【課題】ＬＥＤの光取り出し効率を高める。
【解決手段】ＬＥＤ１００は、サブマウント１２０上に配置される多層積層体１２２を含み、多層積層体はシリコン添加（ｎ型）ＧａＮ層１３４を含み、このＧａＮ層は複数の開口１５０から成るパターンをその上側表面１１０に有し、多層積層体はまた、接着層１２４、銀層１２６、マグネシウム添加（ｐ型）ＧａＮ層１２８、複数のＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井戸により形成される光発生領域１３０、及びＡｌＧａＮ層１３２を含み、ｎ側コンタクトパッド１３６は層１３４の上に配置され、そしてｐ側コンタクトパッド１３８は層１２６の上に配置され、封止材（屈折率が１．５のエポキシ）１４４は層１３４とカバースリップ１４０と支持体１４２との間に設けられており、複数の開口１５０によって領域１３０において生成される光がＬＥＤ１００から表面１１０を通して放出される効率を高くする。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＯ法による成長用基板の除去の際に、発生ガスの放出を妨げず且つ半導体成長層におけるクラック等の発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長層を形成する工程と、成長用基板に達する分割溝を形成して半導体成長層を複数の素子部に分割する工程と、複数の素子部の各々の側部に、成長用基板との界面から半導体成長層の成長方向に向かって広がる逆方向テーパの傾斜面を形成する工程と、逆方向テーパの傾斜面を露出しつつ側部の上に保護層を形成する工程と、複数の素子部に支持体を設ける工程と、成長用基板の裏面側から剥離用のレーザ光を照射して成長用基板を剥離する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性が向上し、発光構造物のクラック及びひび割れなどの損傷を防止し、発光効率を向上させる発光素子の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。 （もっと読む）

【課題】素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板上の、接着層およびＰｔ層が順に形成された初期積層体と、前記初期積層体上の、Ａｕを含む第１金属層とを有する金属被膜Ｓｉ基板において、上記初期積層体と上記Ａｕを含む第１金属層との間に、ＴａＮ層およびＷ層からなる拡散防止積層体を介挿させ、前記ＴａＮ層の厚さが３０ｎｍ超えで、かつ前記Ｗ層の厚さが２００ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改善された輝度特性を有する半導体発光素子、およびそれを用いた照明装置、ならびにその半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】化合物半導体層と、その上に形成された複数の開口部を有する金属電極層と、さらにその上に形成された特定の光取り出し層を具備する半導体発光素子。金属電極層は特定の大きさの開口部を有している。また、光取り出し層は、金属電極層を被覆する２０〜７０ｎｍの厚さのもの、または表面に凹凸構造が形成されており、金属電極層の表面から凸部頂点までの高さが２００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のものとされる。 （もっと読む）

【課題】制御の難しい化学的な粗面化処理を行わずに、比較的簡易な手法で確実に光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】サファイア基板２０の表面を二種類以上の傾斜角度で変化する凹凸形状に加工し、この面上に化合物半導体層６を蒸着させて、その上に支持基板１を熱圧着して、その後にレーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離するため、その剥離時に化合物半導体層６の凹凸部分のエッジに多大な応力が印加されることがなく、化合物半導体層６の割れを防止できる。 （もっと読む）

【課題】複数の発光セルが基板の上において電気的に接続された発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、基板上に配置され、基板上の下部半導体層、下部半導体層上の活性層、活性層上の上部半導体層をそれぞれ含む複数の発光セルと、複数の発光セル上にそれぞれ配置された上部電極と、基板と複数の発光セルの下部半導体層との間にそれぞれ配置された下部電極と、を含む発光ダイオードであって、複数の発光セルは、母基板が除去されており、複数の発光セルのうち一つの発光セルの下部電極は、一つの発光セルに隣接する複数の発光セルのうち別の発光セルに配置された上部電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】第１基板３０上に、ｐ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層、およびｎ型窒化物半導体層を、この順序で積層された第１積層膜を設ける工程と、ｎ型窒化物半導体層の上面にｎ電極４４を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層の上面におけるｎ電極が形成された領域を除きアルカリ液を用いてウェットエッチングすることにより、ｎ型窒化物半導体層の上面に凹凸を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れる６６０〜７２０ｎｍ帯発光に適した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０．２０≦Ｘ１≦０．３６）からなる井戸層と、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０＜Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるものとし、前記井戸層の厚さを３〜３０ｎｍとし、発光波長を６６０〜７２０ｎｍに設定されてなることを特徴とする発光ダイオードことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基礎基板からの半導体層の剥離といった問題の発生を抑制すると共に、十分な光の取り出し効率を得ることが可能な発光素子用基板および発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用基板は、発光層６を含む半導体層（ｎ型半導体層５、発光層６、ｐ型半導体層７、基板４）と、半導体層と中間層３５を介して接合された基礎基板２とを備える。半導体層と基礎基板２との接合部にフォトニック結晶構造層３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】対向電極構造としつつも、光の取り出し面に対するボンディング構造が不要な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１の主面と第１の主面に対する反対側に設けられた第２の主面と側面と発光層とを有する半導体積層体と、第１の主面に設けられた第１の電極と、第１の電極上に設けられた第１の配線と、半導体積層体の側面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を介して半導体積層体の側面に設けられた第２の配線と、第２の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、第２の主面よりも外側で第２の配線と接続された第２の電極と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】光学系部品を追加することなく、導光板との十分な結合効率を得ることが可能な発光素子用基板及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用基板は、発光層を含む半導体層（ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、基板）と、発光層から間隔を隔てて配置された２次元回折格子（フォトニック結晶構造層３）とを備える。フォトニック結晶構造層３では、フォトニック結晶構造層３が延在する平面において、フォトニック結晶を構成する格子点の集合（個々の格子点の形状を無視した、格子点の並びのみを考慮した集合）が２回の回転対称性のみを有し、３回以上の回転対称性を有さないようになっている。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有し、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子パッケージ、発光素子の製造方法、及び照明システムを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、透光性基板１１０と、上記透光性基板の上にオーミック層１５７と、上記オーミック層の上に形成され、第１導電型半導体層１３０、第２導電型半導体層１５０、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に活性層１４０を含んで光を生成する発光構造物１４５と、上記透光性基板の下面に電極層１３２と、上記透光性基板を貫通して上記発光構造物及び上記電極層を電気的に連結する導電ビア１３１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
回路基板への集合体実装を可能にするため、半導体ウェハをダイシングし、半導体チップの密着した集合体をマトリクス状に所定の間隔で精度良く整列配置することが難しかった。
【解決手段】
半導体ウェハ切断分離してマトリックス状に整列配置する半導体素子の製造方法において、半導体ウェハをマトリックス状に切断する工程と、切断された半導体ウェハの少なくとも１軸方向の各行間にスペーサ部材を挿入して各行間をスペーサ部材の幅に拡張する工程と、拡張された１軸方向の各行間を保持する工程と、拡張された１軸方向に配設保持された半導体素子からエキスパンドシートを剥離する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐電圧特性が向上した発光素子、発光素子製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めると共に薄型化が容易な発光素子および量産性が改善可能なその製造方法、並びに発光装置を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体積層体と、上面側に前記半導体積層体が設けられ、側面に平均高さおよび平均ピッチが均一に分布した凹凸を有する透光性基板と、を備えたことを特徴とする発光素子およびその製造方法、並びに発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。上記電極は、上記発光構造物と隣接した第１領域、及び上記第１領域の上に第２領域を含み、上記第１領域の酸化物の濃度が上記第２領域の酸化物の濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子及びこれを備えた発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１導電型半導体層、第１導電型半導体層の下に活性層、及び活性層の下に第２導電型半導体層を含む発光構造層と、第２導電型半導体層の下に伝導層と、伝導層の下に接合層と、接合層の下に支持部材と、第１導電型半導体層に連結された接触電極と、支持部材の第１領域に配置され、接触電極と第１リード電極とを連結する第１電極と、支持部材の第２領域に配置され、伝導層及び接合層のうちの少なくとも１つに連結された第２電極と、支持部材の下に配置され、第１電極に連結された第１リード電極と、支持部材の下に配置され、第２電極に連結された第２リード電極と、接触電極と発光構造層との間に配置された第１絶縁層と、を含む。 （もっと読む）