半導体発光素子及び半導体発光装置
【課題】活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及び半導体発光装置に関し、特に、活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（light emitting diode）やＬＤ（laser diode）などの半導体発光素子は、各種の発光波長が得られ、小型で発光効率が高く、寿命も長いことから、表示装置、照明装置、通信装置、センサなどに広く利用されている。
これら半導体発光素子では、ＧａＡｓやサファイアなどからなる基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層などを含む半導体多層膜がエピタキシャル成長により直接成長、あるいは異種基板との貼り合せ等の方法で形成され、さらにｎ型層、ｐ型層のそれぞれに電極が形成されている。（例えば、特許文献１及び２）
【０００３】
しかし、このような半導体発光素子の場合、活性層から放出された光の取り出し効率が必ずしも十分に高くはなかった。
すなわち、活性層から下方に放出された光は、基板の下に設けられた電極に入射する。しかし、電極との接触部の近傍において、基板には電極材料との合金化領域が形成されているため、活性層から放出された光は吸収されやすくなり、チップ内部で損失が生ずるという問題がある。
【０００４】
また、下側の電極により反射された光は、活性層を通過する際に、光吸収により減衰し、反射光を十分に活かせないという問題もある。
【０００５】
また一方、チップ側面などで全反射が生じやすいという問題もある。すなわち、このようなＬＥＤは、通常は、ヘキ開やダイシングによって６つの平滑な面を持った直方体状に加工され、モールド樹脂などにより覆われる。ところが、半導体結晶の高い屈折率（３．５程度）とモールド樹脂の低い屈折率（１．５程度）との大きな相違により、これらの界面で全反射が起こりやすくなる。このため、チップ内部で発光した光がチップ外部に取り出される確率が低下する。
【０００６】
光取り出し効率の低下に対する改善策として、ウェットエッチング等により表面を粗面化して凹凸を形成する方法（例えば、特許文献２）がある。しかし、実装部材の上にマウントされたチップ内の底面方向への発光を取り出すには、表面を粗面化しても効果がない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３５３５０２号公報
【特許文献２】特開２００１−２１７４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様によれば、第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【００１０】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、実装部材と、前記実装部材にマウントされた上記のいずれかの半導体発光素子と、を備え、前記実装部材は、前記半導体発光素子の前記基板の側面から放出される光を反射する反射部を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
【図２】活性層３から放出された光の取り出し経路を例示する模式図である。
【図３】本発明の実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
【図４】本発明の実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
【図５】ＧａＰ基板１の裏面に形成した粗面９を表す顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図７】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図８】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図９】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図１０】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図１１】粗面９における光の取り出しを説明するための模式図である。
【図１２】本発明の実施形態の変型例における光の取り出し経路を例示した模式図である。
【図１３】本発明の実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式図である。
【図１４】本発明の実施形態の半導体発光素子を実装部材にマウントした状態の断面構造を例示する模式図である。
【図１５】ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
【図１６】ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
【図１７】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図１８】本発明の実施形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
【図１９】半導体発光素子の表面に形成された電極パターンを例示する平面図である。
【図２０】本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体発光素子の模式断面図である。
【図２１】ボンディング・パッド７Ａの下で散乱された光を素子の側面に向けて反射させ、外部に取り出す様子を例示する模式図である。
【図２２】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図２３】本発明の実施形態の第２の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図２４】本発明の実施形態の半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
【図２５】半導体発光素子のボンディング・パッドの部分の拡大図である。
【図２６】融着部８０の下で生じた発光の一部を、延伸電極部７Ｄの隙間から外部に取り出す様子を例示した模式図である。
【図２７】本発明の実施形態における電極パターンを例示する模式図である。
【図２８】本発明の実施形態における電極パターンの他の具体例を表す模式図である。
【図２９】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式図である。
【図３０】本発明の実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図３１】本発明の実施形態のさらに他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図３２】本発明の実施形態の半導体発光装置を表す模式断面図である。
【図３３】半導体発光装置の他の具体例を表す模式断面図である。
【図３４】半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。
【図３５】半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。
【図３６】半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
すなわち、本具体例の半導体発光素子は、基板１の上に、クラッド層２、活性層３、クラッド層４、電流拡散層５がこの順に積層された構造を有する。電流拡散層５の上には図示しないコンタクト層を介して電極７が設けられている。一方、基板１の裏面側の一部には電極８が形成され、残余の部分は凹凸状の粗面９とされその表面に反射膜１０が被着されている。
【００１４】
基板１は、活性層３から放出される光に対して透光性を有する。例えば、基板１はｐ型ＧａＰからなり、クラッド層２はｐ型ＩｎＡｌＰ、活性層３はＩｎＧａＡｌＰ、クラッド層４はｎ型ＩｎＡｌＰ、電流拡散層５はｎ型ＩｎＧａＡｌＰにより形成できる。この場合、電流拡散層５と電極７との間に設けるコンタクト層としては、ｎ型ＧａＡｓを用いることができる。
【００１５】
ＧａＰ基板１の上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させることは困難であるので、一旦、ＧａＡｓ基板の上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体の積層構造６をエピタキシャル成長させ、その上にウェーハ接着技術によってｐ型ＧａＰ基板１を貼り合わせ、ＧａＡｓ基板をエッチングなどによって除去することによって、本具体例の積層構造を形成できる。
【００１６】
また、反射膜１０としては、例えば金（Ａｕ）などの金属や、誘電体などを用いることができる。この時、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用い、その屈折率と厚みとの関係から反射率が極大となる、いわゆる「ＨＲ（High Reflectance：高反射率）コート」を用いてもよい。またさらに、反射膜１０として、互いに屈折率が異なる２種類の半導体層を交互に積層させたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射鏡）を用いてもよい。
【００１７】
本実施形態においては、基板１の裏面に粗面９と反射膜１０とを設けることにより、活性層３から下方に放出された光の取り出し効率を改善できる。
図２は、活性層３から放出された光の取り出し経路を例示する模式図である。
活性層３から放出された光は、同図に矢印で表したように、粗面９と反射膜１０によって基板１の側面１Ｓの方向に散乱される。散乱された光は、基板１の側面１Ｓに対して比較的小さな角度（側面１Ｓに対して垂直に近い角度）で入射するので、側面１Ｓにおいて全反射されることなく外部に放出される。前述したように、このような半導体発光素子は、通常は屈折率が１．５程度の透光性樹脂により封止されるため、チップ内部から放出された光は半導体層と樹脂との界面において全反射されやすい。これに対して、本実施形態においては、粗面９と反射膜１０とによって光を散乱させ、基板１の側面１Ｓに対して小さな角度で入射させることができるので、全反射されることなく光を外部に取り出すことができる。
【００１８】
また仮に、基板１の裏面に粗面９を設けずに平坦な反射膜を設けた場合、活性層３から下方に放出された光はこの反射膜により上方に向けて反射される。しかし、この場合には反射された光が活性層３を通過するため、再吸収により損失が生ずる。これに対して、本実施形態においては粗面９を設けることにより光を側面１Ｓの方向に散乱させ、吸収による損失を抑制できる。
【００１９】
また仮に、基板１の裏面の全面に電極８を形成した場合、基板１と電極８との界面に合金化領域が形成され、活性層３から放出された光が吸収され損失が生ずる。これに対して、本実施形態によれば、粗面９の上には合金化領域は存在せず、粗面９と反射膜１０とにより高い効率で光を反射させることができる。その結果として、吸収による損失を抑制できる。
【００２０】
次に、本実施形態をＩｎＧａＡｌＰ系発光素子に適用した場合を例に挙げて、その製造方法について説明する。
図３及び図４は、本実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
まず、図３（ａ）に表したように、ｎ型ＧａＡｓ基板９２の上に、ＩｎＡｌＰエッチング停止層９４、ＧａＡｓコンタクト層２６、ＩｎＧａＡｌＰ電流拡散層５、ｎ型ＩｎＡｌＰクラッド層４、ＩｎＧａＡｌＰ活性層３、ｐ型ＩｎＡｌＰクラッド層２、ＩｎＧａＰ接着層３４、ＩｎＡｌＰカバー層９６を成長させる。ｎ型ＧａＡｓ基板９２としては、例えば、直径３インチ、厚さ３５０μｍ、シリコン（Ｓｉ）ドープでキャリア濃度は約１×１０１８／ｃｍ３ の鏡面仕上げのものを用いることができる。
【００２１】
エッチング停止層９４の厚みは、０．２μｍとすることができる。ＧａＡｓコンタクト層２６は、厚さ０．０２μｍで、キャリア濃度は１×１０１８／ｃｍ３である。ＩｎＧａＡｌＰ電流拡散層５は、ＩｎＧａＡｌＰからなり、厚さ１．５μｍとすることができる。ｎ型クラッド層４は、ＩｎＡｌＰからなり、厚さ０．６μｍとすることができる。活性層３は、ＩｎＧａＡｌＰからなり、厚さ０．４μｍとすることができる。ｐ型クラッド層２は、ＩｎＡｌＰからなり、厚さ０．６μｍとすることができる。ＩｎＧａＰ接着層３４の厚さは０．１μｍで、ＩｎＡｌＰカバー層９６の厚さは０．１５μｍとすることができる。
【００２２】
次に、このエピタキシャルウェーハを界面活性剤で洗浄し、容積比でアンモニア１、過酸化水素水１５の混合液に浸漬し、ＧａＡｓ基板９２の裏面側をエッチングして、エピタキシャルウェーハの裏面に付着したエピタキシャル成長の際の反応生成物などを除去する。
【００２３】
次に、エピタキシャルウェーハを再度界面活性剤で洗浄した後、リン酸で最表面のＩｎＡｌＰカバー層９６を除去し、ＩｎＧａＰ接着層３４を露出させる。
【００２４】
しかる後に、図３（ｂ）に表したように、ＧａＰ基板１を貼り合わせる。以下、直接接着の工程について説明する。
【００２５】
ＧａＰ基板１としては、例えば、直径３インチ、厚さ３００μｍ、ｐ型の鏡面仕上げの（１００）方位のものを用いることができる。接着界面の電気抵抗を下げるために、ＧａＰ基板１の表面に高濃度層を形成してもよい。直接接着の前処理として、ＧａＰ基板１を界面活性剤で洗浄し、希弗酸に浸漬して表面の自然酸化膜を除去し、水洗をした後スピナで乾燥させる。また、エピタキシャルウェーハは、表面のカバー層９６を除去した後、ＧａＰ基板１と同じく酸化膜除去のため希弗酸処理を行い、水洗とスピナ乾燥を行なう。これらの前処理は、すべてクリンルーム内の清浄な雰囲気下で行うことが望ましい。
【００２６】
次に、前処理を終えたエピタキシャルウェーハを、ＩｎＧａＰ接着層３４を上向きに置き、その上にＧａＰ基板１を、鏡面が下向きになるように乗せ、室温で密着させる。
【００２７】
次に、直接接着の最終工程として、室温で密着しているウェーハを石英ボートに立てて並べ、拡散炉内に入れ熱処理を行う。熱処理温度は８００℃、時間は１時間、雰囲気は水素を１０％含むアルゴンとすることができる。この熱処理により、ＧａＰ基板１とＩｎＧａＰ接着層３４とが一体化し、接着が完了する。
【００２８】
次に、図３（ｃ）に表したように、エピタキシャルウェーハのＧａＡｓ基板９２を除去する。すなわち、接着したウェーハをアンモニアと過酸化水素水の混合液に浸漬し、ＧａＡｓ基板９２を選択的にエッチングする。このエッチングは、ＩｎＡｌＰエッチング停止層９４で停止する。次いで、７０℃のリン酸でエッチングを行い、ＩｎＡｌＰエッチング停止層９４を選択的に除去する。
【００２９】
以上の工程により、ＧａＰ透明基板１とＩｎＧａＡｌＰ系半導体の積層構造６とが接合されたＬＥＤ用接着基板が得られる。
次に、図４（ａ）に表したように、ＧａＡｓコンタクト層２６の上にｎ側電極７を形成し、ＧａＰ基板１の裏面にｐ側電極８を形成する。
また、ＧａＡｓコンタクト層２６による吸収を防ぐため、ｎ側電極７の周囲のコンタクト層２６はエッチングにより除去する。
【００３０】
ｎ側電極７としては、例えば、コンタクト層２６の側から順に、ＡｕＧｅ（２５０ｎｍ）／Ｍｏ（１５０ｎｍ）／ＡｕＧｅ（２５０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）なる積層構造とすることができる。また、ｐ側電極８としては、例えば、金（Ａｕ）に５％の亜鉛（Ｚｎ）を含む金属を用いることができる。なお、このようなｐ側電極８の表面に、さらにＡｕ（１００ｎｍ）を介してＡｕＳｎ（１０００ｎｍ）などの共晶ハンダ層を設けてもよい。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に表したように基板１の裏面に粗面９を形成する。
まず、ｎ側電極７の上及びｐ側電極８の上にそれぞれ保護膜１１を形成する。保護膜１１の材料としては、例えば、レジストや酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。
【００３２】
しかる後に、ｐ側電極８の周囲に露出したＧａＰ基板１の裏面をエッチングして粗面９を形成する。エッチング条件としては、例えば、濃フッ酸に１０分間程度浸漬する方法を用いることができる。
【００３３】
図５は、この方法によりＧａＰ基板１の裏面に形成した粗面９を表す電子顕微鏡写真である。フッ酸エッチングにより、基板１の裏面は、幅及び高さが概ね１マイクロメータ前後の角錐により覆われている。このような角錐の集合体からなる粗面９により、活性層３から下方に放出される光に対して高い散乱効果が得られる。
【００３４】
この後、図４（ｃ）に表したように、粗面９の上に反射膜１０を被着する。
具体的には、例えば、金（Ａｕ）を真空蒸着により堆積して反射膜１０を形成できる。その後、ウェーハの両面に設けた保護膜１１を除去し、ダイシングなどの方法によりチップを分離すると本実施形態の半導体発光素子が得られる。
【００３５】
なお、反射膜１０の材料として金属を用いる場合、基板１と合金化すると反射率が低下し損失が生ずる。そこで、ｎ側電極７及びｐ側電極８の接触抵抗を下げるために熱処理（シンター）が必要とされる場合には、この熱処理を施した後に、反射膜１０を形成するとよい。
【００３６】
また一方、反射膜１０の材料としてオーミック金属を用いることもできる。すなわち、基板１と合金化することによる光の吸収があまり大きくない場合には、反射膜１０の材料としてオーミック金属を用いてもよい。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態においては、ＧａＰ基板１の裏面をフッ酸でエッチングすることにより、高い散乱効果が得られる粗面９を形成し、光の取り出し効率を改善することができる。
【００３８】
図６乃至図９は、本実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
すなわち、ｐ側電極８は、図６に表したように基板１の裏面の中心付近において円形状に形成してもよく、図７に表したように正方形状に形成してもよい。また、図８に表したように、ｐ側電極８を複数のパターンに分割して設けてもよい。複数のパターンに分割すると、電流の集中を緩和でき、活性層３に均一に電流を注入して幅広い領域で発光させることができる。
【００３９】
また一方、図９に表したように、基板１の裏面の中心付近に第１のパターン８Ａを設け、周囲に延伸する細線状の第２のパターン８Ｂに接続してもよい。このようにしても、活性層３に対して電流を均一に注入して幅広い領域で発光させることができる。
【００４０】
図６乃至図９に表したものは一例に過ぎず、例えば、ｐ側電極８のパターン形状は、多角形状や楕円形状あるいはその他各種の形状としてもよい。また、その数や配置についても同様であり、各種の変型例も本発明の範囲に包含される。
【００４１】
図１０は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。同図については、図１乃至図９に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本変型例においては、基板１の側面１Ｓがテーパ状に傾斜し、基板１が角錐台状に形成されている。そして、側面１Ｓには粗面９が形成されている。さらに、基板１の底面、すなわちｐ側電極８が設けられた下面から側面１Ｓの途中までの領域において、粗面９の表面に反射膜１０が設けられている。
【００４２】
反射膜１０が設けられていない粗面９は、光の取り出し効率を上げる作用を有する。
図１１は、粗面９における光の取り出しを説明するための模式図である。
すなわち、基板１の側面１Ｓに錐状の粗面９が形成されている場合、基板１の内部を矢印Ａの方向に進行した光は、粗面９の表面において臨界角よりも大きい角度で入射すると矢印Ｂの方向に全反射される。しかし、この反射光が対向する粗面９に入射した時には、その入射角度は臨界角よりも小さくなり、基板１から外部に取り出すことができる。このように、基板１内を進む光が粗面９の凸部に入射すると、全反射を繰り返した後に矢印Ｃで表したように外部に取り出すことができる。
【００４３】
図１２は、本変型例における光の取り出し経路を例示した模式図である。
図１１に関して前述したように、反射膜１０が設けられていない粗面９においては高い効率で光を外部に取り出すことができる。
一方、この半導体発光素子を銀ペーストや半田などの接着剤３０によりマウントした状態において、図示したように接着剤３０がチップの側面に這い上がることがある。このように接着剤３０が這い上がった部分においては、光を取り出すことができない。これに対して、本変型例においては、チップのマウント面の近傍では、粗面９に反射膜１０を被着することにより、光の取り出しを促進できる。すなわち、接着剤３０が這い上がる領域においては、チップ内部の光を反射膜１０により反射させ、外部に取り出すことを可能としている。その結果として、光の取り出し効率を改善できる。
【００４４】
本変型例における基板１の側面１Ｓのテーパは、例えば、ダイシングにより形成できる。すなわち、断面がＶ字状のダイシング・ブレードを用いて基板１を裏面側からダイシングすることにより、Ｖ字状の溝を形成できる。または、エッチングによりＶ字状の溝を形成することも可能である。このようにして形成したＶ字状の溝に沿ってチップを分離することにより、テーパ状の側面１Ｓが得られる。またこの時、Ｖ字状の溝を形成した状態、あるいはチップに分離した後に、図４（ｂ）に関して前述したような粗面化の処理を施すことにより、粗面９を形成できる。
【００４５】
図１３は、本実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式図である。
すなわち、本変型例においては、基板１の下方のみがテーパ状に加工されている。そして、基板１の側面１Ｓには粗面９が形成されている。またさらに、テーパ状の部分においては、粗面９の上に反射膜１０が被着されている。
このようにすると、接着剤３０の這い上がりによる光の遮蔽を防ぐことができると同時に、反射膜１０により反射された光が矢印Ａで例示したように、垂直な側面１Ｓに入射されやすくなる。その結果として、光の取り出し効率をさらに上げることが可能となる。
【００４６】
なお、本変型例の半導体発光素子を製造するには、断面がＶ字状のダイシング・ブレードやエッチングなどを用いて基板１の裏面にＶ字状の溝を形成する際に、溝の深さを調節すればよい。Ｖ字状の溝を形成した後に、スクライブあるいは厚みの薄いダイシング・ブレードにて残余の部分を切り離す。こうすると、Ｖ字状の溝の側面がテーパ部となり、残余の部分が垂直な側面となる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態として、チップ裏面に凹部を有する半導体発光素子について説明する。
図１４は、本実施形態の半導体発光素子を実装部材にマウントした状態の断面構造を例示する模式図である。
すなわち、本実施形態の半導体発光素子も、基板１と、半導体積層構造６と、を有する。半導体積層構造６は、活性層やクラッド層などを適宜含み、電極７及び８を介して電流を注入することにより発光を生ずる。この半導体発光素子は、リードフレームや実装基板などの実装部材２８に接着剤３０によってマウントされている。
【００４８】
そして、本実施形態においては、半導体発光素子の裏面に錐状の凹部２０が基板の側面１５とオーバーラップしないように設けられている。凹部２０は、角錐状であってもよく、円錐状であってもよい。電極８はこの凹部の例えば中央付近に設けられている。このような凹部２０を設けることにより、光の取り出し効率を上げることができる。以下、この点について、比較例と対比しつつ説明する。
【００４９】
すなわち、比較例として、半導体発光素子の裏面は平坦に形成され、その中心付近に電極が設けられたものを考える。ところが、このような半導体発光素子を実装部材にマウントする場合、銀ペーストや半田などの接着剤が素子の周囲にはみ出して、素子の側面に這い上がることがある。従って、接着剤が這い上がった部分においては光の取り出しができない。また一方、活性層から下方に放出された光は素子の平坦な裏面により反射され、この反射光は活性層において吸収されるために損失が生ずる。
【００５０】
これに対して、本実施形態においては、半導体発光素子の裏面に錐状の凹部２０を設けることにより、図１４に表したように、活性層から放出された光を基板の側面１Ｓに向けて反射させ、活性層を介することなく外部に取り出すことができる。つまり、活性層の吸収による損失を抑制できる。
さらにまた、凹部２０が余剰の接着剤３０を吸収するため、接着剤３０の素子の側面１Ｓへの這い上がりを抑制できる。従って、凹部２０において側面１Ｓに向けて反射された光は、接着剤３０に遮られることなく外部に取り出される。
【００５１】
本実施形態の半導体発光素子における凹部２０の側面は、素子のマウント面に対して、例えば、２５度乃至４５度程度の傾斜角度を有する。このような凹部２０は、例えば、ドライエッチングやレーザ加工などにより形成できる。
図１５及び図１６は、ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
すなわち、まず、図１５（ａ）に表したように、凹部を形成すべき基板１の裏面上にレジストなどの比較的柔軟な材料からなるマスク層４０を形成する。
【００５２】
次に、図１５（ｂ）に表したように、プレス４２をマスク層４０に圧接させる。ここで、プレス４２には、形成すべき凹部２０に対応した突起４２Ｐが形成されている。
このようにプレスを圧接すると、図１５（ｃ）に表したように、マスク層４０に突起４２Ｐに対応した凹部４４が形成される。
【００５３】
次に、図１６（ａ）に表したように、イオンミリングやＲＩＥ（reactive ion etching）などの異方性エッチングによりマスク層４０の上方からエッチングする。すると、マスク層４０がエッチングされ、そのパターンが下地の基板１に転写される。図１６（ｂ）に表したようにマスク層４０のエッチングが進行し、図１６（ｃ）に表したようにマスク層４０が完全にエッチングされた時、下地の基板１の表面に凹部２０が形成されている。
【００５４】
また、以上説明したプロセスとは別に、例えば、レーザ加工により基板１の裏面に凹部２０を形成することも可能である。この場合には、基板１の裏面にレーザを走査させながら照射し、所定量ずつ順次エッチングする。レーザの走査範囲を徐々に縮小させることより、錐状の凹部２０を形成できる。
【００５５】
図１７は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
本変型例においては、凹部２０のうちで電極８が形成されていない部分に反射膜１０が被着されている。反射膜１０は、第１実施形態に関して前述した各種のものを用いることが可能である。
【００５６】
反射膜１０を設けることにより、凹部２０における光の反射率をさらに上げることができる。その結果として、活性層から下方に放出された光を高い効率で反射させ、側面１Ｓを介して取り出すことができる。
さらに、本実施形態において、図１１に関して前述したような粗面を側面１Ｓに設けてもよい。
【００５７】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態として、ボンディング・パッドの下における光の損失を低減した半導体発光素子について説明する。
図１８は、本実施形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
また、図１９は、この半導体発光素子の表面に形成された電極パターンを例示する平面図である。
これらの図面についても、図１乃至図１７に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５８】
本実施形態においては、半導体積層構造６の上に形成された電極７は、ボンディング・パッド７Ａと、これに接続された細線電極部７Ｂと、を有する。ボンディング・パッド７Ａは、図示しない外部回路と接続するための金ワイヤなどを接続する部分である。一方、細線電極部７Ｂは、オーミックＧａＡｓ層２６を介して半導体層との電気的なコンタクトを得る部分である。チップの一辺のサイズは、概ね２００マイクロメータ乃至１ミリメータ程度であり、ボンディング・パッド７Ａの直径は、概ね１００マイクロメータ乃至１５０マイクロメータ程度であり、細線電極部７Ｂの線幅は、概ね２マイクロメータ乃至１０マイクロメータ程度とすることができる。
【００５９】
そして、本実施形態においては、ボンディング・パッド７Ａの下の半導体積層構造６の表面に粗面９が形成され、さらにその上に誘電体層５０が設けられている。粗面９は、第１実施形態に関して前述したものと同様とすることができる。また、誘電体層５０は、例えば、ＳＯＧ（spin on glass）により形成することができる。ボンディング・パッド７Ａの下をこのような構造にすると、半導体発光素子からの光の取り出し効率を改善できる。以下、この点について、比較例を参照しつつ説明する。
【００６０】
図２０は、本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体発光素子の模式断面図である。
【００６１】
本比較例の場合、半導体積層構造６の表面は平坦であり、その上に半導体からなる電流ブロック層５２が設けられている。例えば、半導体積層構造が赤色光を発光するＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる場合、電流ブロック層５２としてノンドープのＩｎＧａＰなどを用いることができる。電流ブロック層５２は、ボンディング・パッド７Ａからその下の半導体層への電流の注入を遮断する役割を有する。すなわち、ボンディング・パッド７Ａの下で発光が生じても、その光はボンディング・パッド７Ａに遮蔽されて外部に取り出すことが容易でない。このため、このような電流ブロック層５２を設けてボンディング・パッド７Ａの下を非発光領域ＮＥとする。
【００６２】
ところが、この比較例の構造においては、細線電極部７Ｂから電流注入されて生じた発光が矢印Ａで表したようにボンディング・パッド７Ａの下に向かった場合、ＧａＡｓコンタクト層２６により吸収されて損失が生ずるという問題がある。また、ボンディング・パッド７Ａの下で反射された光は、矢印Ｂで表したように、対向する電極８に向かって進み、電極８の近傍に形成されている合金化領域において吸収されるため損失が生ずる。また一方、細線電極７Ｂの下で生じた発光は、比較的大きな入射角度で基板１の側面１Ｓに入射するため、側面１Ｓにおいて全反射されやすい。このため、光の取り出し効率が低下するという問題もある。
【００６３】
これに対して、本実施形態においては、まず、ボンディング・パッド７Ａの下に誘電体層５０を設けることにより、電流ブロック効果と反射率の増大効果が得られる。すなわち、誘電体層５０は絶縁性であるので、電流を確実に遮断でき、ボンディング・パッド７Ａの下での発光を確実に抑制できる。
またさらに、誘電体層５０を設けることにより、活性層３から放出された光を高い効率で反射させることができる。例えば、誘電体層５０の材料として酸化シリコンを用いた場合、その下のＩｎＧａＡｌＰ層の屈折率ｎを３．２、酸化シリコンの屈折率ｎを１．４５とすると、これら界面における全反射の臨界角は約２７度と小さくなる。つまり、活性層から放出され誘電体層５０に入射した光のうちで、入射角が２７度以上の光は全反射される。またこの場合、入射角が２７度以下の光に対しても約１４パーセントの反射が生ずる。このように、誘電体層５０を設けることにより、活性層３から放出された光を高い効率で反射させることができる。
【００６４】
さらに本実施形態によれば、半導体積層構造６の表面に粗面９を設けることにより、光を散乱させることができる。その結果として、図２１に矢印Ａで例示したように、ボンディング・パッド７Ａの下で散乱された光を素子の側面１Ｓに向けて反射させ、外部に取り出すことができる。
【００６５】
図２２は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
すなわち、本変形例においては、基板１の側面１Ｓに粗面９が設けられている。このような粗面９を設けることにより、図１１に関して前述したように多重反射を利用して光の取り出し効率を上げることができる。つまり、細線電極部７Ｂの下において生じた発光や、ボンディング・パッド７Ａの下の粗面９において散乱された光を側面１Ｓから高い効率で取り出すことができる。
【００６６】
図２３は、本実施形態の第２の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。 すなわち、本変形例においては、基板１の側面１Ｓがテーパ状に傾斜して形成されている。このようにすると、細線電極部７Ｂの下において生じた発光や、ボンディング・パッド７Ａの下で反射された光を、側面１Ｓに対してより小さな入射角度で入射させることができる。その結果として、側面１Ｓにおける全反射を抑制し、光の取り出し効率をさらに上げることが可能となる。また、本変型例において側面１Ｓに、図２２に表したものと同様の粗面９を設けてもよい。
【００６７】
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態として、ボンディング・パッドの下からの光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子について説明する。
図２４は、本実施形態の半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
また、図２５は、この半導体発光素子のボンディング・パッドの部分の拡大図である。これらの図面については、図１乃至図２３に関して前述したものと同様の要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６８】
本実施形態においては、素子の上面に形成された電極７が、ボンディング・パッド７Ｃと延伸電極部７Ｄとにより形成されている。ただし、ボンディング・パッド７Ｃのパターン面積は、ここに接続される金（Ａｕ）などのワイヤの融着部８０よりも小さく形成されている。例えば、直径が２０マイクロメータ乃至３０マイクロメータ程度の金ワイヤをボールボンディングした場合、融着部８０は、直径が８０マイクロメータ乃至１２０マイクロメータ程度の略円形となる。これに対して、本実施形態の発光素子のボンディング・パッド７Ｃの直径は、例えば４０マイクロメータ乃至７０マイクロメータ程度とする。そして、ワイヤ・ボンディングに対する強度を確保し、電流を広範囲に拡散させるために、ボンディング・パッド７Ｃから延伸電極部７Ｄを延伸させる。ボンディング・パッド７Ｃと延伸電極部７Ｄの下は、いずれも図示しないコンタクト層などを介して電流を注入できる構造とする。
【００６９】
図２６は、融着部８０の下で生じた発光の一部を延伸電極７０の隙間から外部に取り出す様子を例示した模式図である。
一般に、ボンディング・パッド７Ｃの下で生じた発光はボンディング・パッド７Ｃにより遮られて外部にそのまま取り出すことができない。また、ボンディング・パッド７Ｃの下で半導体層に電流を注入する構造とした場合には、ボンディング・パッド７Ｃの下に金属と半導体との合金化領域１８が形成される。この合金化領域１８が発光を吸収するために損失が生ずる。従って、ボンディング・パッド７Ｃをワイヤの融着部８０のサイズよりも大きく形成すると光の取り出し効率が低下してしまう。
【００７０】
これに対して、本実施形態によれば、ボンディング・パッド７Ｃのサイズをワイヤの融着部８０よりも小さくすることにより、図２６に表したように、融着部８０の下で生じた発光の一部を、延伸電極部７Ｄの隙間から外部に取り出すことが可能となる。従って、本実施形態の場合、基板１は、活性層３から放出される光に対して必ずしも透明である必要はない。ただし、本実施形態は、基板１が透明の半導体発光素子に適用しても同様の効果が得られることはもちろんである。
図２７は、本実施形態における電極パターンを例示する模式図である。
すなわち、 ワイヤの融着部８０よりも小さなボンディング・パッド７Ｃが設けられ、幅の狭い延伸電極部７Ｆが放射状に接続されている。融着部８０の下において生じた発光は、延伸電極部７Ｆの間から外部に取り出すことが可能である。また、さらに幅の狭い細線電極部７Ｅをチップの周囲まで延在させることにより、広い範囲にわたって電流を均一に注入して幅広い範囲で発光させることが可能となる。
【００７１】
図２８は、本実施形態における電極パターンの他の具体例を表す模式図である。
すなわち、本具体例においては、融着部８０の下の部分で、幅の広い延伸電極部７Ｄが形成され、これ以外の部分においては、幅の狭い延伸電極部７Ｆが形成されている。融着部８０の下において延伸電極部７Ｄを幅広に形成することにより、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。つまり、ワイヤ・ボンディングの際に印加される圧力や超音波などに対して、半導体層をより確実に保護できる。また、融着部８０の外側の部分において幅の狭い延伸電極部７Ｆと、さらに幅の狭い細線電極部７Ｅを形成することにより、広い範囲にわたって電流を均一に注入しつつ、発光を遮蔽せずに高い効率で取り出すことができる。
【００７２】
図２９（ａ）は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子の電極７の部分を拡大した模式平面図であり、同図（ｂ）はその模式断面図である。
すなわち、本変型例においては、融着部８０の下（例えば、図２７、図２８において一点鎖線により表した融着部８０の部分である）で、電極７（延伸電極部７Ｄ、７Ｆ、ボンディング・パッド７Ｃなど）が形成されていない部分の半導体層の表面に、発光に対して透光性を有する透明膜２１が被覆されている。このような透明膜２１を設けることにより、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。また、半導体発光素子を樹脂により封止する際にも、半導体層を保護することができる。またさらに、透明膜２１を設けることにより、ボンディング・パッド７Ｃの下において生じた発光の一部をより効率的に外部に取り出すことが可能となる。すなわち、図２９に矢印Ａで例示したように、ボンディング・パッド７Ｃの下で生じた発光を透明膜２１に入射させ透明膜２１の表面で反射させることにより透明膜２１の中を伝搬させることができる。このようにして、融着部８０の下で生じた発光を透明膜２１を伝搬させて取り出すことができる。
【００７３】
この時、発光素子を封止する透明樹脂（屈折率は１．５程度である）よりも屈折率が小さい材料により透明膜２１を形成するとよい。このような透明膜２１は、例えば、ＳＯＧ（Spin On Glass）法により形成することができる。ＳＯＧ法を用いる場合、原料としては、例えば、無機シリケート系あるいは、メチルシロキサン系などの有機シリケート系の液体状のＳＯＧ材料をスピンコート法により、ウェーハの表面に塗布する。しかる後に、例えば、３００〜４００℃において熱処理を施すことにより、透明なシリコン酸化膜が得られる。このようにして得られるシリコン酸化膜の屈折率は、１．４あるいはそれ以下であり、本変型例における透明膜２１として用いることができる。
【００７４】
また、透明膜２１の厚みを電極７の厚みと同程度にすると、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。ただし、透明膜２１の厚みが電極７よりも薄い場合であっても、光の取り出し効果は得られる。
【００７５】
なお、本変型例においても、第１の実施の形態に関して前述したように、透光性の基板の裏面に凹凸状の粗面を形成したり、また、第２の実施の形態に関して前述したように、透光性の基板の裏面に凹部を設けると、光の取り出し効率をさらに改善できる。
【００７６】
図３０は、本実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。 すなわち、本変型例においては、半導体層の表面に粗面９が形成されている。粗面９を形成することにより、図１１に関して前述したように多重反射を利用して光の取り出し効率を上げることができる。すなわち、融着部８０の下の領域においても、それ以外の発光領域においても、活性層３から放出された光を高い効率で取り出すことが可能となる。
【００７７】
図３１は、本実施形態のさらに他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
すなわち、本変型例は、図２９に表した変型例と図３０に表した変型例とを組み合わせた構造を有する。融着部８０の下において、透明膜２１と粗面９とを設けることにより、反射効果と散乱効果とを促進させ、融着部８０の下で生じた発光をより高い効率で外部に取り出すことが可能となる。
【００７８】
（第５の実施の形態）
次に、本発明の第５の実施の形態として、本発明の半導体発光素子を搭載した半導体発光装置について説明する。すなわち、第１乃至第４実施形態に関して前述した半導体発光素子を、リードフレームや基板などに実装することにより、高輝度の半導体発光装置が得られる。
【００７９】
図３２は、本実施形態の半導体発光装置を表す模式断面図である。すなわち、本具体例の半導体発光装置は、「砲弾型」などと呼ばれる樹脂封止型の半導体発光装置である。
リード１０２の上部には、カップ部１０２Ｃが設けられ、半導体発光素子１０１は、このカップ部１０２Ｃの底面に接着剤などによりマウントされている。そして、もうひとつのリード１０３にワイヤ１０４により配線が施されている。カップ部１０２Ｃの内壁面は、光反射面１０２Ｒを構成し、半導体発光素子１０１から放出された光を反射して上方に取り出すことができる。本具体例においては、特に、半導体発光素子１０１の透明基板の側面などから放出される光を光反射面１０２Ｒにより反射させて上方に取り出すことができる。
【００８０】
そして、カップ部１０２Ｃの周囲は、光透過性の樹脂１０７により封止されている。樹脂１０７の光取り出し面１０７Ｅは、集光曲面を形成し、半導体発光素子１０１から放出される光を適宜集光させて所定の配光分布が得られるようにすることができる。
【００８１】
図３３は、半導体発光装置の他の具体例を表す模式断面図である。すなわち、本具体例においては、半導体発光素子１０１を封止する樹脂１０７は、その光軸１０７Ｃを中心軸とした回転対称であり、中心において半導体発光素子１０１の方向に後退し集束する形状を有する。このような形状の樹脂１０７を採用することにより、広角に光を分散させる配光特性が得られる。
【００８２】
図３４は、半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。すなわち、本具体例は、「表面実装型」などと称されるものであり、半導体発光素子１０１は、リード１０２の上にマウントされ、もうひとつのリード１０３にワイヤ１０４により接続されている。これらリード１０２、１０３は、第１の樹脂１０９にモールドされており、半導体発光素子１０１は、透光性を有する第２の樹脂１０７により封止されている。第１の樹脂１０９は、例えば、酸化チタンの微粒子などを分散させることにより、光反射性が高められている。そして、その内壁面１０９Ｒが光反射面として作用し、半導体発光素子１０１から放出された光を外部に導く。すなわち、半導体発光素子１０１の側面などから放出される光を上方に取り出すことができる。
【００８３】
図３５は、半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。すなわち、本具体例も、「表面実装型」などと称されるものであり、半導体発光素子１０１は、リード１０２の上にマウントされ、もうひとつのリード１０３にワイヤ１０４により接続されている。これらリード１０２、１０３の先端は、半導体発光素子１０１とともに、透光性を有する樹脂１０７にモールドされている。
【００８４】
図３６は、半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。本具体例においては、図３２に関して前述したものと類似した構造が採用されているが、さらに半導体発光素子１０１を覆うように、蛍光体１０８が設けられている。蛍光体１０８は、半導体発光素子１０１から放出された光を吸収し、波長変換する役割を有する。例えば、半導体発光素子１０１から紫外線あるいは青色光の一次光が放出され、蛍光体１０８は、この一次光を吸収して赤色や緑色などの異なる波長の２次光を放出する。例えば、３種類の蛍光体を混合させ、半導体発光素子１０１から放出される紫外線を蛍光体１０８に吸収させて、青色光と緑色光と赤色光からなる白色光を放出させることもできる。
なお、蛍光体１０８は、半導体発光素子１０１の表面に塗布してもよく、あるいは樹脂１０７に含有させてもよい。
【００８５】
そして、図３２乃至図３６に表したいずれの半導体発光装置においても、第１乃至第４実施形態に関して前述した半導体発光素子を設けることにより、半導体発光素子１０１の上面や側面から高い効率で光を取り出して、輝度の高い半導体発光装置を提供できる。
【００８６】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子や半導体発光装置の構造などに関する各種の変型例も本発明の範囲に包含される。
例えば、半導体発光素子を構成する層構造の詳細などに関して当業者が適宜設計変更したものも、本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。例えば、活性層として、ＩｎＧａＡｌＰ系の他にも、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＮ１−ｙ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１）系や、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系など、様々な材料を用いることもできる。同様に、クラッド層や光ガイド層などについても、様々な材料を用いることもできる。
また、光を透過させる基板を持つＬＥＤ製造方法の代表例として説明したウェーハ接着は、従来より知られているＡｌＧａＡｓ系など厚いエピタキシャル成長で透明基板を得るＬＥＤにも適用できる。
【００８７】
また、半導体発光素子の形状やサイズについても、当業者が適宜設計変更したものも、本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。
【００８８】
さらにまた、本発明の実施の形態のうちの任意のいくつかを組み合わせて得られる半導体発光素子及び半導体発光装置も、同様に本発明の範囲に属する。具体的には、例えば、本発明の第１の実施の形態と、本発明の第２〜第４の実施の形態のいずれか、とを組み合わせて得られる半導体発光素子及び半導体発光装置も、同様に本発明の範囲に属する。また例えば、第３の実施の形態と第４の実施の形態とを組み合わせてもよい。その他の技術的に可能ないかなる組合せについても、同様に本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子及び半導体発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施しうるすべての半導体発光素子及び半導体発光装置も同様に本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００８９】
１ 基板
１Ｓ 側面
２ クラッド層
３ 活性層
４ クラッド層
５ 電流拡散層
６ 半導体積層構造
７，８ 電極
７Ａ、７Ｃ ボンディング・パッド
７Ｂ、７Ｅ 細線電極部
７Ｄ、７Ｆ 延伸電極部
７Ｃ ボンディング・パッド
７Ｅ 細線電極部
８Ａ、８Ｂ 電極パターン
９ 粗面
１０ 反射膜
１１ 保護膜
１８ 合金化領域
２０ 凹部
２１ 透明膜
２６ コンタクト層
２８ 実装部材
３０ 接着剤
５０ 誘電体層
５２ 電流ブロック層
８０ 融着部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及び半導体発光装置に関し、特に、活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（light emitting diode）やＬＤ（laser diode）などの半導体発光素子は、各種の発光波長が得られ、小型で発光効率が高く、寿命も長いことから、表示装置、照明装置、通信装置、センサなどに広く利用されている。
これら半導体発光素子では、ＧａＡｓやサファイアなどからなる基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層などを含む半導体多層膜がエピタキシャル成長により直接成長、あるいは異種基板との貼り合せ等の方法で形成され、さらにｎ型層、ｐ型層のそれぞれに電極が形成されている。（例えば、特許文献１及び２）
【０００３】
しかし、このような半導体発光素子の場合、活性層から放出された光の取り出し効率が必ずしも十分に高くはなかった。
すなわち、活性層から下方に放出された光は、基板の下に設けられた電極に入射する。しかし、電極との接触部の近傍において、基板には電極材料との合金化領域が形成されているため、活性層から放出された光は吸収されやすくなり、チップ内部で損失が生ずるという問題がある。
【０００４】
また、下側の電極により反射された光は、活性層を通過する際に、光吸収により減衰し、反射光を十分に活かせないという問題もある。
【０００５】
また一方、チップ側面などで全反射が生じやすいという問題もある。すなわち、このようなＬＥＤは、通常は、ヘキ開やダイシングによって６つの平滑な面を持った直方体状に加工され、モールド樹脂などにより覆われる。ところが、半導体結晶の高い屈折率（３．５程度）とモールド樹脂の低い屈折率（１．５程度）との大きな相違により、これらの界面で全反射が起こりやすくなる。このため、チップ内部で発光した光がチップ外部に取り出される確率が低下する。
【０００６】
光取り出し効率の低下に対する改善策として、ウェットエッチング等により表面を粗面化して凹凸を形成する方法（例えば、特許文献２）がある。しかし、実装部材の上にマウントされたチップ内の底面方向への発光を取り出すには、表面を粗面化しても効果がない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３５３５０２号公報
【特許文献２】特開２００１−２１７４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様によれば、第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【００１０】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、実装部材と、前記実装部材にマウントされた上記のいずれかの半導体発光素子と、を備え、前記実装部材は、前記半導体発光素子の前記基板の側面から放出される光を反射する反射部を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
【図２】活性層３から放出された光の取り出し経路を例示する模式図である。
【図３】本発明の実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
【図４】本発明の実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
【図５】ＧａＰ基板１の裏面に形成した粗面９を表す顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図７】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図８】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図９】本発明の実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
【図１０】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図１１】粗面９における光の取り出しを説明するための模式図である。
【図１２】本発明の実施形態の変型例における光の取り出し経路を例示した模式図である。
【図１３】本発明の実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式図である。
【図１４】本発明の実施形態の半導体発光素子を実装部材にマウントした状態の断面構造を例示する模式図である。
【図１５】ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
【図１６】ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
【図１７】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図１８】本発明の実施形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
【図１９】半導体発光素子の表面に形成された電極パターンを例示する平面図である。
【図２０】本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体発光素子の模式断面図である。
【図２１】ボンディング・パッド７Ａの下で散乱された光を素子の側面に向けて反射させ、外部に取り出す様子を例示する模式図である。
【図２２】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図２３】本発明の実施形態の第２の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図２４】本発明の実施形態の半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
【図２５】半導体発光素子のボンディング・パッドの部分の拡大図である。
【図２６】融着部８０の下で生じた発光の一部を、延伸電極部７Ｄの隙間から外部に取り出す様子を例示した模式図である。
【図２７】本発明の実施形態における電極パターンを例示する模式図である。
【図２８】本発明の実施形態における電極パターンの他の具体例を表す模式図である。
【図２９】本発明の実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式図である。
【図３０】本発明の実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図３１】本発明の実施形態のさらに他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
【図３２】本発明の実施形態の半導体発光装置を表す模式断面図である。
【図３３】半導体発光装置の他の具体例を表す模式断面図である。
【図３４】半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。
【図３５】半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。
【図３６】半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
すなわち、本具体例の半導体発光素子は、基板１の上に、クラッド層２、活性層３、クラッド層４、電流拡散層５がこの順に積層された構造を有する。電流拡散層５の上には図示しないコンタクト層を介して電極７が設けられている。一方、基板１の裏面側の一部には電極８が形成され、残余の部分は凹凸状の粗面９とされその表面に反射膜１０が被着されている。
【００１４】
基板１は、活性層３から放出される光に対して透光性を有する。例えば、基板１はｐ型ＧａＰからなり、クラッド層２はｐ型ＩｎＡｌＰ、活性層３はＩｎＧａＡｌＰ、クラッド層４はｎ型ＩｎＡｌＰ、電流拡散層５はｎ型ＩｎＧａＡｌＰにより形成できる。この場合、電流拡散層５と電極７との間に設けるコンタクト層としては、ｎ型ＧａＡｓを用いることができる。
【００１５】
ＧａＰ基板１の上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させることは困難であるので、一旦、ＧａＡｓ基板の上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体の積層構造６をエピタキシャル成長させ、その上にウェーハ接着技術によってｐ型ＧａＰ基板１を貼り合わせ、ＧａＡｓ基板をエッチングなどによって除去することによって、本具体例の積層構造を形成できる。
【００１６】
また、反射膜１０としては、例えば金（Ａｕ）などの金属や、誘電体などを用いることができる。この時、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用い、その屈折率と厚みとの関係から反射率が極大となる、いわゆる「ＨＲ（High Reflectance：高反射率）コート」を用いてもよい。またさらに、反射膜１０として、互いに屈折率が異なる２種類の半導体層を交互に積層させたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射鏡）を用いてもよい。
【００１７】
本実施形態においては、基板１の裏面に粗面９と反射膜１０とを設けることにより、活性層３から下方に放出された光の取り出し効率を改善できる。
図２は、活性層３から放出された光の取り出し経路を例示する模式図である。
活性層３から放出された光は、同図に矢印で表したように、粗面９と反射膜１０によって基板１の側面１Ｓの方向に散乱される。散乱された光は、基板１の側面１Ｓに対して比較的小さな角度（側面１Ｓに対して垂直に近い角度）で入射するので、側面１Ｓにおいて全反射されることなく外部に放出される。前述したように、このような半導体発光素子は、通常は屈折率が１．５程度の透光性樹脂により封止されるため、チップ内部から放出された光は半導体層と樹脂との界面において全反射されやすい。これに対して、本実施形態においては、粗面９と反射膜１０とによって光を散乱させ、基板１の側面１Ｓに対して小さな角度で入射させることができるので、全反射されることなく光を外部に取り出すことができる。
【００１８】
また仮に、基板１の裏面に粗面９を設けずに平坦な反射膜を設けた場合、活性層３から下方に放出された光はこの反射膜により上方に向けて反射される。しかし、この場合には反射された光が活性層３を通過するため、再吸収により損失が生ずる。これに対して、本実施形態においては粗面９を設けることにより光を側面１Ｓの方向に散乱させ、吸収による損失を抑制できる。
【００１９】
また仮に、基板１の裏面の全面に電極８を形成した場合、基板１と電極８との界面に合金化領域が形成され、活性層３から放出された光が吸収され損失が生ずる。これに対して、本実施形態によれば、粗面９の上には合金化領域は存在せず、粗面９と反射膜１０とにより高い効率で光を反射させることができる。その結果として、吸収による損失を抑制できる。
【００２０】
次に、本実施形態をＩｎＧａＡｌＰ系発光素子に適用した場合を例に挙げて、その製造方法について説明する。
図３及び図４は、本実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
まず、図３（ａ）に表したように、ｎ型ＧａＡｓ基板９２の上に、ＩｎＡｌＰエッチング停止層９４、ＧａＡｓコンタクト層２６、ＩｎＧａＡｌＰ電流拡散層５、ｎ型ＩｎＡｌＰクラッド層４、ＩｎＧａＡｌＰ活性層３、ｐ型ＩｎＡｌＰクラッド層２、ＩｎＧａＰ接着層３４、ＩｎＡｌＰカバー層９６を成長させる。ｎ型ＧａＡｓ基板９２としては、例えば、直径３インチ、厚さ３５０μｍ、シリコン（Ｓｉ）ドープでキャリア濃度は約１×１０１８／ｃｍ３ の鏡面仕上げのものを用いることができる。
【００２１】
エッチング停止層９４の厚みは、０．２μｍとすることができる。ＧａＡｓコンタクト層２６は、厚さ０．０２μｍで、キャリア濃度は１×１０１８／ｃｍ３である。ＩｎＧａＡｌＰ電流拡散層５は、ＩｎＧａＡｌＰからなり、厚さ１．５μｍとすることができる。ｎ型クラッド層４は、ＩｎＡｌＰからなり、厚さ０．６μｍとすることができる。活性層３は、ＩｎＧａＡｌＰからなり、厚さ０．４μｍとすることができる。ｐ型クラッド層２は、ＩｎＡｌＰからなり、厚さ０．６μｍとすることができる。ＩｎＧａＰ接着層３４の厚さは０．１μｍで、ＩｎＡｌＰカバー層９６の厚さは０．１５μｍとすることができる。
【００２２】
次に、このエピタキシャルウェーハを界面活性剤で洗浄し、容積比でアンモニア１、過酸化水素水１５の混合液に浸漬し、ＧａＡｓ基板９２の裏面側をエッチングして、エピタキシャルウェーハの裏面に付着したエピタキシャル成長の際の反応生成物などを除去する。
【００２３】
次に、エピタキシャルウェーハを再度界面活性剤で洗浄した後、リン酸で最表面のＩｎＡｌＰカバー層９６を除去し、ＩｎＧａＰ接着層３４を露出させる。
【００２４】
しかる後に、図３（ｂ）に表したように、ＧａＰ基板１を貼り合わせる。以下、直接接着の工程について説明する。
【００２５】
ＧａＰ基板１としては、例えば、直径３インチ、厚さ３００μｍ、ｐ型の鏡面仕上げの（１００）方位のものを用いることができる。接着界面の電気抵抗を下げるために、ＧａＰ基板１の表面に高濃度層を形成してもよい。直接接着の前処理として、ＧａＰ基板１を界面活性剤で洗浄し、希弗酸に浸漬して表面の自然酸化膜を除去し、水洗をした後スピナで乾燥させる。また、エピタキシャルウェーハは、表面のカバー層９６を除去した後、ＧａＰ基板１と同じく酸化膜除去のため希弗酸処理を行い、水洗とスピナ乾燥を行なう。これらの前処理は、すべてクリンルーム内の清浄な雰囲気下で行うことが望ましい。
【００２６】
次に、前処理を終えたエピタキシャルウェーハを、ＩｎＧａＰ接着層３４を上向きに置き、その上にＧａＰ基板１を、鏡面が下向きになるように乗せ、室温で密着させる。
【００２７】
次に、直接接着の最終工程として、室温で密着しているウェーハを石英ボートに立てて並べ、拡散炉内に入れ熱処理を行う。熱処理温度は８００℃、時間は１時間、雰囲気は水素を１０％含むアルゴンとすることができる。この熱処理により、ＧａＰ基板１とＩｎＧａＰ接着層３４とが一体化し、接着が完了する。
【００２８】
次に、図３（ｃ）に表したように、エピタキシャルウェーハのＧａＡｓ基板９２を除去する。すなわち、接着したウェーハをアンモニアと過酸化水素水の混合液に浸漬し、ＧａＡｓ基板９２を選択的にエッチングする。このエッチングは、ＩｎＡｌＰエッチング停止層９４で停止する。次いで、７０℃のリン酸でエッチングを行い、ＩｎＡｌＰエッチング停止層９４を選択的に除去する。
【００２９】
以上の工程により、ＧａＰ透明基板１とＩｎＧａＡｌＰ系半導体の積層構造６とが接合されたＬＥＤ用接着基板が得られる。
次に、図４（ａ）に表したように、ＧａＡｓコンタクト層２６の上にｎ側電極７を形成し、ＧａＰ基板１の裏面にｐ側電極８を形成する。
また、ＧａＡｓコンタクト層２６による吸収を防ぐため、ｎ側電極７の周囲のコンタクト層２６はエッチングにより除去する。
【００３０】
ｎ側電極７としては、例えば、コンタクト層２６の側から順に、ＡｕＧｅ（２５０ｎｍ）／Ｍｏ（１５０ｎｍ）／ＡｕＧｅ（２５０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）なる積層構造とすることができる。また、ｐ側電極８としては、例えば、金（Ａｕ）に５％の亜鉛（Ｚｎ）を含む金属を用いることができる。なお、このようなｐ側電極８の表面に、さらにＡｕ（１００ｎｍ）を介してＡｕＳｎ（１０００ｎｍ）などの共晶ハンダ層を設けてもよい。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に表したように基板１の裏面に粗面９を形成する。
まず、ｎ側電極７の上及びｐ側電極８の上にそれぞれ保護膜１１を形成する。保護膜１１の材料としては、例えば、レジストや酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。
【００３２】
しかる後に、ｐ側電極８の周囲に露出したＧａＰ基板１の裏面をエッチングして粗面９を形成する。エッチング条件としては、例えば、濃フッ酸に１０分間程度浸漬する方法を用いることができる。
【００３３】
図５は、この方法によりＧａＰ基板１の裏面に形成した粗面９を表す電子顕微鏡写真である。フッ酸エッチングにより、基板１の裏面は、幅及び高さが概ね１マイクロメータ前後の角錐により覆われている。このような角錐の集合体からなる粗面９により、活性層３から下方に放出される光に対して高い散乱効果が得られる。
【００３４】
この後、図４（ｃ）に表したように、粗面９の上に反射膜１０を被着する。
具体的には、例えば、金（Ａｕ）を真空蒸着により堆積して反射膜１０を形成できる。その後、ウェーハの両面に設けた保護膜１１を除去し、ダイシングなどの方法によりチップを分離すると本実施形態の半導体発光素子が得られる。
【００３５】
なお、反射膜１０の材料として金属を用いる場合、基板１と合金化すると反射率が低下し損失が生ずる。そこで、ｎ側電極７及びｐ側電極８の接触抵抗を下げるために熱処理（シンター）が必要とされる場合には、この熱処理を施した後に、反射膜１０を形成するとよい。
【００３６】
また一方、反射膜１０の材料としてオーミック金属を用いることもできる。すなわち、基板１と合金化することによる光の吸収があまり大きくない場合には、反射膜１０の材料としてオーミック金属を用いてもよい。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態においては、ＧａＰ基板１の裏面をフッ酸でエッチングすることにより、高い散乱効果が得られる粗面９を形成し、光の取り出し効率を改善することができる。
【００３８】
図６乃至図９は、本実施形態における基板１の裏面の形態を例示する模式図である。
すなわち、ｐ側電極８は、図６に表したように基板１の裏面の中心付近において円形状に形成してもよく、図７に表したように正方形状に形成してもよい。また、図８に表したように、ｐ側電極８を複数のパターンに分割して設けてもよい。複数のパターンに分割すると、電流の集中を緩和でき、活性層３に均一に電流を注入して幅広い領域で発光させることができる。
【００３９】
また一方、図９に表したように、基板１の裏面の中心付近に第１のパターン８Ａを設け、周囲に延伸する細線状の第２のパターン８Ｂに接続してもよい。このようにしても、活性層３に対して電流を均一に注入して幅広い領域で発光させることができる。
【００４０】
図６乃至図９に表したものは一例に過ぎず、例えば、ｐ側電極８のパターン形状は、多角形状や楕円形状あるいはその他各種の形状としてもよい。また、その数や配置についても同様であり、各種の変型例も本発明の範囲に包含される。
【００４１】
図１０は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。同図については、図１乃至図９に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本変型例においては、基板１の側面１Ｓがテーパ状に傾斜し、基板１が角錐台状に形成されている。そして、側面１Ｓには粗面９が形成されている。さらに、基板１の底面、すなわちｐ側電極８が設けられた下面から側面１Ｓの途中までの領域において、粗面９の表面に反射膜１０が設けられている。
【００４２】
反射膜１０が設けられていない粗面９は、光の取り出し効率を上げる作用を有する。
図１１は、粗面９における光の取り出しを説明するための模式図である。
すなわち、基板１の側面１Ｓに錐状の粗面９が形成されている場合、基板１の内部を矢印Ａの方向に進行した光は、粗面９の表面において臨界角よりも大きい角度で入射すると矢印Ｂの方向に全反射される。しかし、この反射光が対向する粗面９に入射した時には、その入射角度は臨界角よりも小さくなり、基板１から外部に取り出すことができる。このように、基板１内を進む光が粗面９の凸部に入射すると、全反射を繰り返した後に矢印Ｃで表したように外部に取り出すことができる。
【００４３】
図１２は、本変型例における光の取り出し経路を例示した模式図である。
図１１に関して前述したように、反射膜１０が設けられていない粗面９においては高い効率で光を外部に取り出すことができる。
一方、この半導体発光素子を銀ペーストや半田などの接着剤３０によりマウントした状態において、図示したように接着剤３０がチップの側面に這い上がることがある。このように接着剤３０が這い上がった部分においては、光を取り出すことができない。これに対して、本変型例においては、チップのマウント面の近傍では、粗面９に反射膜１０を被着することにより、光の取り出しを促進できる。すなわち、接着剤３０が這い上がる領域においては、チップ内部の光を反射膜１０により反射させ、外部に取り出すことを可能としている。その結果として、光の取り出し効率を改善できる。
【００４４】
本変型例における基板１の側面１Ｓのテーパは、例えば、ダイシングにより形成できる。すなわち、断面がＶ字状のダイシング・ブレードを用いて基板１を裏面側からダイシングすることにより、Ｖ字状の溝を形成できる。または、エッチングによりＶ字状の溝を形成することも可能である。このようにして形成したＶ字状の溝に沿ってチップを分離することにより、テーパ状の側面１Ｓが得られる。またこの時、Ｖ字状の溝を形成した状態、あるいはチップに分離した後に、図４（ｂ）に関して前述したような粗面化の処理を施すことにより、粗面９を形成できる。
【００４５】
図１３は、本実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式図である。
すなわち、本変型例においては、基板１の下方のみがテーパ状に加工されている。そして、基板１の側面１Ｓには粗面９が形成されている。またさらに、テーパ状の部分においては、粗面９の上に反射膜１０が被着されている。
このようにすると、接着剤３０の這い上がりによる光の遮蔽を防ぐことができると同時に、反射膜１０により反射された光が矢印Ａで例示したように、垂直な側面１Ｓに入射されやすくなる。その結果として、光の取り出し効率をさらに上げることが可能となる。
【００４６】
なお、本変型例の半導体発光素子を製造するには、断面がＶ字状のダイシング・ブレードやエッチングなどを用いて基板１の裏面にＶ字状の溝を形成する際に、溝の深さを調節すればよい。Ｖ字状の溝を形成した後に、スクライブあるいは厚みの薄いダイシング・ブレードにて残余の部分を切り離す。こうすると、Ｖ字状の溝の側面がテーパ部となり、残余の部分が垂直な側面となる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態として、チップ裏面に凹部を有する半導体発光素子について説明する。
図１４は、本実施形態の半導体発光素子を実装部材にマウントした状態の断面構造を例示する模式図である。
すなわち、本実施形態の半導体発光素子も、基板１と、半導体積層構造６と、を有する。半導体積層構造６は、活性層やクラッド層などを適宜含み、電極７及び８を介して電流を注入することにより発光を生ずる。この半導体発光素子は、リードフレームや実装基板などの実装部材２８に接着剤３０によってマウントされている。
【００４８】
そして、本実施形態においては、半導体発光素子の裏面に錐状の凹部２０が基板の側面１５とオーバーラップしないように設けられている。凹部２０は、角錐状であってもよく、円錐状であってもよい。電極８はこの凹部の例えば中央付近に設けられている。このような凹部２０を設けることにより、光の取り出し効率を上げることができる。以下、この点について、比較例と対比しつつ説明する。
【００４９】
すなわち、比較例として、半導体発光素子の裏面は平坦に形成され、その中心付近に電極が設けられたものを考える。ところが、このような半導体発光素子を実装部材にマウントする場合、銀ペーストや半田などの接着剤が素子の周囲にはみ出して、素子の側面に這い上がることがある。従って、接着剤が這い上がった部分においては光の取り出しができない。また一方、活性層から下方に放出された光は素子の平坦な裏面により反射され、この反射光は活性層において吸収されるために損失が生ずる。
【００５０】
これに対して、本実施形態においては、半導体発光素子の裏面に錐状の凹部２０を設けることにより、図１４に表したように、活性層から放出された光を基板の側面１Ｓに向けて反射させ、活性層を介することなく外部に取り出すことができる。つまり、活性層の吸収による損失を抑制できる。
さらにまた、凹部２０が余剰の接着剤３０を吸収するため、接着剤３０の素子の側面１Ｓへの這い上がりを抑制できる。従って、凹部２０において側面１Ｓに向けて反射された光は、接着剤３０に遮られることなく外部に取り出される。
【００５１】
本実施形態の半導体発光素子における凹部２０の側面は、素子のマウント面に対して、例えば、２５度乃至４５度程度の傾斜角度を有する。このような凹部２０は、例えば、ドライエッチングやレーザ加工などにより形成できる。
図１５及び図１６は、ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
すなわち、まず、図１５（ａ）に表したように、凹部を形成すべき基板１の裏面上にレジストなどの比較的柔軟な材料からなるマスク層４０を形成する。
【００５２】
次に、図１５（ｂ）に表したように、プレス４２をマスク層４０に圧接させる。ここで、プレス４２には、形成すべき凹部２０に対応した突起４２Ｐが形成されている。
このようにプレスを圧接すると、図１５（ｃ）に表したように、マスク層４０に突起４２Ｐに対応した凹部４４が形成される。
【００５３】
次に、図１６（ａ）に表したように、イオンミリングやＲＩＥ（reactive ion etching）などの異方性エッチングによりマスク層４０の上方からエッチングする。すると、マスク層４０がエッチングされ、そのパターンが下地の基板１に転写される。図１６（ｂ）に表したようにマスク層４０のエッチングが進行し、図１６（ｃ）に表したようにマスク層４０が完全にエッチングされた時、下地の基板１の表面に凹部２０が形成されている。
【００５４】
また、以上説明したプロセスとは別に、例えば、レーザ加工により基板１の裏面に凹部２０を形成することも可能である。この場合には、基板１の裏面にレーザを走査させながら照射し、所定量ずつ順次エッチングする。レーザの走査範囲を徐々に縮小させることより、錐状の凹部２０を形成できる。
【００５５】
図１７は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
本変型例においては、凹部２０のうちで電極８が形成されていない部分に反射膜１０が被着されている。反射膜１０は、第１実施形態に関して前述した各種のものを用いることが可能である。
【００５６】
反射膜１０を設けることにより、凹部２０における光の反射率をさらに上げることができる。その結果として、活性層から下方に放出された光を高い効率で反射させ、側面１Ｓを介して取り出すことができる。
さらに、本実施形態において、図１１に関して前述したような粗面を側面１Ｓに設けてもよい。
【００５７】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態として、ボンディング・パッドの下における光の損失を低減した半導体発光素子について説明する。
図１８は、本実施形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
また、図１９は、この半導体発光素子の表面に形成された電極パターンを例示する平面図である。
これらの図面についても、図１乃至図１７に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５８】
本実施形態においては、半導体積層構造６の上に形成された電極７は、ボンディング・パッド７Ａと、これに接続された細線電極部７Ｂと、を有する。ボンディング・パッド７Ａは、図示しない外部回路と接続するための金ワイヤなどを接続する部分である。一方、細線電極部７Ｂは、オーミックＧａＡｓ層２６を介して半導体層との電気的なコンタクトを得る部分である。チップの一辺のサイズは、概ね２００マイクロメータ乃至１ミリメータ程度であり、ボンディング・パッド７Ａの直径は、概ね１００マイクロメータ乃至１５０マイクロメータ程度であり、細線電極部７Ｂの線幅は、概ね２マイクロメータ乃至１０マイクロメータ程度とすることができる。
【００５９】
そして、本実施形態においては、ボンディング・パッド７Ａの下の半導体積層構造６の表面に粗面９が形成され、さらにその上に誘電体層５０が設けられている。粗面９は、第１実施形態に関して前述したものと同様とすることができる。また、誘電体層５０は、例えば、ＳＯＧ（spin on glass）により形成することができる。ボンディング・パッド７Ａの下をこのような構造にすると、半導体発光素子からの光の取り出し効率を改善できる。以下、この点について、比較例を参照しつつ説明する。
【００６０】
図２０は、本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体発光素子の模式断面図である。
【００６１】
本比較例の場合、半導体積層構造６の表面は平坦であり、その上に半導体からなる電流ブロック層５２が設けられている。例えば、半導体積層構造が赤色光を発光するＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる場合、電流ブロック層５２としてノンドープのＩｎＧａＰなどを用いることができる。電流ブロック層５２は、ボンディング・パッド７Ａからその下の半導体層への電流の注入を遮断する役割を有する。すなわち、ボンディング・パッド７Ａの下で発光が生じても、その光はボンディング・パッド７Ａに遮蔽されて外部に取り出すことが容易でない。このため、このような電流ブロック層５２を設けてボンディング・パッド７Ａの下を非発光領域ＮＥとする。
【００６２】
ところが、この比較例の構造においては、細線電極部７Ｂから電流注入されて生じた発光が矢印Ａで表したようにボンディング・パッド７Ａの下に向かった場合、ＧａＡｓコンタクト層２６により吸収されて損失が生ずるという問題がある。また、ボンディング・パッド７Ａの下で反射された光は、矢印Ｂで表したように、対向する電極８に向かって進み、電極８の近傍に形成されている合金化領域において吸収されるため損失が生ずる。また一方、細線電極７Ｂの下で生じた発光は、比較的大きな入射角度で基板１の側面１Ｓに入射するため、側面１Ｓにおいて全反射されやすい。このため、光の取り出し効率が低下するという問題もある。
【００６３】
これに対して、本実施形態においては、まず、ボンディング・パッド７Ａの下に誘電体層５０を設けることにより、電流ブロック効果と反射率の増大効果が得られる。すなわち、誘電体層５０は絶縁性であるので、電流を確実に遮断でき、ボンディング・パッド７Ａの下での発光を確実に抑制できる。
またさらに、誘電体層５０を設けることにより、活性層３から放出された光を高い効率で反射させることができる。例えば、誘電体層５０の材料として酸化シリコンを用いた場合、その下のＩｎＧａＡｌＰ層の屈折率ｎを３．２、酸化シリコンの屈折率ｎを１．４５とすると、これら界面における全反射の臨界角は約２７度と小さくなる。つまり、活性層から放出され誘電体層５０に入射した光のうちで、入射角が２７度以上の光は全反射される。またこの場合、入射角が２７度以下の光に対しても約１４パーセントの反射が生ずる。このように、誘電体層５０を設けることにより、活性層３から放出された光を高い効率で反射させることができる。
【００６４】
さらに本実施形態によれば、半導体積層構造６の表面に粗面９を設けることにより、光を散乱させることができる。その結果として、図２１に矢印Ａで例示したように、ボンディング・パッド７Ａの下で散乱された光を素子の側面１Ｓに向けて反射させ、外部に取り出すことができる。
【００６５】
図２２は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
すなわち、本変形例においては、基板１の側面１Ｓに粗面９が設けられている。このような粗面９を設けることにより、図１１に関して前述したように多重反射を利用して光の取り出し効率を上げることができる。つまり、細線電極部７Ｂの下において生じた発光や、ボンディング・パッド７Ａの下の粗面９において散乱された光を側面１Ｓから高い効率で取り出すことができる。
【００６６】
図２３は、本実施形態の第２の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。 すなわち、本変形例においては、基板１の側面１Ｓがテーパ状に傾斜して形成されている。このようにすると、細線電極部７Ｂの下において生じた発光や、ボンディング・パッド７Ａの下で反射された光を、側面１Ｓに対してより小さな入射角度で入射させることができる。その結果として、側面１Ｓにおける全反射を抑制し、光の取り出し効率をさらに上げることが可能となる。また、本変型例において側面１Ｓに、図２２に表したものと同様の粗面９を設けてもよい。
【００６７】
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態として、ボンディング・パッドの下からの光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子について説明する。
図２４は、本実施形態の半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
また、図２５は、この半導体発光素子のボンディング・パッドの部分の拡大図である。これらの図面については、図１乃至図２３に関して前述したものと同様の要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６８】
本実施形態においては、素子の上面に形成された電極７が、ボンディング・パッド７Ｃと延伸電極部７Ｄとにより形成されている。ただし、ボンディング・パッド７Ｃのパターン面積は、ここに接続される金（Ａｕ）などのワイヤの融着部８０よりも小さく形成されている。例えば、直径が２０マイクロメータ乃至３０マイクロメータ程度の金ワイヤをボールボンディングした場合、融着部８０は、直径が８０マイクロメータ乃至１２０マイクロメータ程度の略円形となる。これに対して、本実施形態の発光素子のボンディング・パッド７Ｃの直径は、例えば４０マイクロメータ乃至７０マイクロメータ程度とする。そして、ワイヤ・ボンディングに対する強度を確保し、電流を広範囲に拡散させるために、ボンディング・パッド７Ｃから延伸電極部７Ｄを延伸させる。ボンディング・パッド７Ｃと延伸電極部７Ｄの下は、いずれも図示しないコンタクト層などを介して電流を注入できる構造とする。
【００６９】
図２６は、融着部８０の下で生じた発光の一部を延伸電極７０の隙間から外部に取り出す様子を例示した模式図である。
一般に、ボンディング・パッド７Ｃの下で生じた発光はボンディング・パッド７Ｃにより遮られて外部にそのまま取り出すことができない。また、ボンディング・パッド７Ｃの下で半導体層に電流を注入する構造とした場合には、ボンディング・パッド７Ｃの下に金属と半導体との合金化領域１８が形成される。この合金化領域１８が発光を吸収するために損失が生ずる。従って、ボンディング・パッド７Ｃをワイヤの融着部８０のサイズよりも大きく形成すると光の取り出し効率が低下してしまう。
【００７０】
これに対して、本実施形態によれば、ボンディング・パッド７Ｃのサイズをワイヤの融着部８０よりも小さくすることにより、図２６に表したように、融着部８０の下で生じた発光の一部を、延伸電極部７Ｄの隙間から外部に取り出すことが可能となる。従って、本実施形態の場合、基板１は、活性層３から放出される光に対して必ずしも透明である必要はない。ただし、本実施形態は、基板１が透明の半導体発光素子に適用しても同様の効果が得られることはもちろんである。
図２７は、本実施形態における電極パターンを例示する模式図である。
すなわち、 ワイヤの融着部８０よりも小さなボンディング・パッド７Ｃが設けられ、幅の狭い延伸電極部７Ｆが放射状に接続されている。融着部８０の下において生じた発光は、延伸電極部７Ｆの間から外部に取り出すことが可能である。また、さらに幅の狭い細線電極部７Ｅをチップの周囲まで延在させることにより、広い範囲にわたって電流を均一に注入して幅広い範囲で発光させることが可能となる。
【００７１】
図２８は、本実施形態における電極パターンの他の具体例を表す模式図である。
すなわち、本具体例においては、融着部８０の下の部分で、幅の広い延伸電極部７Ｄが形成され、これ以外の部分においては、幅の狭い延伸電極部７Ｆが形成されている。融着部８０の下において延伸電極部７Ｄを幅広に形成することにより、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。つまり、ワイヤ・ボンディングの際に印加される圧力や超音波などに対して、半導体層をより確実に保護できる。また、融着部８０の外側の部分において幅の狭い延伸電極部７Ｆと、さらに幅の狭い細線電極部７Ｅを形成することにより、広い範囲にわたって電流を均一に注入しつつ、発光を遮蔽せずに高い効率で取り出すことができる。
【００７２】
図２９（ａ）は、本実施形態の変型例にかかる半導体発光素子の電極７の部分を拡大した模式平面図であり、同図（ｂ）はその模式断面図である。
すなわち、本変型例においては、融着部８０の下（例えば、図２７、図２８において一点鎖線により表した融着部８０の部分である）で、電極７（延伸電極部７Ｄ、７Ｆ、ボンディング・パッド７Ｃなど）が形成されていない部分の半導体層の表面に、発光に対して透光性を有する透明膜２１が被覆されている。このような透明膜２１を設けることにより、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。また、半導体発光素子を樹脂により封止する際にも、半導体層を保護することができる。またさらに、透明膜２１を設けることにより、ボンディング・パッド７Ｃの下において生じた発光の一部をより効率的に外部に取り出すことが可能となる。すなわち、図２９に矢印Ａで例示したように、ボンディング・パッド７Ｃの下で生じた発光を透明膜２１に入射させ透明膜２１の表面で反射させることにより透明膜２１の中を伝搬させることができる。このようにして、融着部８０の下で生じた発光を透明膜２１を伝搬させて取り出すことができる。
【００７３】
この時、発光素子を封止する透明樹脂（屈折率は１．５程度である）よりも屈折率が小さい材料により透明膜２１を形成するとよい。このような透明膜２１は、例えば、ＳＯＧ（Spin On Glass）法により形成することができる。ＳＯＧ法を用いる場合、原料としては、例えば、無機シリケート系あるいは、メチルシロキサン系などの有機シリケート系の液体状のＳＯＧ材料をスピンコート法により、ウェーハの表面に塗布する。しかる後に、例えば、３００〜４００℃において熱処理を施すことにより、透明なシリコン酸化膜が得られる。このようにして得られるシリコン酸化膜の屈折率は、１．４あるいはそれ以下であり、本変型例における透明膜２１として用いることができる。
【００７４】
また、透明膜２１の厚みを電極７の厚みと同程度にすると、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。ただし、透明膜２１の厚みが電極７よりも薄い場合であっても、光の取り出し効果は得られる。
【００７５】
なお、本変型例においても、第１の実施の形態に関して前述したように、透光性の基板の裏面に凹凸状の粗面を形成したり、また、第２の実施の形態に関して前述したように、透光性の基板の裏面に凹部を設けると、光の取り出し効率をさらに改善できる。
【００７６】
図３０は、本実施形態の他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。 すなわち、本変型例においては、半導体層の表面に粗面９が形成されている。粗面９を形成することにより、図１１に関して前述したように多重反射を利用して光の取り出し効率を上げることができる。すなわち、融着部８０の下の領域においても、それ以外の発光領域においても、活性層３から放出された光を高い効率で取り出すことが可能となる。
【００７７】
図３１は、本実施形態のさらに他の変型例にかかる半導体発光素子を表す模式断面図である。
すなわち、本変型例は、図２９に表した変型例と図３０に表した変型例とを組み合わせた構造を有する。融着部８０の下において、透明膜２１と粗面９とを設けることにより、反射効果と散乱効果とを促進させ、融着部８０の下で生じた発光をより高い効率で外部に取り出すことが可能となる。
【００７８】
（第５の実施の形態）
次に、本発明の第５の実施の形態として、本発明の半導体発光素子を搭載した半導体発光装置について説明する。すなわち、第１乃至第４実施形態に関して前述した半導体発光素子を、リードフレームや基板などに実装することにより、高輝度の半導体発光装置が得られる。
【００７９】
図３２は、本実施形態の半導体発光装置を表す模式断面図である。すなわち、本具体例の半導体発光装置は、「砲弾型」などと呼ばれる樹脂封止型の半導体発光装置である。
リード１０２の上部には、カップ部１０２Ｃが設けられ、半導体発光素子１０１は、このカップ部１０２Ｃの底面に接着剤などによりマウントされている。そして、もうひとつのリード１０３にワイヤ１０４により配線が施されている。カップ部１０２Ｃの内壁面は、光反射面１０２Ｒを構成し、半導体発光素子１０１から放出された光を反射して上方に取り出すことができる。本具体例においては、特に、半導体発光素子１０１の透明基板の側面などから放出される光を光反射面１０２Ｒにより反射させて上方に取り出すことができる。
【００８０】
そして、カップ部１０２Ｃの周囲は、光透過性の樹脂１０７により封止されている。樹脂１０７の光取り出し面１０７Ｅは、集光曲面を形成し、半導体発光素子１０１から放出される光を適宜集光させて所定の配光分布が得られるようにすることができる。
【００８１】
図３３は、半導体発光装置の他の具体例を表す模式断面図である。すなわち、本具体例においては、半導体発光素子１０１を封止する樹脂１０７は、その光軸１０７Ｃを中心軸とした回転対称であり、中心において半導体発光素子１０１の方向に後退し集束する形状を有する。このような形状の樹脂１０７を採用することにより、広角に光を分散させる配光特性が得られる。
【００８２】
図３４は、半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。すなわち、本具体例は、「表面実装型」などと称されるものであり、半導体発光素子１０１は、リード１０２の上にマウントされ、もうひとつのリード１０３にワイヤ１０４により接続されている。これらリード１０２、１０３は、第１の樹脂１０９にモールドされており、半導体発光素子１０１は、透光性を有する第２の樹脂１０７により封止されている。第１の樹脂１０９は、例えば、酸化チタンの微粒子などを分散させることにより、光反射性が高められている。そして、その内壁面１０９Ｒが光反射面として作用し、半導体発光素子１０１から放出された光を外部に導く。すなわち、半導体発光素子１０１の側面などから放出される光を上方に取り出すことができる。
【００８３】
図３５は、半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。すなわち、本具体例も、「表面実装型」などと称されるものであり、半導体発光素子１０１は、リード１０２の上にマウントされ、もうひとつのリード１０３にワイヤ１０４により接続されている。これらリード１０２、１０３の先端は、半導体発光素子１０１とともに、透光性を有する樹脂１０７にモールドされている。
【００８４】
図３６は、半導体発光装置のさらに他の具体例を表す模式断面図である。本具体例においては、図３２に関して前述したものと類似した構造が採用されているが、さらに半導体発光素子１０１を覆うように、蛍光体１０８が設けられている。蛍光体１０８は、半導体発光素子１０１から放出された光を吸収し、波長変換する役割を有する。例えば、半導体発光素子１０１から紫外線あるいは青色光の一次光が放出され、蛍光体１０８は、この一次光を吸収して赤色や緑色などの異なる波長の２次光を放出する。例えば、３種類の蛍光体を混合させ、半導体発光素子１０１から放出される紫外線を蛍光体１０８に吸収させて、青色光と緑色光と赤色光からなる白色光を放出させることもできる。
なお、蛍光体１０８は、半導体発光素子１０１の表面に塗布してもよく、あるいは樹脂１０７に含有させてもよい。
【００８５】
そして、図３２乃至図３６に表したいずれの半導体発光装置においても、第１乃至第４実施形態に関して前述した半導体発光素子を設けることにより、半導体発光素子１０１の上面や側面から高い効率で光を取り出して、輝度の高い半導体発光装置を提供できる。
【００８６】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子や半導体発光装置の構造などに関する各種の変型例も本発明の範囲に包含される。
例えば、半導体発光素子を構成する層構造の詳細などに関して当業者が適宜設計変更したものも、本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。例えば、活性層として、ＩｎＧａＡｌＰ系の他にも、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＮ１−ｙ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１）系や、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系など、様々な材料を用いることもできる。同様に、クラッド層や光ガイド層などについても、様々な材料を用いることもできる。
また、光を透過させる基板を持つＬＥＤ製造方法の代表例として説明したウェーハ接着は、従来より知られているＡｌＧａＡｓ系など厚いエピタキシャル成長で透明基板を得るＬＥＤにも適用できる。
【００８７】
また、半導体発光素子の形状やサイズについても、当業者が適宜設計変更したものも、本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。
【００８８】
さらにまた、本発明の実施の形態のうちの任意のいくつかを組み合わせて得られる半導体発光素子及び半導体発光装置も、同様に本発明の範囲に属する。具体的には、例えば、本発明の第１の実施の形態と、本発明の第２〜第４の実施の形態のいずれか、とを組み合わせて得られる半導体発光素子及び半導体発光装置も、同様に本発明の範囲に属する。また例えば、第３の実施の形態と第４の実施の形態とを組み合わせてもよい。その他の技術的に可能ないかなる組合せについても、同様に本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子及び半導体発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施しうるすべての半導体発光素子及び半導体発光装置も同様に本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００８９】
１ 基板
１Ｓ 側面
２ クラッド層
３ 活性層
４ クラッド層
５ 電流拡散層
６ 半導体積層構造
７，８ 電極
７Ａ、７Ｃ ボンディング・パッド
７Ｂ、７Ｅ 細線電極部
７Ｄ、７Ｆ 延伸電極部
７Ｃ ボンディング・パッド
７Ｅ 細線電極部
８Ａ、８Ｂ 電極パターン
９ 粗面
１０ 反射膜
１１ 保護膜
１８ 合金化領域
２０ 凹部
２１ 透明膜
２６ コンタクト層
２８ 実装部材
３０ 接着剤
５０ 誘電体層
５２ 電流ブロック層
８０ 融着部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、
前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、
前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、
前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、
前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記基板の側面は、テーパ状に傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板の側面には、粗面が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記基板の側面に形成される粗面は、角錐の集合体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記誘電体膜は、主にＳＯＧから組成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
実装部材と、
前記実装部材にマウントされた請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子と、
を備え、
前記実装部材は、前記半導体発光素子の前記基板の側面から放出される光を反射する反射部を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光素子に接続されたワイヤをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記半導体積層構造の上に設けられ前記ワイヤの融着部に接続され且つ前記融着部よりも小なるパターンのボンディング・パッドを有することを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置。
【請求項１】
第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、
前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、
前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、
前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、
前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記基板の側面は、テーパ状に傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板の側面には、粗面が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記基板の側面に形成される粗面は、角錐の集合体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記誘電体膜は、主にＳＯＧから組成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
実装部材と、
前記実装部材にマウントされた請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子と、
を備え、
前記実装部材は、前記半導体発光素子の前記基板の側面から放出される光を反射する反射部を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光素子に接続されたワイヤをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記半導体積層構造の上に設けられ前記ワイヤの融着部に接続され且つ前記融着部よりも小なるパターンのボンディング・パッドを有することを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−６６４５３（Ｐ２０１１−６６４５３Ａ）
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２９０８４９（Ｐ２０１０−２９０８４９）
【出願日】平成２２年１２月２７日（２０１０．１２．２７）
【分割の表示】特願２００５−６５５８９（Ｐ２００５−６５５８９）の分割
【原出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２７日（２０１０．１２．２７）
【分割の表示】特願２００５−６５５８９（Ｐ２００５−６５５８９）の分割
【原出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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