【課題】１つの基板に設けられた複数の機能性領域のうち、任意の領域を選択的に別の基板に効率良く選択的に移設することができる機能性領域の移設方法などを提供する。
【解決手段】機能性領域の移設方法により、処理により分離可能状態になる分離層１０５を有する第１の基板１０３の分離層上に配される機能性領域１０１、１０２の少なくとも一部が第２の基板１００に移設される。第１接合工程では、第１の基板上に配された機能性領域の少なくとも一部と第２の基板との間にドライフィルムレジスト１１５を介在させて、第１の基板と第２の基板を接合する。露光工程では、ドライフィルムレジスト１１５の一部を露光する。パターニング工程では、露光されたドライフィルムレジスト１１５をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の主面を有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、前記基板の前記第１の主面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成された、半導体積層構造と、前記第１の粗面の上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、前記基板の前記第２の主面上に設けられた第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系半導体発光素子において成長用基板とその上に形成される電極とのオーミック接触を向上させるとともに、酸化亜鉛系半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させることができる製造方法及び当該製法によって製造される酸化亜鉛系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】組成がＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（0≦ｘ≦0.68）である基板の第１主面上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次形成する工程と、基板の第２主面に基板の内部に向かって伸長するマイクロクラックを形成する工程と、１００℃以上の温度で加熱処理を行う工程と、基板の第２主面上にＡｌ、Ｇａ合金又はＩｎ合金のいずれか１つからなる金属材料を堆積し、３００〜１０００℃の温度で加熱処理を施して電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】改善された外部光子効率と動作電圧特性を有する垂直構造３族窒化物発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う垂直構造３族窒化物発光素子は、導電性基板と;上記導電性基板上に順次積層されたｐ型クラッド層、活性層、ｎ-ドープＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{(１-ｘ-ｙ)}Ｎ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)層、アンドープＧａＮ層及びｎ側電極を含み、上記アンドープＧａＮ層の上面には凸凹パターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直構造ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の垂直構造ＬＥＤ素子の製造方法は、成長用基板上に第１導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層及び第２導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を順次に形成する段階と、上記第２導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に導電性基板を接合する段階と、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から上記成長用基板を除去する段階と、上記成長用基板の除去により露出された面側の上記第１導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に電極を形成する段階とを含む。上記導電性基板の接合段階は、金属接合層を接合界面に接触させた状態で上記接合界面にマイクロ波を印加して上記金属接合層を局部的に加熱する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感光性プレポリマーレジンを使用せずに、感光性金属有機物前駆体溶液を基板に塗布して、ナノインプリント方式で直接パターニングする金属酸化薄膜パターンの形成方法、当該形成方法によって直接パターニングされた金属酸化薄膜パターン、および、当該形成方法によって光結晶層を含むＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に感光性金属有機物前駆体溶液をコーティングして感光性金属有機物前駆体コーティング層を形成する段階と、凹凸構造を有するようにパターン化されたモールドで前記感光性金属有機物前駆体コーティング層を加圧する段階と、前記加圧された感光性金属有機物前駆体コーティング層に紫外線を照射して硬化された金属酸化薄膜パターンを形成する段階と、前記パターン化されたモールドを前記金属酸化薄膜パターンから除去する段階とを含むナノインプリントを利用した金属酸化薄膜パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法は、第１の基板上に第１の導電型化合物半導体層、活性層及び第２の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第１の基板の温度が室温より高い第１の温度で、前記エピ層に前記第１の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第２の基板をボンディングさせ、前記第１の基板の温度が室温より高くて前記第１の温度以下の第２の温度で、前記第１の基板を介してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第１の基板を分離することを含む。これにより、レーザリフトオフ工程でレーザビームの焦点を合せることが容易で、またエピ層のクラックを防止できる。また、ヒータを有するレーザリフトオフ装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤとの線膨張率差が小さく、しかも熱伝導性に優れたＬＥＤ搭載構造体と、ＬＥＤ搭載構造体の製造方法と、ＬＥＤ搭載構造体を製造するためのＬＥＤ搭載用基板を提供する。
【解決手段】炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド及び黒鉛の中から選ばれる１種類以上の粒子からなる多孔体に、溶湯鍛造法にてアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜０．５ｍｍで、表面粗さ（Ｒａ）０．０１〜０．５μｍに加工した後、表面のアルミニウム合金を０．５〜１０μmエッチング除去し、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓｎの中から選ばれる１種類以上の金属層を形成し、且つ、全表面の５０％〜９０％の面積が、セラミックス粒子が露出してなることを特徴とするＬＥＤ搭載用基板。それを用いたＬＥＤ搭載構造体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板８上に、選択エッチング層３、応力緩和層９および応力緩和層９より大きいヤング率を有するIII−Ｖ族化合物半導体から成る化合物半導体層４をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Ｓｉ基板５の主面に化合物半導体層４の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４が積層された化合物半導体基板８を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層３をさらにエッチング除去することにより、Ｓｉ基板５と化合物半導体基板８とを分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子の製造方法において、サファイア基板上の窒化物系半導体層を含むウエハの反りを改善して、支障なくサファイア基板のレーザリフトオフを行ない得る方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、サファイア基板１上に１層以上の窒化物系半導体層２を形成する工程と、窒化物系半導体層上にサファイアより小さな熱膨張係数の導電性支持基板３の第１主面を接合する工程と、導電性支持基板の第１主面に対向する第２主面上にその導電性支持基板より大きな熱膨張係数の反り抑制基板４が加熱を含む方法で接合される工程と、その後に窒化物系半導体層からサファイア基板がリフトオフ法で除去される工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率又は受光効率が高く、かつ安価に製造することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなり、接合部材が光半導体チップの外側に光反射面を有するように形成された光半導体素子の製造方法であって、接合部材を上記基材上に塗布することと、光半導体チップを、溶融した接合部材が光半導体チップの側面の外側にはみ出すように押圧して光半導体チップの外側に光反射面を形成する。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、完成品の歩留まりを向上することが可能な半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板２０４の主面の中ほどに、半導体多層膜２０６で構成された発光素子であるＬＥＤＤ１〜Ｄ９が配されており、一のＬＥＤの第２電極２２６と他のＬＥＤの第１電極２１６とが、ＬＥＤの側面に形成された絶縁膜２２８上に這設された膜配線であるブリッジ配線２３４Ａ，２３４Ｂで順次電気的に接続されて、直列に接続されており、直列接続された発光素子列であるＬＥＤアレイの一方端のＬＥＤＤ６の第１電極２１６と第１給電端子２３２とが電気的に接続されており、他方端のＬＥＤＤ４の第２電極２２６と第２給電端子２３０とが、絶縁膜２２８上を這設された膜配線２３６Ａを介して電気的に接続されていて、蛍光体膜２０８がベース基板２０４で受けるような形でＬＥＤＤ１〜Ｄ９を覆っている。 （もっと読む）

【課題】サファイア層に発光層が積層された構成の発光デバイスにおいて、サファイア層内から光線が効率よく出射されるようにする。
【解決手段】サファイア層２に発光層３が積層された発光デバイスにおいて、サファイア層２の裏面２ｂの近傍や側面２ｃの近傍に、光線Ｌの伝播方向を変化させるクラック等の構造変化領域１０をレーザ光によって形成する。構造変化領域１０に入射することによりサファイア層２と空気との界面への光線Ｌの入射角度を臨界角度θ内とし、該界面を透過させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子用結晶を含む薄層を、レーザ照射を用いて成長基板から剥離する半導体素子の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の主面に半導体素子用結晶が形成された成長基板にレーザ光を照射して前記半導体素子用結晶または前記成長基板の内部の所定位置に前記レーザ光を集光し、前記第１の主面に対して平行な方向に前記レーザ光を移動し、前記半導体素子用結晶を含む薄層を前記成長基板から剥離する工程を備え、前記レーザ光の波長は、前記レーザ光を内部に集光させる前記半導体素子用結晶または前記成長基板の吸収端波長よりも長いことを特徴とする半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配光パターンのばらつきが少ない半導体発光装置及び配光パターンのばらつき低減、コスト低減及び製造時間の短縮を図ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】パターン電極が形成された実装基板と、半導体層の第１主面上にｐ側電極及び接合層が順次形成されて構成された少なくとも１つの半導体発光素子と、半導体発光体素子の側面を覆うパッシベーション層と、半導体発光素子の第２主面の一部、パッシベーション層及びパターン電極の上に形成されたｎ側電極と、有し、ｎ側電極は、半導体発光素子の第２主面上に位置する遮光電極部と、パッシベーション層の上及びパターン電極の上に遮光電極部に連続して形成されてパターン電極と遮光電極部とを電気的に接続する給電電極部と、が一括形成されていること。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層上にＴＣＯ膜からなる透光性電極を形成した後に、このｐ型コンタクト層と透光性電極との間の抵抗を所定領域において部分的に増加させる工程を含む、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高いと共に、信頼性の高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１００とを有する発光層１０と、発光層１０の一方の面側に設けられ、活性層１００が発する光を反射する反射層１２０と、反射層１２０の発光層１０の反対側に接合層２００を介して発光層１０を支持する支持基板２０と、反射層１２０の一部に設けられ、反射層１２０と発光層１０とを電気的に接続するオーミックコンタクト部１３５と、発光層１０の他方の面側、及び発光層１０の側面にそれぞれ形成される凹凸部１４０と、発光層１０の他方の面の凹凸部１４０、及び発光層１０の側面の凹凸部１４０を被覆する絶縁膜１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層における蛍光体の波長の変換効率が高く、演色性にすぐれた白色発光を可能にする窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層および前記ｐ型窒化物半導体層で挟まれた発光部とで構成される窒化物半導体発光層と、前記窒化物半導体発光層上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された金属層と、前記金属層および前記誘電体層の間にまたは前記金属層上に形成され、前記窒化物半導体発光層が発する光を吸収して蛍光を発する蛍光体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光素子１００は、ｐ型層１０３のｐ電極と接合している側の表面に、複数のドット状の溝１０８が形成されている。溝１０８は、ｎ型層１０６に達する深さである。また、溝１０８の側面は、ｐ型層１０４からｎ型層１０６に向かうにつれて素子面方向の断面積が減少するように傾斜している。ｎ型層１０６のｎ電極１０７と接合している側の表面には、ｎ電極１０７が形成されている領域を除いて微細な凹凸１１３が形成されていて、微細な凹凸１１３上には、屈折率が１．５〜２．３の透光性を有した絶縁膜１１４が形成されている。溝１０８によるｎ型層１０６側への光の反射と、絶縁膜１１４によるｎ型層１０６側への反射防止により、光取り出し効率が向上している。 （もっと読む）

【課題】放射効率が高められたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子およびその種の半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が第１の主面及び第２の主面を有し、且つ、半導体素子の半導体基体が種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており、生成される放射の少なくとも一部が前記第１の主面を通過して出力結合され、第２の主面上にリフレクタが被着されている。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を、基板基体及び中間層を有する接合基板上に被着し、基板基体の熱膨張係数はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の熱膨張係数よりも大きく、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を中間層上に析出する。 （もっと読む）