【課題】本発明は、発光効率が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。上記電極は、上記発光構造物と隣接した第１領域、及び上記第１領域の上に第２領域を含み、上記第１領域の酸化物の濃度が上記第２領域の酸化物の濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】単純な配線構造を使用でき、高い発光効率をもった半導体素子を得る。
【解決手段】ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。成長基板１１表面に達する深さをもつ分離溝３０を形成する（図１（ｄ））。ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。支持基板５０の一方の主面上に、第２の導電性接合層５１を形成する（図１（ｆ））。第２の導電性接合層５１と第１の導電性接合層４２とが直接接するようにして、高温で加圧接合する（図１（ｇ））。次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層１２とＣｒＮ層１３を除去する（図１（ｈ））。第１の積層体２５におけるｎ型層２１上の一部に、ｎ側電極６１を形成する（図１（ｊ））。最後に、第２の積層体２６全体を覆って第２の導電性接合層５１上の一部にｐ側パッド電極６２を形成する（図１（ｋ））。 （もっと読む）

【課題】光抽出が向上したＬＥＤを提供する。
【解決手段】関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。ＬＥＤ（１０）は、さらに光抽出を向上させるために、粗面処理された放射側面（２５）を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】透明電極層と保護層との間の屈折率を抑制するとともに、保護層の屈折率を適正に制御し、光取り出し効率に優れ、高い発光出力が得られる半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次積層され、ｎ型半導体層４、発光層５及びｐ型半導体層６からなる積層半導体層２０と、この積層半導体層２０に備えられるｐ型半導体層６の上に形成された透明電極層７と、この透明電極層７上に積層された保護層１１とを具備してなり、保護層１１は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）及び酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなるとともに、膜厚方向で透明電極層７側から表面１１ａ側に向かうに従って酸化シリコンと酸化チタンとの組成比が変化することにより、透明電極層７側から表面１１ａ側に向けて屈折率が漸次小さくなる屈折率勾配を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体素子の製造方法は、第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより第１の溝１５を形成する工程と、第１の基板１０の第１の溝１５が形成された表面上に、第１の溝１５上に形成される第２の溝２５を有する窒化物半導体層２０を形成する工程と、窒化物半導体層２０上に電極を形成する工程と、を含み、第１の溝１５を形成する工程において、第１の溝１５を窒化物半導体素子チップの１個の１辺の長さの１以上の整数倍のピッチで形成し、窒化物半導体層２０を形成する工程において、少なくとも、バッファ層１１と、ｎ型窒化物半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型窒化物半導体層１４とをこの順に形成し、電極を形成する工程において、電極のパターンのピッチが第１の溝１５の間に収まるように電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層に大きな応力が作用するのを防ぐことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極及びｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト部と、ｎ側コンタクト部と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーとを備えている。絶縁膜は、半導体層に比べて柔軟性があり、半導体層の第２の面及び側面を覆っている。絶縁膜は、ｐ側金属ピラーとｎ側金属ピラーとの間に設けられている。ｐ側配線層は、絶縁膜内に設けられ、ｐ側コンタクト部を介してｐ側電極と接続されている。ｎ側配線層は、絶縁膜内に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。ｐ側金属ピラーは、ｐ側配線層上に設けられている。ｎ側金属ピラーは、ｎ側配線層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置の製造方法では、基板と、基板に隣接する第１の面と、第１の面とは反対側の第２の面と、発光層とをそれぞれ有する複数の積層体と、第２の面に形成されたｐ側電極及びｎ側電極と、ｐ側電極及びｎ側電極の上に形成され、ｐ側電極に通じる第１の開口と、ｎ側電極に通じる第２の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、第１の開口を通じてｐ側電極と接続されたｐ側金属配線層と、ｐ側金属配線層に対して離間して絶縁膜上に設けられ、第２の開口を通じてｎ側電極と接続されたｎ側金属配線層と、を含むウェーハ状態の積層構造における第１の面側に蛍光体を含有する層を形成する。 （もっと読む）

【課題】実装基板に配置されたＬＥＤチップから波長変換部材側に放射され、実装基板側に向かう戻り光を抑制し、光取り出し効率の向上を図ることができる発光装置を提供することにある。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、該ＬＥＤチップ１が一表面２ａ側に配置される実装基板２と、該実装基板２の上記一表面２ａ側でＬＥＤチップ１を囲む形で配設され、ＬＥＤチップ１から放射される光を波長変換する蛍光体が含有されたキャップ状の波長変換部材３とを有する発光装置１０であり、波長変換部材３は、上記内側面３ａが、キャップ状の頂上部３ｄ側で角ばっており、ＬＥＤチップ１から放射された光をフレネル反射させ、該フレネル反射した光を対向する内側面３ａ側に直接照射させる方向に向かわせる曲面にしてなる。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する
【解決手段】
AlGaInPからなる活性層と、活性層を挟むように設けられ活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、を含む半導体膜を有する。ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶の非極性面または半極性面を表面に有する基板の製造コストを抑えることができ、且つ、ＺｎＯ基板やβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板といった透明導電性基板の上に窒化物系化合物半導体層が設けられた発光素子を実現できる貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、及び発光素子を提供する。
【解決手段】貼り合わせ基板１０Ａは、窒化物系化合物半導体とは異なる材料からなり、主面１４ａを有し、可視光に対して透明な導電性の支持基板１４と、支持基板１４の主面１４ａと貼り合わされ、ＧａＮ結晶のＣ面に対し５０°以上１１０°以下の傾斜角をもって形成された表面１２ａを有するＧａＮ薄層１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を容易にすると共に容易な製造を可能にする構造を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム支持基体１３の主面１３ａにおいて第３の面１３ｅは第１の面１３ｃと第２の面１３ｄとの間に設けられる。第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄは第３の面１３ｅに対して裏面１３ｂの方向に傾斜する。第３の面１３ｅは窒化ガリウム支持基体１３の＜０００−１＞軸の方向に向く。第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、半導体領域１５におけるIII族窒化物半導体積層１５ｃ、１５ｄ上に位置し、III族窒化物積層１５ｃ、１５ｄは、それぞれ、第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄ上に形成される。半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。角度ＡＬＰＨＡ１、ＡＬＰＨＡ２は＋５６度以上＋８０度未満の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、切断予定ラインに沿って半導体層１７ａ，１７ｂに基板１まで達しない溝２５を形成し、溝２５に臨む基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより多光子吸収による改質領域７を基板１にのみ形成し、基板１に力を印加することのみにより、改質領域７から発生した割れを基板１の厚さ方向に成長させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを切断する。 （もっと読む）

【課題】 光デバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比をそれぞれ有する２つ以上の開口を含む誘電材料と、前記基板と格子不整合の化合物半導体材料を含み、前記化合物半導体材料が２つ以上の開口を占有し、前記２つ以上の開口の上に接合され、下ダイオード領域を形成する下ダイオード材料と、上ダイオード材料と、前記上及び下ダイオード材料の間に設けられた活性ダイオード領域を有する光デバイス。 （もっと読む）

【課題】絶縁性保護膜と金属層との密着性を向上させて、素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】結晶成長基板上に、III族窒化物系化合物半導体層から成るエピタキシャル成長層を結晶成長させ、エピタキシャル成長層の最終成長層を金属層により支持基板に接合し、前記結晶成長基板を除去して、エピタキシャル成長層の初期の成長層である基底層を前記支持基板上のエピタキシャル成長層の最上層とした半導体素子の製造方法である。最終成長層の側から、窒素反応性を有する金属から成る第１層、塩素プラズマエッチングに対する耐性を有し、ウエットエッチング可能な金属から成る第２層、窒素反応性を有し、ウエットエッチングに対して耐性を有する金属から成る第３層を形成する。半導体素子の基底層から塩素プラズマによりエッチングして第２層の表面が露出するように素子分離溝を形成する。素子分離溝の底面に露出した第２層をウェットエッチングにより除去して、第３層を前記素子分離溝の底面に露出させ、素子分離溝に絶縁性保護膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来の蛍光体を代替できる蛍光体物質を含み、高性能の白色発光素子を実現できる発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明は発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】粗面を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）加工時の改良された光学アライメント方法を提供する。
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さσ_ｓを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約２σ_ｓから約８σ_ｓの範囲の波長λ_Ａを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、ｐ型コンタクト９０ｐ及びｎ型コンタクト９０ｎをＬＥＤの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、それぞれ第１の導電型の上部半導体層、活性層、第２の導電型の下部半導体層、及び前記第２の導電型の前記下部半導体層と前記活性層とを貫通して前記第１の導電型の前記上部半導体層を露出させるホールを含む第１の発光セル及び第２の発光セルと、前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルと前記基板との間に位置し、前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルを互いに電気的に接続するコネクタと、を含み、前記第１の発光セルの前記ホール及び前記第２の発光セルの前記ホールは、それぞれ前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルの中央領域に位置し、前記コネクタは、前記第１の発光セルの前記第２の導電型の前記下部半導体層と、前記第２の発光セルの前記ホール内に露出された前記第１の導電型の前記上部半導体層とを電気的に接続していることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）