【課題】紫外線光または青色光を発光するLEDチップを使用して複合波長、即ち、白色光
やいろいろな単一波長の光またはこれらの単一波長の光が混合された光を放出するLED素
子として、接着剤などを使用しないで、単純化された工程を使用する、複合波長の光を放
出するLED素子の製造方法を提供する。
【解決手段】LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulse
d DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均
一に蒸着する。スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を
使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。
蛍光膜を蒸着させた後に前記のマスクパターンを除去することによって複合波長の光を発
生するLED素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハが収容された状態で意図せず乾燥してしまうことを防止することが可能なウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置を提供すること。
【解決手段】 コンベア１によって搬送されるウエハＷｆを収容カゴ３に収容する、ウエハ搬送方法であって、コンベア１によって鉛直方向と異なる方向に搬送されるウエハＷｆを、方向転換器２によってその面内方向が鉛直方向に沿い、かつ鉛直方向下方に進行するようにウエハＷｆの進行方向を転換した後に、ウエハＷｆを、液体Ｌｑ中に配置されかつ鉛直上方に開口する収容カゴ３に収容する。 （もっと読む）

ＬＥＤとともに使用するための再発光半導体構造（ＲＳＣ）、並びに関連素子、システム、及び方法が開示される。製造方法は、半導体基板を提供する工程と、基板の第１側面上に半導体層スタックを形成する工程と、キャリアウィンドーを該スタックに取り付ける工程と、取り付ける工程の後に該基板を除去する工程と、を含む。スタックは、第１波長λ_１の光を、第２波長λ_２の可視光に変換するように適合される、活性領域を含み、活性領域は、少なくとも第１ポテンシャル井戸を含む。取り付ける工程は、該スタックが該基板と、第２波長λ_２に対して透明である、キャリアウィンドーとの間に配設されるように行われる。また、キャリアウィンドーは、スタックのものよりも大きい横寸法を有してもよい。除去する工程は、キャリアウィンドー及びスタックを含む、ＲＳＣキャリア素子を提供するように行われる。
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【課題】 セラミックパッケージを用いて信頼性の高い半導体装置とする。
【解決手段】 本発明にかかるセラミックパッケージの製造方法は、未焼成セラミックを積層し焼成して得たセラミック基板を所定のパターンに形成された溝に従って分割することによりパッケージとするセラミックパッケージの製造方法であって、セラミック基板の主面を作用点とし、曲げモーメントを加えるとともに、主面に平行な方向に引っ張りモーメントを加えながらセラミック基板を分割する工程を含むことを特徴とする。また、本発明にかかる半導体装置は、導体配線を内部に配した凹部を有するセラミックパッケージと、凹部内にて前記導体配線と接続された半導体素子とを有する半導体装置であって、凹部の側壁上面の少なくとも一部は、樹脂材料によって被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

パターンが形成された基板の製造方法が開示される。本発明による他のパターンが形成された基板の製造方法は、酸化物ビードが分散された溶液を用意して基板上にパターンを形成した後、基板上にマイクロチャネルが形成されるように仮設構造物を基板の上方に設ける。そして、酸化物ビードが分散された溶液をマイクロチャネルに注入して基板上に酸化物ビードを固定させ、基板を熱処理する。本発明によれば、低コストの酸化物ビードを所望の形態で基板上にパターニングすることができて、ドライエッチング時に基板に加えられる損傷を防止でき、エッチング過程がなくて素子収率低下問題がなく、結果的に素子の量産性が向上する。また、ドライエッチングのための高コストの装備投資が不要で経済的に有利なだけでなく、短時間に多くの基板を製作できる高い生産性を持つ。
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【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。
【解決手段】n型Si基板10にエピタキシャル成長層40とp側電極26を形成する第1工程と、p側電極に支持基板30を接合する第2工程と、n型Si基板及びバッファ層40-1をエッチング除去する第3工程と、n型GaN層16の発光領域が形成される側の面16aの出力光を取り出す領域を除く領域にn側電極42を形成する第4工程と、を含んで構成されるLEDの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 反射層を具えた高輝度発光ダイオードの提供。
【解決手段】 以下の順に配置された発光構造、非合金オームコンタクト層、金属層、及び基板を包含する。反射鏡として、該金属層は純金属又は金属窒化物で形成されて優れた反射率を達成する。非合金オームコンタクト層は金属層と発光構造の間に介装され、これにより必要なオームコンタクトを達成する。金属層の、非合金オーム コンタクト層との融合を防ぎ、金属層の反射表面の平坦度を維持するため、光学透過層が金属層と非合金オームコンタクト層の間に介装される。 （もっと読む）

【課題】白色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第１半導体層上に形成され、第１波長の光を生成する活性層と、活性層上に形成された第２半導体層と、半導体物質からなって相互離隔配列された複数のナノ構造物と、を備え、ナノ構造物は、第１波長の光の少なくとも一部を吸収して第１波長と異なる第２波長の光を発光するように構成された発光ダイオードである。 （もっと読む）

【課題】複数の素子を同時に転写する一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散して良好な表示画質の表示装置を得ることが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１工程では、第１基板１上に配列形成された発光素子Ｓのうち所定個数置きに配置された発光素子Ｓを、第２基板２上に設定された第１転写エリアＳ１-1〜Ｓ１-4に一括転写する。次の第２工程では、第２基板２上の第１転写エリアＳ１-1〜Ｓ１-4に対して、第１基板１を移動させるか当該第１基板を面内で回転させた少なくとも一方の状態とし、第２基板２上に移載した複数の発光素子Ｓ間に、第１基板１上に残された発光素子Ｄを転写する。 （もっと読む）

【課題】基板が反ることなく、窒化物半導体発光素子を安定してより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下である基板上に、バッファ層およびｎ型層をこの順に形成する工程（Ａ）と、ｎ型層上に活性層およびｐ型層をこの順に形成する工程（Ｂ）と、ｐ型層上に電流拡散層を形成する工程（Ｃ）と、電流拡散層上に、パット電極を形成する工程（Ｄ）と、基板の厚み方向の上下を固定した上で、基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光出力を向上させられる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフのためのレーザ照射時の、未照射領域への応力の緩和。
【解決手段】２．Ａにおいて、拡大素子領域Ａ１は前回までにレーザ照射済であり、応力緩和領域Ｂ２と拡大素子領域Ａ２は今回レーザ照射中であり、応力緩和領域Ｂ３及びＢ４並びに拡大素子領域Ａ３及びＡ４はレーザ未照射である。応力緩和領域Ｂ２と拡大素子領域Ａ２のｎ型層１１の、エピタキシャル成長基板１００との界面付近の分解により窒素ガスが発生し、溝ｔｒ１ｂ、ｔｒ２ａ及びｔｒ２ｂから排出される。この際、非常に大きな体積膨張が生じる。拡大素子領域Ａ１のエピタキシャル層１０は、エピタキシャル成長基板１００と剥離しており、大きな応力はかからない。応力緩和領域Ｂ３のエピタキシャル層１０は、エピタキシャル成長基板１００と接合しているので、大きな応力がかかる。しかし、更にその右側の領域である拡大素子領域Ａ３には応力が直接には及ばない。 （もっと読む）

【課題】６５５ｎｍ以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ｐｎ接合型の発光部７と、発光部７に積層された歪調整層８とを少なくとも含む化合物半導体層２を備え、発光部７は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層８は、発光波長に対して透明であると共に歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０≦ｘ≦１）基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１を備えたＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａであって、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高いことを特徴としている。またＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】接合強度を十分に維持できると共に、短時間で分離することができる、貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】この貼り合わせ基板の製造方法は、III族窒化物半導体基板及び第１支持基板のうち少なくとも一方上に、表面粗さＲ_ｒｍｓが０．１〜１００００ｎｍの表面を有する第１緩衝膜を形成する工程と、第１緩衝膜を介して、第１支持基板にIII族窒化物半導体基板を貼り合わせる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１２を形成する工程、炭化物層１２上に、第一膜として炭素膜１３を形成する工程、炭化物層１２を窒化する工程、窒化した炭化物層１２の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、III族窒化物半導体層から、下地基板１０を除去して、III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程を実施する。 （もっと読む）