【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】発光素子表面を異方性エッチング液に浸漬して粗面化する際に、電極周辺のＧａＰ等のエッチングを防止することで、電極剥がれによる発光強度の低下を防止することができ、また安定した電極を歩留りよく製造することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、光を取り出す第一主表面がＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのいずれかからなる発光素子基板に電極を形成する工程と、少なくとも該電極を覆う金属製保護膜を前記第一主表面に形成する工程と、該金属製保護膜形成後に、エッチングによって前記発光素子基板の表面を粗面化する粗面化工程と、該粗面化後に、前記金属製保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、静電耐圧特性を向上させつつ、発光効率や信頼性を向上させること。
【解決手段】ＥＳＤ層１０２は、ｎ型コンタクト層１０１側から第１ＥＳＤ層１１０、第２ＥＳＤ層１１１、第３ＥＳＤ層１１２の３層構造である。第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０¹⁶〜５×１０¹⁷／ｃｍ³ 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０⁸ ／ｃｍ² 以下のｎ−ＧａＮである。第２ＥＳＤ層１１１は、厚さ５０〜２００ｎｍ、ピット密度２×１０⁸ ／ｃｍ² 以上のノンドープのＧａＮである。第３ＥＳＤ層１１２は、Ｓｉ濃度（／ｃｍ³ ）と膜厚（ｎｍ）の積で定義される特性値が０．９×１０²⁰〜３．６×１０²⁰（ｎｍ／ｃｍ³ ）のｎ−ＧａＮである。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】ウェハ外周部分の動作電圧を抑え、特性の面内均一性を向上させ、ウェハ全面を使用することができ、また信頼性の高い発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層４、発光層５、ｐ型クラッド層７が順次積層された発光素子用エピタキシャルウェハ１において、ｎ型クラッド層４は、Ｓｉを含む２種類以上のｎ型不純物を用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。そして、コンタクト層１５は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層１５の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。この電極７は、コンタクト層１５の上面から側面の上を介して基板３の上に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内での特性分布の変動が低減可能な発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】第１の面方位に対し傾斜した方向を引き上げ方向として引き上げた単結晶インゴットを前記引き上げ方向に対して略垂直な方向にスライスし切り出された第１の傾斜基板を準備する工程と、前記第１の傾斜基板の主面と略平行な面方位の主面を有する第２の傾斜基板を準備する工程と、前記第２の傾斜基板上に発光層を有する積層体を成長する工程と、前記積層体と前記第１の傾斜基板を重ね合わせ加熱接着後、前記第２の傾斜基板を除去する工程とを備え、前記第１の傾斜基板の面方位は（１００）面から［０１１］方向に傾斜した面及び（−１００）から［０−１−１］方向に傾斜した面のいずれか一方であり、前記第２の傾斜基板の面方位は（１００）面から［０１１］方向に傾斜した面及び（−１００）から［０−１−１］方向に傾斜した面のいずれか他方である。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体素子において、アニーリングや基板の加工を必要としないで、ホール濃度が１０^１８ｃｍ^-3以上ある低抵抗のｐ型窒化物半導体層を可能にする。
【解決手段】基板上にＣ面を成長面とする第１の窒化物半導体層を形成し、前記第１の窒化物半導体表面に凹凸を形成する。次に、前記第１の窒化物半導体層上に前記凹凸に接する形で、ｐ型の第２の窒化物半導体層を形成する。前記凹凸の側壁直上に位置する前記第２の窒化物半導体層は、ｐ型キャリア濃度が１×１０^１８／ｃｍ^３以上となる。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であり、かつ前記ｎ型層および前記ｐ型層のシリコン濃度は１×１０^１４〜１．５×１０^１５／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を備えるとともに、降伏電圧の経時変化の抑制及び順方向電圧の低減を図ることができ、高輝度、且つ、高い信頼性を備える半導体発光装置を製造すること。
【解決手段】
本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、成長用基板の上に第１導電型クラッド層、アンドープの活性層、平均キャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3乃至１×１０¹⁸ｃｍ^-3の第２導電型拡散制御層及び第２導電型クラッド層を順次成長して積層構造体を形成する工程と、積層構造体の成長温度より高い成長温度で第２導電型半導体層を成長し、第２導電型拡散制御層から活性層に第２導電型不純物を拡散させて活性層の平均キャリア濃度を２×１０¹⁶ｃｍ^-3乃至４×１０¹⁶ｃｍ^-3に制御する第２導電型半導体層形成工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第２半導体層と発光層とが選択的に除去されて第２半導体層の側の第１主面に第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１主面上において第１及び第２半導体層とそれぞれ接続された第１電極及び反射性の第２電極と、前記第２電極の一部と前記第２半導体層との間に設けられ透光性を有する絶縁層と、を備え、前記第２電極と前記絶縁層とが重なる領域における前記第２電極の外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において短いことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＰ厚膜の成長を伴う発光素子において、従来のバルク型活性層の長寿命、低抵抗という利点を維持しつつ、多重活性層型発光素子の持つ高い発光効率（特に内部量子効率）を両立させた発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層及びｎ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層及び前記ｎ型クラッド層に挟まれたＡｌＧａＩｎＰからなる少なくとも２層以上の活性層と、該活性層よりＡｌ組成が高いＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層とを有する構造の化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、前記活性層と前記障壁層は交互に積層されたものであって、前記活性層と前記障壁層の界面に、該活性層よりＡｌ組成が高く、かつ該障壁層の最大Ａｌ組成より低い、厚さ０．５〜１．７ｎｍの領域を有する発光素子。 （もっと読む）

半導体素子、発光素子及びこれの製造方法が開示される。半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される多数個の柱と、前記柱の間及び前記基板上に配置される多数個の粒子と、前記柱上に配置される第１半導体層と、を含む。また、半導体素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に多数個の第１粒子を配置する段階と、前記第１粒子をエッチングマスクとして前記基板の一部をエッチングし、多数個の柱を形成する段階と、を含む。半導体素子は、粒子によって、発生される光を上方に効率的に反射させ、これによって向上された光効率を有する。また、第１粒子によって。柱が容易に形成され得る。
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【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減がはかられた化合物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）