【課題】半導体光素子基板の各層に対応する膜の成長速度条件出しに関し、成長速度条件出し項数を削減する方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子基板の製造方法において、各材料の組成が異なる多層膜をひとつのチャンバにおいて連続的かつ段階的に結晶成長する前に、各層間の成長速度の関係を表す層間成長速度モデルを定義し、少なくとも１層以上の層に対応する膜の成長速度を、個別の基板を用いて実際に結晶成長して求め、求めた成長速度より、他の層に対応する膜の成長速度を層間成長速度モデルにより推定し、実際に求めた成長速度と推定した成長速度より、半導体光素子基板の各層の膜厚に応じて成膜時間を決定する、各ステップをＭＯＣＶＤ装置に接続されたコンピュータシステムを用いて実行する工程を経て、半導体光素子基板の結晶成長を実施する。 （もっと読む）

【課題】垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化ガリウム系半導体層と活性層とｐ型窒化ガリウム系半導体層とが順次積層されている発光構造物を形成し、発光構造物をエッチングして単位ＬＥＤ素子の大きさに分離し、分離された発光構造物上にｐ型電極を形成し、分離された各発光構造物の間に非導電性物質を充填し、前記結果の構造物上に金属シ−ド層を形成し、各発光構造物の間の領域を除いた金属シ−ド層上に第１メッキ層を形成し、第１メッキ層及び各第１メッキ層の間の金属シ−ド層の表面に第２メッキ層を形成し、基板を発光構造物から分離し、基板が分離されて露出した各発光構造物の間の非導電性物質を除去し、ｎ型窒化ガリウム系半導体層上にｎ型電極を形成し、各発光構造物の間の金属シ−ド層及び第２メッキ層部分を除去することにより垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子を製作する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス層がエッチングされないようにしながら、窒化物半導体デバイス層を基板から剥離することができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法を、基板１２上に、エッチング犠牲層１３を形成する工程と、エッチング犠牲層１３上に、エッチングストッパ層２を形成する工程と、エッチングストッパ層２上に、窒化物半導体デバイス層１を形成する工程と、エッチング犠牲層１３を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含むものとし、エッチングストッパ層２を、窒化物半導体デバイス層１に正孔が蓄積することを防止する層とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層と異なる材料の基板を有する半導体発光素子において、発光波長の波長分布σを小さくする。
【解決手段】半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、半導体層が成膜される面に対向する裏面の表面粗さＲａが０．０００１μｍ〜３．０μｍであり、且つ反り量Ｈが−３０μｍ≦Ｈ＜０の範囲である基板１１に半導体層を成膜する半導体層成膜工程と、半導体層が成膜された基板１１の裏面を研削する研削工程と、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された少なくとも１つのＩＩＩ−Ｐ発光層を有する半導体構造を含む。該半導体構造は更に、ｘ＜０．４５であるＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘのｐコンタクト層を含んでいる。第１のメタルコンタクトが、前記ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘのｐコンタクト層と直接的に接触する。第２のメタルコンタクトが前記ｎ型領域に電気的に接続される。第１及び第２の金属コンタクトは、前記半導体構造の同一面に形成される。
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【課題】半導体基板上に形成されたエピタキシャル成長層に直接かつ全面にわたって安定的に密着される接着型半導体基板および半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１２上に組成式Ｉｎ_x（Ｇａ_1-yＡｌ_y）_1-xＰで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、Ｎ型クラッド層１４（０．４５＜ｘ＜０．５０，０≦ｙ≦１）と活性層１５とＰ型クラッド層１６とカバー層１７とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層１７をエッチングにて除去してＰ型クラッド層１６の表面を露出させる工程と、Ｐ型クラッド層１６の上に、鏡面加工されたＧａＰ基板１１を、被鏡面加工面がＰ型クラッド層１６に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、ＧａＡｓ基板１２側からエッチング処理を行いＮ型クラッド層１４を露出させる工程と、Ｎ型クラッド層１４の表面とＧａＰ基板１１の裏面に電極１９をそれぞれ形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザーリフトオフ時に支持基板やIII 族窒化物半導体層にクラックが生じるのを抑制すること。
【解決手段】第１金属層１６と、第２金属層１８とを約３００℃で圧着させ、貼り合わせる。これにより、ｐ電極１５とＳｉ基板１７とを第１金属層１６、第２金属層１８を介して接合する。次に、Ｓｉ基板１７を約２５０℃まで加熱した状態でレーザーリフトオフを行い、サファイア基板１０を分離する。加熱によりＳｉ基板１７の内部応力が緩和されているため、Ｓｉ基板１７やIII 族窒化物半導体層１４にクラックが生じるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板等の支持基板２０上に窒化ガリウム層３０を有する基板生産物１を製造する方法であって、窒化ガリウム基板１０の表面１０ａにイオン注入を行う工程と、表面１０ａを洗浄する工程と、表面１０ａと支持基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板１０のうち表面１０ａを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層３０を支持基板２０上に形成する工程とを含む。表面１０ａを洗浄する工程の際、洗浄後の表面１０ａにおけるＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，及びＳｉの密度を合計で１×１０^１８［ｃｍ^−３］以下とする。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの低廉化が図られた微細構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造物の製造方法は、薄膜を形成する工程と、薄膜をパターニングして第１薄膜パターンを形成する工程と、第１薄膜パターンを覆うように第２薄膜を形成する工程と、第１薄膜パターンの分布領域よりも広い領域に亘って形成され、複数の凸部を含む転写パターンが形成された型を準備する工程と、型を第２薄膜に押し当て、第２薄膜パターンを形成する工程と、第２薄膜パターンをマスクとして、第１薄膜パターンをパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

デバイスは、ｎ型領域（２２）とｐ型領域（２６）との間に配置された発光層（２４）を有する半導体構造を含む。該半導体構造は、ｎコンタクト領域（２３）及びｐコンタクト領域（２５）を含む。ｎコンタクト領域（２３）の断面は、発光層（２４）及びｐ型領域（２６）の部分が除去されてｎ型領域（２２）が露出された複数の第１の領域（２８）を有する。複数の第１の領域（２８）は、発光層（２４）及びｐ型領域（２６）が当該デバイス内に残存する複数の第２の領域（２７）によって離隔される。当該デバイスは更に、ｐコンタクト領域（２５）内で半導体構造上に形成された第１の金属コンタクト（４０）と、ｎコンタクト領域（２３）内で半導体構造上に形成された第２の金属コンタクト（３８）とを含む。第２の金属コンタクト（３８）は、ｎコンタクト領域（２３）の第２の領域（２７）のうちの少なくとも１つと電気的に接触する。
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【課題】小型化を実現することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１において、導電性を有する第１のベース基板１１及び第２のベース基板１２と、それらの間に配設された絶縁体４１と、第１のベース基板１１の第１の主面１１Ａ上に配設された半導体発光機能層２と、半導体発光機能層２を被覆する透明性を有する封止体７とを備える。半導体発光機能層２の第１の主電極２１は第１のベース基板１１に電気的に接続され、第２の主電極２３は第２のベース基板１２に電気的に接続されている。第１のベース基板１１の第２の主面１１Ｂ及び第２のベース基板１２の第４の主面１２Ｂにはバックグラインド処理がなされ、薄型化がなされている。 （もっと読む）

【課題】 素子の発光能力を十分発揮可能な発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 サファイア基板の上面に緩衝層を介して積層されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に積層されたｐ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層に接続されたｎ電極と、該ｐ型窒化物半導体層に接続されたｐ電極とを備えた発光ダイオードであって、該ｎ型窒化物半導体層は該サファイア基板の側壁の一部を覆うように該緩衝層上に積層されていて、該ｎ電極は該サファイア基板の側壁に積層された該ｎ型窒化物半導体層に配設され、該ｐ型窒化物半導体層は該ｎ型窒化物半導体層の側壁部を覆うように該ｎ型窒化物半導体層上に積層されていて、該ｐ電極は該ｎ型窒化物半導体層の該側壁部に積層された該ｐ型窒化物半導体層上に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子の発光能力を十分発揮可能な発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 サファイア基板の上面に緩衝層を介して積層されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に積層されたｐ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層に接続されたｎ電極と、該ｐ型窒化物半導体層に接続されたｐ電極とを備えた発光ダイオードであって、該ｎ電極は、該サファイア基板の下面から上面に貫通し、該緩衝層を介して該ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続される複数の貫通電極から構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上面と底面を有する基板と，基板の上面上に少なくとも１つの光活性層を備えた固体光源を提供する。
【解決手段】上面，底面，光活性層及び光活性層上の放出面のうちの少なくとも１つは，高さ（ｈ）を規定する高隆起部及び低隆起部を有する複数の傾斜した表面外観形状を有するパターン面からなり，複数の傾斜した表面外観形状は，最小横寸法を（ｒ）を規定する。複数の傾斜した表面外観形状は，３〜８５度の表面傾斜角を有する少なくとも１つの表面部を備える。パターン面の表面粗さは，１０ｎｍ ｒｍｓ未満であり，ｈ／ｒは，０．０５より大きい。 （もっと読む）

【課題】 色ムラを軽減し、小型化が可能な混色発光の発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置は、発光素子１と、発光素子の上面の周縁部に連続して設けられた電極７と、電極の内側に設けられた蛍光部材８と、を有することを特徴とする。本発明の発光装置の製造方法は、半導体積層構造体を準備する工程と、半導体積層構造体の上面に複数の領域を除いて電極を形成する工程と、複数の領域に電極が側壁となるように蛍光部材を設ける工程と、半導体積層構造体を切断して複数の発光装置とする工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子の発光能力を十分発揮可能な発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 サファイア基板の上面に緩衝層を介して積層されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に積層されたｐ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層に接続されたｎ電極と、該ｐ型窒化物半導体層に接続されたｐ電極とを備えた発光ダイオードであって、該ｎ電極は、該サファイア基板の下面から上面に貫通し、該緩衝層を介して該ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続される貫通電極から構成され、該ｐ電極は、該サファイア基板の下面から上面に貫通し、更に該ｎ型窒化物半導体層を貫通して該ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続される貫通電極とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

薄膜ＬＥＤは、絶縁基板と、絶縁基板上の電極と、電極上のエピタキシャル構造とを備える。
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【課題】ＬＥＤチップから放射される光を検出する光検出部が実装基板に一体に設けられた構成を採用しながらも、光取り出し効率の向上を図れ且つ光検出部のＳ／Ｎ比を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光部を構成するＬＥＤチップ１は、ｎ形窒化物半導体層１４とｐ形窒化物半導体層１６とを有するＬＥＤ薄膜部１２、カソード電極１８およびアノード電極１７がＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体１１の下面１１ａ側に形成され、当該錐体１１よりもＬＥＤ薄膜部１２が実装基板２の一表面に近くなる形で実装基板２に実装されている。実装基板２は、上記一表面からＬＥＤチップ１のＬＥＤ薄膜部１２および錐体１１の下部を囲む形で突出した壁部２ｂから錐体１１の下部へ向かって張り出した庇部２ｃを有し、該庇部２ｃに、ＬＥＤチップ１から放射される光を検出する光検出部４を設けてある。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス間の使用時における発光光量のばらつきを低減して、発光デバイス自体の歩留まり、品質を向上させる共に、発光デバイスを用いた各製品の歩留まり、品質を向上させる。
【解決手段】発光デバイス１０は、ＧａＡｓ基板１２上に、反射層１４が積層され、該反射層１４上に発光層１６が積層され、該発光層１６上に表面層１８が積層されて構成されている。表面層１８は、低屈折率膜１８ａと、該低屈折率膜１８ａよりも高い屈折率を有する膜（高屈折率膜１８ｂ）とが交互に積層されて構成されている。この場合、低屈折率膜１８ａと、高屈折率膜１８ｂとが１層ずつ交互に積層されて構成されていてもよい。表面層１８の最上層の膜が低屈折率膜１８ａであってもよい。発光層１６に隣接する膜が、高屈折率膜１８ｂであってもよい。 （もっと読む）