【課題】本発明の目的は、優れたエピタキシャル層の特性やデバイス特性を得ることができるように窒化物系化合物半導体の状態が制御された複合基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の複合基板は、窒化物系化合物半導体からなる第１の基板と、該第１の基板を構成する窒化物系化合物半導体以外の物質からなる第２の基板とを貼り合わせてなるエピタキシャル層成長用の複合基板であって、該窒化物系化合物半導体は、六方晶の結晶構造を有し、該第１の基板に対して＜０００１＞方向からレーザ光を入射させることにより後方散乱配置Ｚ（Ｘ，Ｘ）−Ｚ＋Ｚ（Ｘ，Ｙ）−Ｚにて得られるバックグラウンドを除いたラマン散乱スペクトルのＥ₂^Hモードのピーク強度をＩ１とし、３７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1または６７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1のピーク強度をＩ２とする場合、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
０≦Ｉ２／Ｉ１≦０．３５ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置の製造方法は、基板と、発光層を有する積層体と、ｐ側電極及びｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側金属配線層と、ｎ側金属配線層とを含む積層構造が、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーと、ｐ側金属配線層とｎ側金属配線層との間の空間、およびｐ側金属ピラーとｎ側金属ピラーとの間の空間に充填された充填層とを含む支持体に支持され、且つ基板と反対側の面において前記支持体が装置の外面となっている状態で基板を積層体から除去する。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板から得られる複数の半導体発光素子の構造のばらつきを抑制することのできる半導体発光素子の製造方法および半導体積層基板を提供する。
【解決手段】サファイアウエハＷＡの一方の面に、逐次露光方式を用いて凸部および平面を有する凸部形成領域ＳＡと、位置決め用のマークＭを有するマーク形成領域ＭＡとを形成する。その後、サファイアウエハＷＡの一方の面にＩＩＩ族窒化物半導体層を積層した半導体積層基板を作成し、マークＭの形成位置の読み取り結果に基づいて、逐次露光方式を用いて複数の半導体発光素子に対応した電極構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
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【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による発光素子は、発光ダイオードチップ、基板及び接合層を含む。発光ダイオードチップは、複数の発光ダイオードユニット、複数の電極及び少なくとも一つの電気接続層を含む。複数の発光ダイオードユニットは、電気接続層を介して互いに電気的に接続され、また、接合層を介して基板と接合される。基板の中は、複数の通路を有し、その上は、発光素子の発光に必要な電力を提供する複数の外部電極を有する。 （もっと読む）

【課題】色度特性の優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１の主面と第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有する第１の半導体層と、第１の半導体層の第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、第１の半導体層の第２の主面に設けられた第１の電極と、第２の半導体層における第１の半導体層の反対側の面に設けられた第２の電極と、発光層の端部を含む第２の半導体層の側面に設けられた絶縁膜と、第２の電極側から発光層の端部に向けて設けられ、絶縁膜を介して発光層の端部に対向する金属膜と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化物半導体層を酸化ガリウム基板の上に具現して剥離の問題を解決した高性能の窒化物半導体発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムに関するものである。本発明に従う発光素子は、酸化ガリウム基板の上にガリウムアルミニウムを含む酸化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む酸化物の上にガリウムアルミニウムを含む窒化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む窒化物の上に発光構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の信頼性および半導体発光素子の製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む複数の半導体積層体を、支持基板の第１の主面の上に間隙を隔てて選択的に形成する工程と、前記複数の半導体積層体のそれぞれと、他の支持基板と、を接合材により接合する工程と、前記支持基板の前記第１の主面とは反対側の第２の主面からレーザ光を入射し、前記接合材には前記レーザ光を照射せずに、前記複数の半導体積層体に前記レーザ光を照射して前記複数の半導体積層体から前記支持基板を剥離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層とを含み、ｎ型クラッド層は複数の窒化物半導体層と、該複数の窒化物半導体層の間に配された少なくとも一つの中間層と、その内部にビアホールとを含み、該ビアホールに電極が備えられた発光素子。 （もっと読む）

【課題】装置への実装の自由度が高くかつ光の取り出し効率が高い微細な棒状構造発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１１上に、成長穴１２aを有する成長マスク１２を形成する工程と、成長マスク１２の成長穴１２aにより露出したサファイア基板１１の露出領域上に、ｎ型ＧaＮからなる棒状の半導体コアを形成する工程と、半導体コアの被覆部分を覆うようにｐ型ＧaＮからなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、その半導体層形成工程の後、半導体コアの露出部分を露出するように成長マスク１２をエッチングにより除去する成長マスク除去工程と、成長マスク除去工程の後に露出部分および被覆部分を含む半導体コアを、サファイア基板１１から切り離す切り離し工程を備える。上記成長マスク１２の成長穴１２aの内周側かつサファイア基板１１側に、サファイア基板１１側に向かって内径が小さくなるように絞り部１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光を有効に発光させ、或いは発光した光を効率的に捕捉するためには発光する化合物半導体膜の直下に導電性のある透明膜や反射膜を持つ基板構造であることが望まれる。しかしながらこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。
【解決手段】本発明はサファイア基板に結晶構造を持つ化合物半導体を形成してその上に導電性反射膜や酸化膜面などを設けてもう一枚の基板と親和性の良い表面の状態で貼り合わせ、その後にサファイア基板をリフトオフなどにより除去して、結晶構造の化合物半導体の下に導電性反射膜や透明導電膜を有する基板を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】個々の半導体発光装置を区画する素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜の側面の所定位置で終端している保護膜を安定的に形成することにより、高い歩留りを確保する。
【解決手段】成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。素子分割溝を形成する工程は、エッチングによる表出面の半導体膜２０の主面に対する傾斜角が第１の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後に、エッチングによる表出面の半導体膜２０に対する傾斜角が第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングして傾斜角が異なる表出面を形成する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】本方法において、III族窒化物半導体化合物の多層構造体が、基板のでこぼこな表面上にエピタキシー成膜される。次に、該基板を取り除き、基板のでこぼこな表面に対応する多層構造体のでこぼこな表面を露出させる。次に、該多層構造体の露出させたでこぼこな表面の一部をエッチングし、電極層を形成するための電極接触面を形成する。この方法では、基板のでこぼこな表面に特定の平坦な領域を必要としない。その結果、基板の平坦化処理は不要である。でこぼこな表面を有する同じ基板を、垂直型と水平型の発光ダイオードを製造するために使用することが出来る。 （もっと読む）

【課題】反応室の内部に設けられる石英製の部材の損傷を防止しつつ、石英製の部材から剥がれた反応生成物が被形成体に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態の発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にIII族窒化物半導体層を形成するものである。そして、本実施形態の発光素子の製造方法は、第１組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０１）、清掃工程（Ｓ１０２）、第２組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０３）、及びチップ化工程（Ｓ１０４）を含んで構成されている。ここで、第１組目のウェハ群の製造工程において、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に設けられる保護部材に反応生成物が付着する。そして、清掃工程において、ブラスト処理を用いて保護部材に付着する反応生成物の除去を行う。これにより、保護部材の受ける損傷を抑制しつつ、第２組目のウェハ群の製造工程において、ウェハへの反応生成物の混入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ｎ型電極とｎ型窒化ガリウム層のコンタクト抵抗を軽減し、熱的安定性を向上さ
せることができる縦型発光ダイオード素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る縦型発光ダイオード素子は、ｎ型電極１６０と、前記ｎ型電極
１６０の下面に形成されて、前記ｎ型電極１６０と接する表面にＮ元素よりＧａ元素が多
く含有されたＧａ⁺Ｎ層１１０ｃを有するｎ型窒化ガリウム層１１０と、前記ｎ型窒化ガ
リウム層１１０の下面に形成された活性層１２０と、前記活性層１２０の下面に形成され
たｐ型窒化ガリウム層１３０と、前記ｐ型窒化ガリウム層１３０の下面に形成されたｐ型
電極１４０と、前記ｐ型電極１４０の下面に形成された構造支持層１５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】広い波長範囲にわたって高い反射率を有する分布ブラッグ反射器、それを採択した発光ダイオードチップ及び発光ダイオードパッケージを提供する。
【解決手段】
本発明による発光ダイオードチップは、基板、前記基板の上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の間に配置された活性層を含む発光構造体及び前記発光構造体から放出された光を反射する分布ブラッグ反射器を含む。前記分布ブラッグ反射器は青色波長領域の第１波長の光、緑波長領域の第２波長の光及び赤色波長領域の第３波長の光に対して９０％以上の反射率を有する。 （もっと読む）

【課題】色度特性の優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１の主面と第１の主面の反対側に形成された第２の主面と側面とを有する第１の半導体層と、第１の半導体層の第２の主面に設けられ発光層を含む第２の半導体層と、第１の半導体層の第２の主面及び第２の半導体層における第１の半導体層の反対側の面に設けられた電極と、第１の半導体層の第２の主面側に形成された第１の面と第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する絶縁層と、絶縁層の第２の面側に設けられた外部端子と、第１の半導体層の第１の主面上および前記外部端子よりも上の絶縁層の第１の面上で第１の半導体層の側面に隣接する部分に設けられた蛍光体層と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】良好な出射光の放射パターンを得ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００では、活性層１０６のうちの少なくとも一部は、活性層１０６の電流経路となる利得領域を構成し、利得領域１６０は、第１面１０５側の第１端面１７０から第２面１０７側の第２端面１７２に向けて、設けられ、第１端面１７０は、第２端面１７２より、第１面１０５の垂線Ａと直交する第１方向（＋Ｘ方向）に位置し、第１端面１７０は、光路長補正部材１８０によって覆われた活性層１０６の出射面であり、第１端面１７０から出射された光は、光路長補正部材１８０内を進行し、光路長補正部材１８０の出射面１８０ａから出射され、光路長補正部材１８０の出射面１８０ａと、第１端面１７０と、の間の距離は、第１方向（＋Ｘ方向）に向かうに従って小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ ＬＥＤのような半導体デバイスにおいて、金属支持膜を使用して縦方向デバイスを製作する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮをベースにした半導体層１２０と薄い透明なコンタクト１９０が、通常の技術を使用してサファイアのような絶縁基板１２２上に作られる。誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングによって、前記半導体層を通して絶縁基板中に、個々のデバイスの境界を画定するトレンチが形成される。続いて、第１の支持構造２００が前記半導体層に取り付けられ、レーザ照射により前記絶縁基板が除去され、導電性である第２の支持構造で置き換えられ、その後、前記第１の支持構造が除去される。次に、第２の支持構造を通してエッチングされ、個々のデバイスにダイシングされる。前記第２の支持構造と半導体層の間には、チタン層およびアルミニウム層で構成された導電性反射構造を、挿入することができる。 （もっと読む）

【課題】剥離面がナノオーダーの平坦性を持つ化合物半導体エピタキシャルフィルムを得る条件を備えた半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１００は、半導体基板（例えば、ＧａＡｓ基板１０１及びバッファ層１０２）と、この上に形成された剥離層１０３と、この上に形成された化合物半導体エピタキシャル層１０４とを有し、剥離層１０３の厚さを２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満にしたものである。また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 （もっと読む）