【課題】発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすること。
【解決手段】本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第１の金属ピラーの側面及び第２の金属ピラーの側面を覆う膜と、樹脂層とを備えた。第１の電極は、半導体層の第２の主面における発光層を有する領域に設けられた。第２の電極は、第２の主面における発光層の外周よりも外側に設けられた。第１の金属ピラーの側面及び第２の金属ピラーの側面を覆う膜は、第１の金属ピラー及び第２の金属ピラーよりもはんだに対するぬれ性が悪い。樹脂層は、その膜の周囲を覆う。 （もっと読む）

【課題】 電流分散性能を改善した高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、支持基板と、支持基板上に位置し、ｐ型化合物半導体層、活性層、及びｎ型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、半導体積層構造体上に配置される第１の電極パッドと、第１の電極パッドから延長し、ｎ型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、電極延長部の接触領域下のｐ型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、第１の電極パッドと半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、備える。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 成長用基板の上に、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、成長用基板の表面に離散的に分布する支柱と、支柱によって成長用基板の上に支えられ、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、面内方向に連続する半導体層とを形成する。半導体層の上に、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる機能層を形成する。機能層の上に、支持基板を形成する。支持基板を形成した後、機能層から成長用基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】 電極形成工程やハンドリング時に破損のリスクを低減した発光素子の製造方法を提供することである。
【解決手段】 発光素子の製造方法であって、結晶成長用基板の上に格子状に形成された分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された発光層を含む結晶層を形成するステップと、円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを備えた支持基板を準備する支持基板準備ステップと、該支持基板の該円形凹部内に、該結晶層が形成された該結晶成長用基板の該結晶層側を対面させて接合するステップと、該結晶成長用基板が接合された該支持基板から該結晶成長用基板を剥離して、該支持基板の該円形凹部内に該結晶層が配設された形態とするステップと、該支持基板を該分割予定ラインに沿って分割するステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】高出力化が容易となる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側引き出し電極と、ｎ側引き出し電極と、樹脂と、蛍光体層と、蛍光反射膜とを備えた。ｐ側引き出し電極は、ｐ側金属配線層とｐ側金属配線層上に設けられたｐ側金属ピラーとを有する。ｎ側引き出し電極は、ｎ側金属配線層とｎ側金属配線層上に設けられたｎ側金属ピラーとを有する。ｎ側金属配線層とｎ側金属ピラーとが接触する面積は、ｎ側金属配線層とｎ側電極とが接触する面積より大である。蛍光反射膜は、半導体層の第１の面と蛍光体層との間に設けられた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、電極層と、上記電極層の上に電流密度調節パターンと、上記電極層及び上記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物とを含み、上記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】小型のサイドエミッタ型の発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、基板１０と、基板１０の上に設けられ、活性層１５を有する化合物半導体層１１と、化合物半導体層１１の上に設けられ、化合物半導体層１１の表面から放射される活性層１４からの光を基板１０に水平な方向に向けて反射する反射部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極層と、前記第１電極層上に形成されて、主ピーク波長領域が４３０ｎｍ〜４７０ｎｍである青色系の光を発光し、光抽出構造を含む発光構造物と、前記光抽出構造上にプラズモン振動数が前記青色系の光の波長と異なる金属材質から形成される第１層を備える第２電極層とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によれば、発光素子は、伝導性を有する支持部材を含む電極と、電極の上面の周縁領域に金属物質を含むチャンネル層と、電極及びチャンネル層の上に形成され、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スイッチ機能を含む発光素子及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１電極１６０と、該第１電極上に発光構造物１４５と、該発光構造物上に第２電極１７０と、及び発光構造物を制御するために発光構造物上に制御スイッチ１２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、第１導電型の半導体層、第１導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第２導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下の第１のパッドと、支持部材下に第１のパッドから離隔して配置された第２のパッドと、第１導電型の半導体層と第１のパッドの間に連結された第１の電極と、接合層と第２のパッドの間に連結された第２の電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】各ＬＥＤチップから出力された光に他のＬＥＤチップの影が生じにくい発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。各ＬＥＤ基材は、発光層２２における一対の電極２１が形成された面を実装基板３に対向させる向きで、実装基板３の第１の面３０上にフリップチップ実装されて構成される。各ＬＥＤ基材は、発光層２２を実装基板３の第１の面３０に固着した後で結晶成長用基板２４が除去され、発光層２２および電極２１からなるＬＥＤチップ２のみが実装基板３上に残るように実装基板３に実装される。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率を改善する高効率発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持基板上に位置する半導体積層構造体を含む。半導体積層構造体はｐ型化合物半導体層、活性層及びｎ型化合物半導体層を有し、ｐ型化合物半導体層がｎ型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。開口部がｐ型化合物半導体層及び活性層を少なくとも二領域に分け、ｎ型化合物半導体層を露出する。絶縁層がｎ型化合物半導体層の露出面と開口部の側壁とを覆う。透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。反射絶縁層が透明電極層を覆って形成され、活性層から支持基板側に向かう光を反射する。ｐ‐電極が反射絶縁層を覆って形成され、ｎ‐電極がｎ型化合物半導体層の上部に形成される。反射絶縁層は透明電極層を露出するように一部が除去され、ｐ‐電極は露出した透明電極層に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】蛍光体の熱劣化が少なく、光混合性がよく、色むらが少なく、さらに発光強度が強い白色発光ダイオード、それに用いられる発光ダイオード用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子が形成可能な単結晶層と、単一金属酸化物及び複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有する光変換用セラミックス複合体層とが直接接合され、前記単結晶層の厚みが０．１００ｍｍ〜０．０００５ｍｍであることを特徴とする発光ダイオード用基板である。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】白色光、又は、カラー光を生成する単一の蛍光体層光素子を提供する。
【解決手段】光素子は、白色光を含むフルスペクトル光線(full spectrum of lights)を生成する。この光素子は、基板上で成長された二個、或いは、それ以上のLEDを含み、各ＬＥＤは、個別に制御されて、異なる波長の光線を生成する。発光構造は基板上に形成され、エッチングにより、発光構造を異なる部分に分離され、二個、或いは、それ以上のLEDに割り当てられる。少なくとも一つのLEDは、蛍光材料が塗布され、この結果、発光構造が同じ波長の光を発光している場合にも、LEDから異なる波長の光が生成される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性および耐候性に優れた半導体発光素子デバイス等の製品を製造することが可能な接合材料を提供する。
【解決手段】軟化点５００℃以下のガラスフィルムからなることを特徴とする接合材料、および当該接合材料を複数の被接合部材間に設置し、接合材料の軟化点より低い温度で加熱接合することを特徴とする部材接合方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体層２０と、この半導体層２０の上に設けられた光反射層３１と、この光反射層３１を覆うように無電界めっき法により形成された保護層３２とを備える。光反射層３１と保護層３２との間には、金属層３２Ａが設けられている。金属層３２Ａは、保護層３２を形成する際のめっき下地層として機能する。保護層３２は、蒸着法などによって形成された場合よりも、高精度な寸法を有すると共に緻密な組織を有するものとなる。これにより、全体構成が微小化しても、保護層３２によって光反射層３１を隙間無く確実に覆うことができる。 （もっと読む）