【課題】透明性、耐光性、耐熱性、密着性、及びパターニング性に優れ、かつ、少ない工程数で製造しうる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、支持基板２と、支持基板２の上方に形成された半導体層４〜６と、半導体層の上面に形成された電極層７と、電極層７の一部が露出するように形成された、半導体層４〜６を保護するための保護層８と、保護層８の表面に形成され、電極７を電気的に連結する配線９を含む。保護層８は（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に接合界面における剥がれが発生することが抑制された直接接合型の発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなる化合物半導体の一方の主表面に、透明半導体基板を直接貼り合わせ、その後接合熱処理を行う発光素子の製造方法であって、前記直接貼り合わせ後から前記接合熱処理までの間、貼り合わせた基板を、２５℃での相対湿度１０％（絶対湿度２．３ｇ／ｍ^３）以下の環境で保管することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ ＬＥＤの出力の増大、起動電圧の低下、直列抵抗の低減を実現する。
【解決手段】活性層６０を挟むｎ型ＧａＮ層４０とｐ型ＧａＮ層５０とを有するＧａＮ多層構造３０を基板２０上に形成する工程と、ｐ型ＧａＮ層に対してレーザ光を走査させるレーザスパイクアニール（ＬＳＡ）を実行する工程を備える。さらに、ＧａＮ多層構造上に透明導電層７０を形成する工程と、透明導電層にｐ型コンタクト９０ｐを追加すると共にｎ型ＧａＮ層にｎ型コンタクト９０ｎを追加する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、密着性、及びパターニング性に優れ、かつ、少ない工程数で製造しうる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、支持基板２と、支持基板２の上面に形成された半導体層３〜６と、半導体層の上面に形成された電極７〜８と、電極８の一部が露出するように形成された、半導体層３〜６を保護するための保護層１４を含む。保護層１４は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフを用いた半導体発光素子の製造方法において、歩留まり及び発光出力の向上を図ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】成長用基板の第１主面上に第１半導体層、活性層及び第２半導体層からなる半導体成長層を形成する工程と、第２半導体層の上に互いに離間した複数の接合電極と、第２半導体層に接合電極の各々を囲む格子状の誘導溝と、を形成する工程と、接合電極を介して支持体と半導体成長層とを接合する工程と、レーザを照射して成長用基板を剥離する工程と、半導体成長層を半導体発光素子の素子領域ごとに分割する工程と、支持体を切断して半導体発光素子ごとに分離する工程と、有し、除去領域は誘導溝が形成された領域を含み、誘導溝によって形成される第２半導体層の側壁は、誘導溝の交差部において面取りされた形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶層の表面に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが可能なエピタキシャルウエハ及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。このＬＥＤウエハ１０Ａの表面１４Ａに、均一な膜厚のレジスト膜４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子ＬＣは、基板１１０と、凹凸を持った下面１３０ａの凸部１３０ｃにおいて基板１１０と接触する下地層１３０と、下地層１３０に接触して設けられるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０に接触して設けられる発光層１５０と、発光層１５０に接触して設けられるｐ型半導体層１６０とを備えている。積層半導体層１００と基板１１０との屈折率差より、積層半導体層１００と下地層１３０の凹部１３０ｄを占める媒体との屈折率差を大きくして、矢印Ｂ方向に進む光を矢印Ａ方向に反射させる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法によって作製したデバイスを提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。作製されたデバイスは端面が成長によるファセットで形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤色発光波長を有して単色性に優れ、植物育成用の照明に好適であり、ガスや水分による劣化が防止できる発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、樹脂容器６１の凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部６１ａの内側に設けられるとともに導体部と電気的に接続され、ｐｎ接合型の発光部を含む化合物半導体層を備えており、発光部が、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）からなる積層構造を有する発光素子３０と、発光素子３０から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１において当該発光素子３０を封止する、エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５の範囲とされた樹脂組成物からなる封止樹脂６５と、が備えられる。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の高い発光装置を得る。
【解決手段】 透光性基板の下側に半導体層を有し、該半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子と、上面に、電極と電気的に接続される導体配線を有する基体と、発光素子を被覆し、基体の上面に設けられる透光性の封止部材と、を有する発光装置であって、発光素子は、透光性基板の上面は表面粗さＲａ１の粗面領域を有し、基体の上面は、表面粗さＲａ１よりも大きい表面粗さＲａ２を有する粗面領域を有することを特徴とする。これにより、光の取り出し効率の高い発光装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】素子単位に分離するための分離溝の形成時に生じる付着物を除去するために酸を用いた場合であっても、半導体層に悪影響を与えることのない、耐酸性及びクラック耐性に優れた保護層形成用組成物、及び、該組成物を用いた、光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】保護層形成用組成物は、シロキサン系重合体及び有機溶媒を含む。光半導体素子の製造方法は、基板１上に形成された半導体層２、３の表面に保護層形成用組成物を塗布して保護層４を形成する工程と、保護層４の上方からレーザーを照射して、分離溝６を形成する工程と、分離溝６の形成時に生じた付着物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】電極金属によって遮光されることなく発光部からの出射光を取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００において、基板１１０の表面又は前記基板の表面に形成された接合層１１２の表面に密着固定されている複数の単結晶半導体薄膜１２０と、前記単結晶半導体薄膜の発光部の第１導電側の電極１３２及び第２導電側の電極１１２にそれぞれ接続される第１導電側金属層１３０と第２導電側金属層１１４とを備え、前記第１導電側金属層の上面と前記第２導電側金属層の上面との双方が、前記発光部の上面よりも、前記基板側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上にIII族窒化物系化合物半導体層を接合する。
【解決手段】窒化ガリウム基板１０は、ガリウム極性のｃ面１０_Gaと窒素極性のｃ面１０_Nを有する（１．Ａ）。１０_N側から水素イオンを注入して変質層（変質領域）１９を形成した。変質層（変質領域）１９を有する窒化ガリウム基板１０’は、変質層（変質領域）１９により薄膜部１０ｆと残部である厚膜部１０ｒとに分けられた（１．Ｂ）。セラミック焼結体から成り、表面２０ａの平均粗さが０．１μｍであるセラミック基板２０を用意した（１．Ｃ）。支持基板となるセラミック基板２０−１を加熱と共に加圧接合した（１．Ｄ）。更に加熱して、変質層（変質領域）１９を破壊し、厚膜部１０ｒが分離され、支持基板であるセラミック基板２０とその上に接合した厚さ薄膜部１０ｆの構成の、ウエハ（テンプレート基板）１００が得られた。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。工程Ｓ１０５では、バイアス依存性から、基板主面の選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。工程Ｓ１０６では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低く、かつ高い発光効率の窒化物半導体発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上に設けられた窒化物半導体発光層と、窒化物半導体発光層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に設けられた第１の反射層と、第１の反射層上に設けられた第２の反射層と、を含み、第１の反射層は、第１の導電性酸化物層と、第１の導電性酸化物層とは屈折率が異なる第２の導電性酸化物層と、を含み、第２の反射層は金属層である窒化物半導体発光ダイオード素子である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を構成する積層半導体層を基板から容易に剥離できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、基板上に、基板の表面の一部が露出するように犠牲層を形成する犠牲層形成工程（Ｓ１０１）と、基板の露出した表面上および犠牲層上に積層半導体層を形成する積層半導体層形成工程（Ｓ１０２）と、積層半導体層側より、基板に到達するとともに、犠牲層の側面が露出するように溝を形成する溝形成工程（Ｓ１０３）と、犠牲層を除去する犠牲層除去工程（Ｓ１０４）と、ｎ電極およびｐ電極を形成する電極形成工程（Ｓ１０５）と、積層半導体層を基板から剥離する基板剥離工程（Ｓ１０６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光装置の製造方法は、仮基板の主面上に発光層を含む半導体層と第１の配線層を形成する工程と、半導体層及び第１の配線層を溝によって複数のチップに分離する工程と、仮基板の主面と第２の配線層が形成された支持基板の主面とを対向させ、仮基板上の複数のチップのうち隣り合わない複数の接合対象チップの各々の第１の配線層を一括して第２の配線層に接合させる工程と、接合されたチップと仮基板との界面にレーザ光を照射してチップと仮基板とを分離させ、複数のチップを仮基板から支持基板に一括して移す工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系半導体発光素子において成長用基板とその上に形成される電極とのオーミック接触を向上させるとともに、酸化亜鉛系半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させることができる製造方法及び当該製法によって製造される酸化亜鉛系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】組成がＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（0≦ｘ≦0.68）である基板の第１主面上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次形成する工程と、基板の第２主面に基板の内部に向かって伸長するマイクロクラックを形成する工程と、１００℃以上の温度で加熱処理を行う工程と、基板の第２主面上にＡｌ、Ｇａ合金又はＩｎ合金のいずれか１つからなる金属材料を堆積し、３００〜１０００℃の温度で加熱処理を施して電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）