【課題】遠視野像の水平方向における光強度分布形状を単峰化することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体発光素子１００であって、発光層からの第一の光を出射する第一の光出射面１３１ａおよび発光層からの光を反射する後端面１００ｂを両端とする第一の光導波路１２１と、発光層からの第二の光を出射する第二の光出射面１４１ａおよび後端面１００ｂを両端とする第二の光導波路１２２とを備え、第一の光導波路１２１と第二の光導波路１２２とは、後端面１００ｂで接続されており、第一の光出射面１３１ａと第二の光出射面１４１ａとは、第一の光の光軸と第二の光の光軸とが近づくように、互いに非平行である。 （もっと読む）

【課題】長寿命、低抵抗で、高い発光効率（特に内部量子効率）を保持した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ型クラッド層と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦０．６，０．４≦ｙ≦０．６）からなる３層以上の活性層及び該活性層よりＡｌ含有率ｘが高い２層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、ｎ型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、障壁層は、ｎ型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、ｐ型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板は、多重活性層部とｎ型クラッド層の間に、又は、ｎ型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものである発光素子。 （もっと読む）

【課題】反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体材料により形成されたｎ型導電性基板と、ｎ型導電性基板に、ｎ型導電層、発光層、ｐ型導電層、ｐ型半導体層上に設けられたｐ側電極と、ｐ型導電層とは反対側のｎ型導電性基板上に設けられたｎ側電極とを備えている。ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明によると、第１反応チャンバで、基板上に第１導電型窒化物半導体層及び活性層を成長させる段階と、上記第１導電型窒化物半導体層及び活性層が成長された状態の上記基板を第２反応チャンバに移送する段階と、上記第２反応チャンバで、上記活性層上に第２導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第２反応チャンバに移送する段階の前に上記第２反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第２導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法を提供する。本発明による発光ダイオードの製造方法を利用すると、発光ダイオードを製造するにおいて、工程システムの運用能力と生産性を向上させ、さらには、これにより得られた半導体層の結晶性、ドーピングの均一性などが向上することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 （もっと読む）

【課題】素子寿命を改善できる窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は、活性層１５−１上に設けられ、また第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１はリッジ部を含み、リッジ部はｐ型導電性を有する。第１領域１３ａ−１の厚さＴ１３ａ−１は第２領域１３ｂ−１の厚さＴ１３ｂ−１より大きい。III族窒化物半導体領域１３−１は、ｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触ＪＣ１−１を成す。活性層１５−１はIII族窒化物半導体からなる。金属層１９−１は、水素化物を形成可能な材料からなり、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。多孔質陽極酸化アルミナ層２１−１は、金属層１９−１上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記ｐ側コンタクト層は、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向かう第１方向に対して垂直な平面を有する平坦部と、前記平坦部から前記電極に向かって突出した複数の突起部と、を含む。前記複数の突起部の前記第１方向に沿った高さは、前記発光層から放出される光の主波長の１／４の長さよりも小さい。前記複数の突起部の前記平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の結晶性を高め、窒化物半導体発光素子の動作電圧を高める。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを含み、ｎ型窒化物半導体層は、１層または２層以上を積層したものであり、ｎ型窒化物半導体層を構成する少なくとも１層は、ＳｉとＳｎとをｎ型ドーパントして含み、かつＩｎを等電子ドーパントとして含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ６．５ｍｉｌ（１６５μｍ）に対応するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ホルダ１とその下方に配置された回収ホルダ２との間にスライダー３をスライド自在に設け、そのスライダー３に原料ホルダ１の原料溶液溜４から原料溶液が供給されると共に回収ホルダ２の溶液収納槽５へ原料溶液を排出する基板ホルダ部６を形成し、その基板ホルダ部６内に基板８を縦に複数枚保持させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内に原料溶液を供給し、基板８上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内の原料溶液を排出するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法において、基板８を基板ホルダ部６内に保持させる際に、隣り合う基板８，８間のメルト幅１３を３ｍｍ以下とし、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの総厚を１９０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】単層で発光波長が相違する複数の発光を出射するＩＩＩ族窒化物半導体単層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基体と、基体上に形成され、ドナー不純物とアクセプター不純物が添加され且つガリウムを必須の構成元素として含むガリウム含有ＩＩＩ族窒化物半導体層である多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層と、を備え、多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層は、窒素を含む第Ｖ族元素よりガリウムを含む第ＩＩＩ族元素を化学量論的に富裕に含み、原子濃度が６×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１９ｃｍ^−３以下の範囲の珪素と、原子濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上３×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲のマグネシウムと、合計の原子濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下の範囲の遷移金属元素と、を含み、且つ、バンド端発光とは別に、波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長帯域において波長が異なる３個以上の光を同時に出射することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】白色ＬＥＤ等の半導体素子を簡単な構造をもって簡便に提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に形成され、ドナー（ｄｏｎｏｒ）不純物とアクセプター（ａｃｃｅｐｔｏｒ）不純物が添加され且つガリウム（元素記号：Ｇａ）を必須の構成元素として含むＩＩＩ族窒化物半導体層と、を備え、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層は、窒素を含む第Ｖ族元素よりもガリウムを含む第ＩＩＩ族元素を化学量論的に富裕に含んでなり、バンド（ｂａｎｄ）端発光とは別に、バンド端発光より長い波長の領域において、波長が異なる少なくとも３個の光を同時に出射する多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体単層を備えていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）