【課題】実施形態は、導電性ペーストを用いて発光素子をリードフレームに固着する発光装置であって、発光効率および信頼度を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、凹部が設けられた第１のリードと、前記凹部の底面に固着された発光素子と、前記第１のリードから離間して配置され、金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、を備える。前記発光素子は、前記金属ワイヤがボンディングされた発光面側とは反対の裏面において、導電性のペーストを介して前記底面に固着される。そして、前記底面の面積は、前記発光面の面積よりも広く、前記ペーストは、前記凹部の内部において、前記発光素子の前記発光面と前記裏面とに交差する側面の少なくとも一部と、前記凹部の壁面の少なくとも一部と、を覆う厚さに充填される。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記複数の第２配線層のうち、前記半導体発光層の他の前記半導体発光素子間との端部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量が、前記半導体発光層の中心部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量よりも高い半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 エキスパンドウエハ上の発光素子の光学特性の検査の効率化を高め、単位時間あたりの検査個数を増大させる検査装置と検査方法を提供すること。
【解決手段】 複数個のウエハチャックを備えたウエハチャックステージと；各ウエハチャックにロードされたエキスパンドウエハ上の発光素子の位置を測定する位置測定装置と；各エキスパンドウエハのそれぞれに対応して設けられたフォトディテクタ及びプローブと；各エキスパンドウエハ上の発光素子が順次対応するプローブの下方に来るようにウエハチャックステージをＸＹ軸方向に移動させる手段と、プローブが発光素子の電極位置に対応する位置に来るように各プローブを移動させる手段と、プローブを対応するそれぞれの発光素子の電極と接触させる手段とを備える制御装置を有している検査装置及び当該検査装置を用いる検査方法を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の半導体多層膜反射鏡１６と、ｐ型の第１の半導体層１８と、ｎ型の第２の半導体層２０と、ｐ型の第３の半導体層２２と、ｎ型の第４の半導体層２４と、半導体基板１２の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２４上に形成された上部電極３２とを有し、半導体多層膜反射鏡１６は、選択的に酸化された酸化ＤＢＲ１６Ａと、これに隣接する導電ＤＢＲ１６Ｂとを含み、酸化ＤＢＲ１６Ａは、半導体基板による光の吸収を抑制し、導電ＤＢＲ１６Ｂは、半導体基板１２と第１の半導体層１８とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備え、第２反射部の側面には、金属材料からなる第３反射部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）に改質されてなる。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、信頼性に優れた半導体発光装置及び発光モジュールを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、互いに分離された複数のチップと、ｐ側外部端子と、ｎ側外部端子と、半導体層よりも剛性の低い層とを備えている。チップのそれぞれは、半導体層とｐ側電極とｎ側電極とを含む。ｐ側外部端子は少なくとも１つのチップのｐ側電極と第２の面側で電気的に接続されている。ｎ側外部端子は少なくとも１つのチップのｎ側電極と第２の面側で電気的に接続されている。半導体層よりも剛性の低い層は、ｐ側外部端子とｎ側外部端子との間の中点を通り、かつ、ｐ側外部端子とｎ側外部端子を結ぶ線および発光層に対して垂直な中心線と、半導体層の延長線との交差部に設けられている。中心線上に半導体層は設けられず、複数のチップの間に前記中心線が位置する。 （もっと読む）

【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたｎ型またはｐ型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも２層の第１メタル層と、該第１メタル層と交互に積層された第２メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第２メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第２メタル層以外の第２メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第２メタル層を構成する第２メタル材料は該第１メタル層を構成する第１メタル材料よりも導電率は低いが該第１メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に形成された複数の半導体発光素子を分割して発光チップを製造する場合に、発光チップの生産性を向上させる。
【解決手段】成長用基板および複数の半導体発光素子を有する素子群形成基板と基部とを接合部で接合する接合工程（Ｓ１３）と、これらの積層体から成長用基板を分離する成長用基板分離工程（Ｓ１４）と、複数の半導体発光素子、接合部および基部の接合体と基材とをワックス層で接着する支持用基板接着工程（Ｓ１５）と、これらの接着体に対し基部および接合部を貫通する外部電極を形成する外部電極形成工程（Ｓ１７〜Ｓ２２）と、外部電極が形成された接着体からワックス層および基材を分離する支持用基板分離工程と、外部電極が形成され且つ基材が分離された接合体に対し基部および接合部を分割する分割工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＧａＮ層の格子欠陥が抑制され、発光効率が向上した半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に配置されたｎ型ＧａＮ層１３と、ｎ型ＧａＮ層１３上に配置されたｐ型ＧａＮ層１５とを有する半導体素子１０であって、ｎ型ＧａＮ層１３には電子線が照射されている。Ａｌ_(1-x)Ｇａ_xＮ結晶と電子線との相互作用により、ｎ型ＧａＮ層１３の格子欠陥が抑制され、半導体素子１０の発光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図る。
【解決手段】支持基板３０と、発光層１２を含む半導体膜１０と、光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられた光反射層２０、から形成され、表面電極は、半導体膜とオーミック接触する第１の電極片４３と、第１の電極片に電気的に接続され且つ半導体膜とショットキー接触する第２の電極片４１と、を含み、光反射層に形成される反射電極は、第１の電極片と互いに重ならないように配置され半導体膜とオーミック接触する第３の電極片２１Ｄと、第３の電極片に電気的に接続され半導体膜とオーミック接触し且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含み、第１の電極片と第４の電極片との間の半導体膜の主面方向における最短距離は、第１の電極片と第３の電極片との間の同方向における最短距離よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の面積の和と側面１１ｃの面積の比が０．５以上である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置や、アンダーフィルを施したＬＥＤ発光装置では、ＬＥＤの光取出面に対する白色部材の付着が発生する危険性があり、またアンダーフィル型のＬＥＤ発光装置ではＬＥＤの側面方向の出射光を十分に利用することがなされていなかった。
【解決手段】
発光素子の外形より大きい形状の蛍光体板に、バンプ実装された発光素子の発光面側を透明接着材にて接着すると共に、前記発光素子の側面と前記蛍光体板の下面との間に透明樹脂を充填し、前記充填された透明樹脂の形状が前記発光素子の実装面側の角部より蛍光体板に向かって円弧状に形成された発光素子チップを構成し、該発光素子チップを回路基板上の配線電極にフリップチップ実装した。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）