【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、少なくとも、第一主要表面及び第二主要表面を有する基板を提供するステップと、前記基板の第一主要表面上に複数の発光スタック層を形成するステップと、前記複数の発光スタック層上にエッチング保護層を形成するステップと、不連続なレーザ光により、前記基板に複数の不連続な穴を形成するステップと、前記複数の不連続な穴をエッチングするステップと、前記複数の不連続な穴に沿って前記基板を切断するステップと、を含む。前記発光素子の前記基板の側壁は、第一構造面及び第二構造面を少なくとも含み、前記第一構造面は、実質的に平坦な表面であり、前記第二構造面は、実質的に不平坦な表面である。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】左右対称な配光分布を得ることができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導体からなり、（００１）面に対して［１１０］方向に傾斜した主面を有する第１の基板上に、閃亜鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導体からなり、発光ダイオード構造を形成する半導体層１２を成長させ、第１の基板の半導体層１２側を第２の基板１４に貼り合わせ、第１の基板を除去して半導体層１２を露出させ、露出した半導体層１２上に、長辺が［１１０］方向または［−１−１０］方向に延び、短辺が［−１１０］方向または［１−１０］方向に延びる長方形の平面形状を有するエッチング用マスク１５を形成し、エッチング用マスク１５を用いて半導体層１２をウエットエッチングによりパターニングする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光を検出する光検出部が実装基板に一体に設けられた構成を採用しながらも、光取り出し効率の向上を図れ且つ光検出部のＳ／Ｎ比を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光部を構成するＬＥＤチップ１は、ｎ形窒化物半導体層１４とｐ形窒化物半導体層１６とを有するＬＥＤ薄膜部１２、カソード電極１８およびアノード電極１７がＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体１１の下面１１ａ側に形成され、当該錐体１１よりもＬＥＤ薄膜部１２が実装基板２の一表面に近くなる形で実装基板２に実装されている。実装基板２は、上記一表面からＬＥＤチップ１のＬＥＤ薄膜部１２および錐体１１の下部を囲む形で突出した壁部２ｂから錐体１１の下部へ向かって張り出した庇部２ｃを有し、該庇部２ｃに、ＬＥＤチップ１から放射される光を検出する光検出部４を設けてある。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス間の使用時における発光光量のばらつきを低減して、発光デバイス自体の歩留まり、品質を向上させる共に、発光デバイスを用いた各製品の歩留まり、品質を向上させる。
【解決手段】発光デバイス１０は、ＧａＡｓ基板１２上に、反射層１４が積層され、該反射層１４上に発光層１６が積層され、該発光層１６上に表面層１８が積層されて構成されている。表面層１８は、低屈折率膜１８ａと、該低屈折率膜１８ａよりも高い屈折率を有する膜（高屈折率膜１８ｂ）とが交互に積層されて構成されている。この場合、低屈折率膜１８ａと、高屈折率膜１８ｂとが１層ずつ交互に積層されて構成されていてもよい。表面層１８の最上層の膜が低屈折率膜１８ａであってもよい。発光層１６に隣接する膜が、高屈折率膜１８ｂであってもよい。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオードを製造する方法であって、半導体ボディ（１０）を備えている発光ダイオードチップ（１）を形成するステップと、発光ダイオードの動作時に発生する電磁放射（４）の少なくとも一部分がルミネセンス変換材料（３）に入射するように、半導体ボディ（１０）の外面にルミネセンス変換材料（３）を溶射によって塗布するステップと、を有する方法、を開示する。 （もっと読む）

【課題】熱を効率的に外部に放出することができるとともに、製造コストを抑えることができる半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設置されたヒートシンクとを備え、ヒートシンクは、高熱伝導率層と低熱膨張率層と高熱伝導率層とがこの順序で積層された積層構造体、または低熱膨張率層と高熱伝導率層と低熱膨張率層とがこの順序で積層された積層構造体を含み、積層構造体の厚み方向の中央部から上方の部分と積層構造体の厚み方向の中央部から下方の部分とが積層構造体の厚み方向の中央部に関して対称となっている半導体デバイスとその製造方法である。 （もっと読む）

少なくとも一実施形態において、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、半導体積層体（２）を備えている。半導体積層体（２）は、一次放射（Ｐ）を発生させる少なくとも１層の活性層（３）を含んでいる。半導体積層体（２）は、複数の変換層（４）をさらに備えており、これらの変換層（４）は、一次放射（Ｐ）の少なくとも一部分を吸収し、それを、一次放射（Ｐ）よりも長い波長を有する二次放射（Ｓ）に変換するように構成されている。半導体積層体（２）は、少なくとも一部分が変換層（４）の中まで延びている粗面化領域（５）をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率及び高い信頼性を有する半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、第１のクラッド層と第２のクラッド層との間に形成された活性層と、第２のクラッド層の上に中間層及び第１の透明導電層を順次積層して形成された拡散制御層と、拡散制御層よりも低い不純物濃度を有する第２の透明導電層と、第２の透明導電層よりも高い不純物濃度を有する第３の透明導電層と、からなり、中間層と第１の透明導電層との界面が格子不整合界面であること。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】密着性を高めた電極を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１と、前記基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とがこの順序で積層されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６に接合された一方の電極１１１と、ｎ型半導体層１０４に接合された他方の電極１０８と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８の一方または両方が、オーミックコンタクト層５１と金属反射層５２と第１の拡散防止層５３と第１の密着層５４とがこの順序に積層されてなる構造を有しており、かつ、第１の密着層５４の外縁部が前記積層半導体層と接して張り出して形成され、第１の拡散防止層５３を完全に覆っている半導体発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】発光に寄与しない炭素と酸素の不純物含有量を減少して、窒化物蛍光体の発光強度の低下を抑制し、当該窒化物蛍光体の発光効率を向上できること。
【解決手段】窒化物蛍光体の原料を窒化ホウ素材質の焼成容器内に充填し、窒素などの不活性雰囲気中で焼成して窒化物蛍光体を製造し、得られた窒化物蛍光体が、不純物炭素含有量が０．０８重量％より少ない窒化物蛍光体、不純物酸素含有量が３．０重量％より少ない窒化物蛍光体である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体結晶から構成されているＬＥＤとの線膨張率差が小さくしかも熱伝導性に優れた、ＬＥＤ搭載構造体と、ＬＥＤ搭載構造体の製造方法と、ＬＥＤ搭載構造体を製造するためのＬＥＤ搭載用基板を提供する。
【解決手段】気孔率が１０〜５０体積％である炭化珪素多孔体にシリコン又はシリコン合金を含浸させてなり、３点曲げ強度が５０〜３５０ＭＰａ、少なくとも一面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１〜０．５μｍ、板厚が０．０５〜０．５ｍｍであることを特徴とするＬＥＤ搭載用基板。それを用いたＬＥＤ搭載構造体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に反射膜２を介して接合され、支持基板１側から光出射面１１に向かって先細り形状になるように傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備え、窒化物系半導体素子層９は、反射膜２の面上に形成され、窒化物系半導体素子層９の側面９ａは、反射膜２の窒化物系半導体素子層９が形成された面に達するまで傾斜している。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板上に成長された活性層を含み発光強度を向上可能なウエハ生産物を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０５において、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮといったIII族窒化物からなるバッファ層１３を酸化ガリウム基板１１の主面１１ａ上に摂氏６００度で成長する。バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。III族窒化物半導体層１５の堆積は、改質されたバッファ層上に行われる。改質されたバッファ層は例えばボイドを含む。III族窒化物半導体層１５はＧａＮ及びＡｌＧａＮからなることができる。これらの材料でIII族窒化物半導体層１５を形成するとき、改質されたバッファ層１４上に良好な結晶品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】活性層における光吸収を低減しつつ、光取り出し効率を改善可能な発光素子を提供する。
【解決手段】井戸層及び障壁層を有する多重量子井戸を含み、非発光領域と前記非発光領域の周囲に形成される発光領域とを有する活性層と、前記活性層の第１の主面の上に設けられた第１のクラッド層と、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて中心が前記非発光領域の中心近傍となるように、前記第１のクラッド層の上に設けられたパッド電極と、前記第１の主面とは反対側の前記活性層の第２の主面の下に設けられた第２のクラッド層と、を備え、前記非発光領域における前記井戸層のバンドギャップは、前記発光領域における前記井戸層のバンドギャップよりも広く、かつ前記第１のクラッド層のバンドギャップよりも狭いことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高い半導体デバイスが得られる安価なＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１は、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａと、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａと化学組成が異なる基礎基板１０と、が貼り合わせられた基板であって、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａは、基礎基板１０と接合する主面２０ｎを有し主面２０ｎに平行な２次元方向に屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶構造層２０ｐを含む。 （もっと読む）

【課題】紫外線光または青色光を発光するLEDチップを使用して複合波長、即ち、白色光
やいろいろな単一波長の光またはこれらの単一波長の光が混合された光を放出するLED素
子として、接着剤などを使用しないで、単純化された工程を使用する、複合波長の光を放
出するLED素子の製造方法を提供する。
【解決手段】LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulse
d DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均
一に蒸着する。スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を
使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。
蛍光膜を蒸着させた後に前記のマスクパターンを除去することによって複合波長の光を発
生するLED素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハが収容された状態で意図せず乾燥してしまうことを防止することが可能なウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置を提供すること。
【解決手段】 コンベア１によって搬送されるウエハＷｆを収容カゴ３に収容する、ウエハ搬送方法であって、コンベア１によって鉛直方向と異なる方向に搬送されるウエハＷｆを、方向転換器２によってその面内方向が鉛直方向に沿い、かつ鉛直方向下方に進行するようにウエハＷｆの進行方向を転換した後に、ウエハＷｆを、液体Ｌｑ中に配置されかつ鉛直上方に開口する収容カゴ３に収容する。 （もっと読む）