【課題】 発光ピーク強度比の安定した２ピークの発光スペクトルを得ることが可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。活性層１２は、第１の井戸層１４と、井戸層の中で最も外側に設けられ、第１の井戸層１４を挟む第２の井戸層１５と、各井戸層間に設けられた障壁層１６、１７と、を有し、第２の井戸層１５は第１の井戸層１４を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、第１の井戸層１４及び第２の井戸層１５のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。本発明によると、発光素子の電気的、光学的特性を向上させることができ、安価ながら良質の結晶成長を保障できる優れた効果を奏する。
【解決手段】本発明は、GaN半導体物質を成長させるための基板と、上記基板上に形成され、Alがドープされたn型GaNクラッド層と、上記n型GaNクラッド層上に形成され量子井戸構造を有する活性層と、上記活性層上に形成されるp型GaNクラッド層とを含むフリップチップ用GaN半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】電極を両側面に有する半導体素子を回路基板上に横倒しした状態実装する半導体装置の製造方法において、製造工程を簡略化する。
【解決手段】導電性基板の一方の側にｐ側電極と該ｐ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第１金属層とを備え、前記導電性基板の他方の側にｎ側電極と該ｎ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第２金属層とを備える半導体素子、を準備するステップと、第１パッド及び第２パッドを有する所定パターンが形成された実装基板上に、前記第１金属層が前記第１パッド上に位置するとともに、前記第２金属層が前記第２パッド上に位置するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記実装基板上に載置した前記半導体素子の前記第１金属層と前記第１パッドとを固相接合し、前記第２金属層と前記第２パッドとを固相接合するステップと、を含む、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を備え、搭載形態を問わずに採用できると共に光損失を低下させることができ、かつ、化合物半導体薄膜から発する光を効率良く蛍光体に照射することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、基板１０と、基板１０の表面上に設けられ発光層２４を有する化合物半導体層２０と、基板１０の裏面に形成される凹部１２と、凹部１２の内部に配置され発光層２４が発する光により励起されると当該光と異なる波長の光を発する蛍光体４０と、凹部１２を覆い蛍光体４０が発する光に対して透過性を有し無機材料からなる透明層３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ型層の熱処理条件を緩和しつつ活性層中のＩｎを含む半導体層の結晶性を向上させたIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎを含む半導体層を備える活性層の上にｐクラッド層を第１の温度（８００〜９００℃）で成長させ、その後、窒素ガスとアンモニアガスのみを流通させながら、第１の温度より高い第２の温度（９００〜１０００℃）で半導体の積層体を熱処理する。その後、ｐクラッド層の上にｐコンタクト層を第２の温度より低い第３の温度（８００〜９００℃）で成長させる。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】歪みを内包する六方晶系III族窒化物からなる発光層を含みこの発光層からの電子の溢れを低減できる窒化物系半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体光素子ＬＥ１では、歪みを内包した井戸層２１は、ｃ軸方向に延びる基準軸に直交する面に対して傾斜角αで傾斜した基準平面ＳＲ１に沿って延びる。傾斜角αは５９度より大きく８０度未満の範囲及び１５０度より大きく１８０度未満の範囲である。負のピエゾ電界を有する発光層ＳＰ−に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Ｐが示されている。井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 （もっと読む）

【目的】
素子分離する際に半導体素子に欠陥が導入されることを阻止し、素子特性及び量産性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。特に、発光効率及び素子寿命に優れるとともに、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる基板と素子動作層との間に基板とは異なる結晶組成の欠陥阻止層を形成するステップと、当該素子動作層が形成された基板の素子動作層側表面から欠陥阻止層を超える深さまで除去された素子区画溝を形成するステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子において、活性層を構成する量子井戸層とバリア層の界面での転位・欠陥の発生を抑制し、高信頼性かつ高光出力の窒化物半導体発光素子を実現する。
【解決手段】基板上に、単一または多重量子井戸構造の活性層をｐ型及びｎ型の一対のクラッド層で挟んだ窒化物系半導体発光素子において、前記活性層はバリア層と量子井戸層が交互に積層される構造を有し、前記バリア層はｎ型不純物がドープされ、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ１である第１ドープ層と、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ２である第２ドープ層と、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ１である第３ドープ層からなる積層構造を有し、０＜ｎ１／ｎ２≦０．８の関係を満たし、前記バリア層の膜厚はｂｎｍとした場合、第１ドープ層の膜厚は０．２５ ｎｍ以上ｂ／２ ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高効率の近紫外発光の半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮの少なくともいずれかからなる第１の層と、Ｍｇを含有するｐ型ＡｌＧａＮからなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられ、Ｓｉを含有するＡｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮからなる複数の障壁層と、前記複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、ＧａＩｎＮまたはＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、を有する発光部であって、前記障壁層のうち、前記第２の層に最も近い障壁層が、Ｓｉを含有する第１の部分と、第１の部分と第２の層との間に設けられ、第１の部分におけるＳｉ濃度よりも低く、第２の層に最も近い障壁層以外の障壁層におけるＳｉ濃度よりも低い濃度でＳｉを含有する第２の部分と、を有する発光部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記ｎ型半導体層に接続され、銀及び銀合金の少なくともいずれかを含む第１の電極と、前記ｐ型半導体層に接続された第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層とｐ型電極との接触抵抗を従来よりも低減化し、動作電圧の低い窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を有し、前記ｐ型コンタクト層がｐ型電極１１側から順にｐ型第一コンタクト層１０とｐ型第二コンタクト層９によって構成される窒化物半導体素子１において、前記第一コンタクト層１０がｐ型不純物を１．０×１０²⁰ｃｍ^-3以上２．０×１０²⁰ｃｍ^-3以下含有したＩｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．２）からなり、前記ｐ型第二コンタクト層９はｐ型不純物を前記ｐ型第一コンタクト層より低濃度で含有し、Ｉｎ組成比が前記ｐ型第一コンタクト層１０より低いＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜０．２）からなるものである。 （もっと読む）

【課題】高反射率と低接触抵抗を両立させることのできる半導体発光素子用電極及びこれを用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１００におけるＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）の一般式で表される半導体層と接触するｐ側電極１２０が、当該半導体上に形成されＡｇを主成分としＰｄ及びＣｕが添加されているＡｇ合金層１２０ａを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】高精度で高速に組み立てることができる、光取り出し効率が高い半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と第２半導体層と発光層とを有する積層構造体と、前記積層構造体の主面上の第１及び第２半導体層にそれぞれ接続された第１電極及び第２電極と、前記主面上において、第１及び第２電極により覆われていない第１及び第２半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、第１及び第２電極の少なくともいずれかの周縁に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、を有する半導体発光素子と、第１及び第２電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、を対向させ、突出部をガイドとして接続部材を第１及び第２電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層とを有する発光素子の製造方法である。この場合、発光層はＧａＮからなる障壁層とＩｎＧａＮからなる井戸層とからなり、両端の層を障壁層とする多重量子井戸構造である。そして発光層に接するｎ型層がＩｎＧａＮからなり、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。上記凹凸状に加工した基板表面に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を順次形成し、フリップチップ型の発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯの低抵抗で高品質なｐ形半導体層を確実に形成でき、量産性に優れ、発光の強度が強い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形ＺｎＯ系バルク単結晶基板をｎ形半導体層１４とし、そのｎ形ＺｎＯ系バルク単結晶基板の亜鉛原子を含む面上に、エピタキシャル成長法により、ｐ形半導体層１３として窒素と銅を同時にドープしたＺｎＯ系半導体薄膜を作製し、その接合面１８にｐｎ接合を形成した。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１及び第２半導体層の間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第１主面上に設けられ前記第１半導体層に接続された第１電極と、前記積層構造体の前記第１主面上に設けられ前記第２半導体層に接続された第２電極と、を備え、前記第２電極は、前記第２半導体層の上に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に低い第１膜と、前記第２半導体層の上において前記第１膜の周縁に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に高い第２膜と、を有し、前記第２膜の外側の縁端から前記第１膜までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において小さいことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

【課題】
炭素の取り込みを抑制すると共に、表面モフォロジの低下を抑制する。
【解決手段】
半導体発光装置は、基板と、基板上に形成された第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ混晶の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ混晶の活性層と、活性層上に形成された、第１導電型と逆の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ混晶の第２のクラッド層と、を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層が活性層より広いバンドギャップを有し、活性層、第１のクラッド層、第２のクラッド層の少なくとも１つがバンドギャップは変化させない不純物濃度レベルのＡｓをドープされている。 （もっと読む）