元形状に対応したガラス封止部を、周辺の部材へ与えるダメージが少ない状態で、簡易に量産性良く形成する。
【解決手段】一対の電極を有する発光素子１２と、発光素子が搭載される基板１１と、基板に設けられ、発光素子の電極に電気的に接続される基板電極と、発光素子を封止したガラス封止部１６ａと、を有する発光装置３０であって、ガラス封止部は、基板上で発光素子の周辺部に供給された粉体ガラスあるいはそれと他の材料との混合物からなる封止材料が融着されてなる。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

本発明の様々な実施形態は、エネルギー効率の良い、１０Ｇビット／秒を超える高速変調レートを実現する半導体発光デバイスを対象とする。これらのデバイスは、２つの相対的に厚い半導体層の間に埋め込まれた発光層を含む。エネルギー効率の良い、高速変調レートは、適切な発光電圧が印加されたときに光放出のためにキャリアの発光層への注入を容易にし、適切な消光電圧が印加されたときにキャリアの除去を容易にする電子状態を有する半導体材料から構成された発光層に隣接する層から結果として得られる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御が可能な発光膜と、低電圧駆動が可能で高輝度な、該発光膜を用いた発光素子とを提供する。
【解決手段】母体材料である硫化亜鉛化合物に添加元素としてＣｕを含む発光膜であって、
前記硫化亜鉛化合物は、柱状のＺｎＳ結晶を有し、該ＺｎＳ結晶同士が接する粒界に硫化銅からなる部位を有する。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＳ薄膜へのＡｌのドーピングでみられる自己補償効果を抑制し、再現性の高い低抵抗ｎ型ＺｎＳ薄膜を提供する。
【解決手段】ＺｎＳ結晶中のＡｌ濃度をＮ濃度よりも高くし、ＡｌとＮが互いに第１近接格子点位置に配置されることで、ｎ型ドーパントとして機能するＡｌとＮの複合体を形成する。ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。
ＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）＜ＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）＜ＶＢＭ_ｐ（ｅＶ） …（１） （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】２端子型の電子デバイスは、第１電極３１及び第２電極３２、並びに、第１電極３１と第２電極３２の間に設けられた能動層３３を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成り、無機半導体微粒子はｎ型導電性を有し、有機半導体分子はｐ型導電性を有し、能動層２０への光の照射によって電力が生成する。 （もっと読む）

【課題】危険性の低い光を出射可能な構成を有する発光装置を提供するとともに、長寿命の発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、底面と内壁を持つ凹部を有する基台と、凹部内に設けられる半導体レーザ素子と、凹部内に設けられ、半導体レーザ素子の光を拡散する拡散部材と、半導体レーザ素子の光を吸収して異なる波長の光に変換する波長変換部材と、を具備し、半導体レーザ素子は、光軸が凹部の内壁に向くように配置され、拡散部材は、半導体レーザ素子の光軸上に配置され、波長変換部材は、凹部の開口方向に配置される。 （もっと読む）

【課題】発光効率が十分に向上された発光ダイオード装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ装置２００ａは、ＬＥＤチップ１０およびそのＬＥＤチップ１０を収納するパッケージ８０を備える。ＬＥＤチップ１０においては、発光層の主面面内の方位角に関する発光強度の異方性が生じる。ＬＥＤチップ１０からの発光強度の大きい方位角を含む所定の角度範囲を有する領域に、樹脂モールドの高濃度部８７ａが配置され、ＬＥＤチップ１０からの発光強度の小さい方位角を含む所定の角度範囲を有する領域に、樹脂モールド８７の低濃度部８７ｂが配置されている。 （もっと読む）

光電子デバイスは、２つの離隔された電極と、該２つの離隔された電極間に配置された、三元コア／シェル型ナノ結晶を含む少なくとも１つの層とを含んでいる。三元コア／シェル型ナノ結晶は、合金組成に勾配を有する三元半導体コアを有する。三元コア／シェル型ナノ結晶はまた、１分より長いオン時間によって特徴付けられる単一分子無ブリンキング挙動、又は１０ｎｓより短い放射ライフタイムを示す。
（もっと読む）

三元半導体ナノ結晶のコロイド溶液を生産する方法を提供する。まず二元半導体コアを準備し、その表面上に第１シェルを形成する。第１シェルは、その二元半導体コアを組成している成分のうち一元と、その二元半導体と結合して三元半導体を発生させる別の成分とを含有するよう形成する。そして、第１シェルの形成によって発生するコアシェル構造ナノ粒子をアニーリングすることにより、合金組成勾配のある三元半導体ナノ結晶を発生させる。
（もっと読む）

【課題】車両前照灯に適した配光パターンを実現しつつ明瞭なカットオフラインを得る。
【解決手段】車両前照灯光源１０は、セラミック基板１１の表面に実装された発光ダイオード素子１４ａ−１４ｋと、発光ダイオード素子１４ａ−１４ｋを覆うようにセラミック基板１１の前面に配設された蛍光部材１２とを備えている。セラミック基板１１の表面に垂直な方向からみたとき、蛍光部材１２はその周縁の一部に略中央１２ｂで屈曲して略中央両側の直線部分１２ａ、１２ｃに段差をもたせた上端縁１２ａ−１２ｃをもち、発光ダイオード素子１４ａ−１４ｋは蛍光部材１２の周縁に囲まれる領域内において上端縁寄りに偏在している。 （もっと読む）

【課題】活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、ｐ型基板１１と、ｐ型基板１１上に形成された導電型がｐ型である第１クラッド層としてのｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３上に形成された活性層１４と、活性層１４に接触し、活性層１４上に形成された導電型がｎ型である第２クラッド層としてのｎ型クラッド層１５とを備えている。そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系の光半導体素子における発光効率を増大させる。
【解決手段】光半導体素子Ｂは、ｎ型Ｚｎ_１−ｚＭｇ_ｚＯ（バリア層）１１/Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（活性層）１５/ｐ型Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ（バリア層）１７からなり、活性層１５から発光する構造である。それぞれのバリア層１１・１７に対して電極２３・２１を形成し、両電極２３・２１間に電圧を印加することにより、ＺｎＯ（活性層）１５からの発光が得られる。尚、ここで、ｘ＜ｙかつｘ＜ｚの関係があり、例えば、ｘ＝０．１、ｙ＝０．１５、ｚ＝０．１６などの値を例として選択することができる。ｘ＝０．１５、ｙ＝０．２５、ｚ＝０．２４などの値も選択可能である。この際、活性層のｘ値を大きくすることにより、発光波長を短波長側にシフトさせることができる。さらに、上記の結果に示したように、ｘ値を大きくすると、発光効率を高くすることができるため、発光素子としては優れていることがわかる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】放熱体の周囲に基体が設けられたパッケージと、前記放熱体の上面に載置された発光素子と、を有する発光装置であって、前記パッケージは、前記基体と前記放熱体との間に溝部を有しており、前記溝部内における前記基体の側面には、前記放熱体に向かって突出された少なくとも一つの突部を有していることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）