平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
（もっと読む）

【課題】特に発光への寄与率の高い、最もｐ層側の井戸層のピエゾ電界を結晶性を悪化させることなく、効率的に低減し、発光効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を有する発光ダイオードにおいて、活性層とｐ型窒化物半導体層の間にＩｎを含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード構造に関する。 （もっと読む）

【課題】オフ角が１０度以上のＧａＡｓ基板を用いても、発光出力の低下を起こさずに、低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】オフ角が１０度以上である第一導電型のＧａＡｓ基板１０上に、少なくとも、高Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓを含む複数層からなる第一導電型光反射層１２と、第一導電型クラッド層１３、アンドープ活性層１４および第二導電型クラッド層１５を有する発光層と、第二導電型電流分散層１７と、が順次積層された構造の半導体発光素子において、前記ＧａＡｓ基板１０上の第一導電型層の第一導電型決定ドーパントとして、Ｓｅを用いる。 （もっと読む）

【課題】光度の高いＬＥＤランプを提供すること。
【解決手段】樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法において、樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程を、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で実施する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化物系半導体層を再現性よく高活性化することが可能な窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物系半導体素子の製造方法は、基板１上に、少なくとも一層の窒化物系半導体層（２，３）を形成する工程と、窒化物系半導体層（２，３）上に、マグネシウムをドープしたｐ型窒化物系半導体層４を形成する工程と、ｐ型窒化物系半導体層４を窒素雰囲気中において８００〜９２０℃でアニーリングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体の単結晶基板の両面に、III族極性の発光素子を作製することが可能な発光素子用基板、およびそれを具備し、１素子当たりの電流注入量を低下させ、また1素子のサイズを大きくすること無く高輝度化した発光装置を提供する。
【解決手段】 III族極性を示す第１の主面１ａと、Ｎ極性を示す第２の主面１ｂと、を有する窒化物半導体の単結晶基板１と、前記第２の主面１ｂ上に設けられ、化学式Ｇａ_1-x-yＡｌ_xＩｎ_yＮ（ただし、０＜ｘ≦１，０＜ｘ＋ｙ≦１，０≦ｙ＜０．１である）で表される極性反転層２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 フォトニック結晶構造を用いて外部量子効率を向上させるにあたって、凹凸の高さを低減して、結晶欠陥に起因する非発光準位の発生を抑制することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体結晶層が積層されてなり、発光層１２を備える発光素子２と、発光素子２の一方の主面２１側に配置され、発光素子２を支持する支持基板３と、金属膜４とを備え、発光素子２の前記一方の主面部には、発光層１２からの光を他方の主面２２の側に反射するフォトニック結晶構造体２３が形成されており、発光素子２の一方の主面２１が、前記金属膜４によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を提供でき小さなブルーシフトを示す構造の発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系発光ダイオード１１では、窒化ガリウム基板１３の主面１３ａは半極性を示しており、また該六方晶系窒化ガリウムの（０００−１）面に対して１８度以上２８度以下の角度θで所定の方向に傾斜している。活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。活性層１９は、５１０ｎｍ以上の波長範囲にピーク波長を有する光を生成する。井戸層２５ａは、井戸層２５ａのＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮの（０００−１）面に対して傾斜した所定の平面（Ｘ軸及びＹ軸によって規定される平面）に沿って延びている。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数のＧａＮ系発光ダイオード素子を形成してなる発光装置であって、前記複数の発光素子が前記絶縁基板上に一体として形成され、直列に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。また、複数の発光ダイオード素子は、前記絶縁基板上にニ次元配置されていてもよい。また、複数の発光ダイオード素子は２つの組に分けられ、前記２つの組は２個の電極に互いに反対極性となるように並列接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】高発光効率（高光出力）を達成するための構成、構造を有するＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子は、第１ＧａＮ系化合物半導体層２１、多重量子井戸構造を有する活性層３０、第２ＧａＮ系化合物半導体層２２を備えており、活性層３０を構成する障壁層の少なくとも１層は組成変化障壁層３３から成り、第２ＧａＮ系化合物半導体層２２に近い側の井戸層３１と組成変化障壁層３３の境界に隣接した組成変化障壁層の領域３３Ａにおけるバンドギャップエネルギーが、第１ＧａＮ系化合物半導体層２１に近い側の井戸層３１と組成変化障壁層３３の境界に隣接した組成変化障壁層の領域３３Ｂにおけるバンドギャップエネルギーよりも低くなるように、組成変化障壁層３３の組成は、その厚さ方向に沿って組成が変化している。 （もっと読む）

【課題】発光層の内部量子効率を向上できて高出力化が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用の単結晶基板１の一表面側に第１のバッファ層２が形成され、第１のバッファ層２の表面側にｎ形窒化物半導体層３が形成され、ｎ形窒化物半導体層３の表面側に第２のバッファ層４を介して第３のバッファ層５が形成され、第３のバッファ層５の表面側に発光層６が形成され、発光層６の表面側にｐ形窒化物半導体層７が形成されている。第３のバッファ層５は、発光層６の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層３の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第３のバッファ層５で生成されたキャリアを利用して発光層６のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてＳｉを添加してある。 （もっと読む）

【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させるとともに出力を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、積層半導体層と、透明電極層１７と、ｐ型電極パッド１８と、ｎ型電極パッド１９とを具備してなり、平面視形状が四辺形であり、透明電極層１７がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれか一種以上を含む透明導電性酸化物から構成され、ｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の端間距離ｍが０．７Ｌ＜ｍ（Ｌはｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の重心Ｏ_１、Ｏ_２同士を結ぶ直線ｎ上における透明電極層１７の長さからｐ型電極パッド１８の外径ｄを引いた長さ）を満たすとともに、長辺の長さをＸとし、短辺の長さをＹとしたときに、１．５≦Ｘ／Ｙを満たすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、一対の電極２，６間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、電極の一方と発光層４との間に配置されたｐ型半導体からなるキャリア注入層３とを備え、発光層４は、Ｓｅ以外のＶＩ族元素を有する発光材料にＳｅがドープされた発光体を含み、発光層４の価電子帯頂部のエネルギーレベルとキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルとの差が１．１８ｅＶ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばＺｎＯ系半導体発光素子の良好な分割に適したＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、ウルツァイト構造を持ち、上面が＋Ｃ面で下面が−Ｃ面であるＺｎＯ系半導体部材の−Ｃ面にスクライブ溝を形成するスクライブ工程と、＋Ｃ面の、スクライブ溝の上方の位置に劈開用部材を押し当てて、ＺｎＯ系半導体部材を割るブレーキング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御が可能な発光膜と、低電圧駆動が可能で高輝度な、該発光膜を用いた発光素子とを提供する。
【解決手段】母体材料である硫化亜鉛化合物に添加元素としてＣｕを含む発光膜であって、
前記硫化亜鉛化合物は、柱状のＺｎＳ結晶を有し、該ＺｎＳ結晶同士が接する粒界に硫化銅からなる部位を有する。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性及び／または結晶性が向上したｐ型窒化物半導体層を有する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と；前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された活性層と；前記活性層上にＡｌＮとＧａＮが交互に反復的に成長されて形成された超格子構造のＡｌＮ／ＧａＮ層と；前記超格子構造のＡｌＮ／ＧａＮ層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と；を含み、前記ＡｌＮ及び前記ＧａＮのうち少なくとも一つはｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型であることを特徴とする発光素子を構成する。 （もっと読む）