【課題】半導体多層ミラーが、エピキタシャル層の再成長が必要な埋め込み構造をとることなく、上側電極から直下に電流が流れることを阻止でき、かつ基板電極と発光素子との導通を確保できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】ｐ型基板５１上に、反射層２５、ｐ型の第１層２４、ｎ型の第２層２３、ｐ型の第３層２２、ｎ型の第４層２１が順次形成されている。第４層２１の上にはカソード電極３６が形成され、エッチングにより一部露出された第３層２２上にゲード電極３７が形成され、エッチングにより一部露出された第４層２４上とエッチングによって露出された基板５１との間を短絡電極６３で接続する。基板５１の裏面には、裏面共通電極５３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れ、且つ波長ムラの少ない半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４、酸化チタン系導電膜層１５がこの順で積層された発光素子であって、酸化チタン系導電膜層１５表面の少なくとも一部に無秩序な凹凸面が形成された構成としている。 （もっと読む）

【課題】電流拡散特性、及び光取り出し効率に優れた発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、酸化チタン系導電膜層がこの順で積層された発光素子であって、前記酸化チタン系導電膜層が、光取り出し層としてなる第１層と、該第１層の前記ｐ型半導体層側に配され、電流拡散層としてなる第２層とを有して構成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４、酸化チタン系導電膜層１５、透光性導電膜層１６がこの順で積層された半導体発光素子１であって、酸化チタン系導電膜層１５表面の少なくとも一部に凹凸面が形成された構成としている。 （もっと読む）

【課題】電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII-V族化合物半導体発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】複数の結晶面を有する基板1上にエピタキシャル成長させた成長層に少なくとも障壁層および活性層を有するIII-V族化合物半導体発光ダイオードにおいて、前記成長層が、該成長層の少なくとも前記活性層が面内方向においてバンドギャップエネルギーの異なる複数の結晶面を有し、該複数の結晶面のうち前記バンドギャップエネルギーのより高い結晶面に電流注入のためのオーミック電極4が形成されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光ダイオードである。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜と半導体間のオーミック接続を効率よく確保し、発光体から発生する光を効率的に外部に取り出すことを可能とした半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体上に設けた透明導電体１１とを備える半導体発光素子であって、前記透明導電体１１は、少なくとも２層以上の透明導電膜１０からなり、仕事関数において、透明導電体の最表層αと積層体の最表層γとの間に位置する透明導電体の中間層βは、α＞β＞γまたはα＜β＜γの関係にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のエッチングの際に半導体に与える悪影響を低減し、発光部から発生する光を効率的に外部に取り出すことを可能とした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、発光部を介して第一導電型層と第二導電型層を配してなる積層体と、該積層体上に設けた透明導電性基板とを備え、前記透明導電性基板は、透明基材と、該透明基材上に形成された透明導電膜とから構成され、前記透明導電性基板は、透明導電性高分子を介して、前記透明導電膜側が前記積層体に対向するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体に対して接触抵抗が小さく、さらに光反射性が高い電極を形成した化合物半導体、及び発光効率が高く、信頼性が高い発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系の化合物半導体２０は、ゲルマニウムから成る層を有する電極が窒化ガリウム系の化合物半導体２０の表面にゲルマニウムから成る層が接するようにして形成されている。具体的には電極は、ゲルマニウムから成る第１の層２１、銀，アルミニウム及びロジウムのうちのいずれかから成る第２の層２２、ニッケル，チタン，ニオブ及びモリブデンのうちのいずれかから成る第３の層２３、及び金を含む第４の層２４が順次積層されて成る構成である。 （もっと読む）

【課題】出発基板の除去時間の短縮とエッチング不均一を低減する。
【解決手段】半導体発光素子用接合基板は、出発基板の第一主表面側に形成された少なくとも発光層を含む半導体層と前記半導体層の第一主面側から前記出発基板の内部にかけて形成された複数の溝３８とを備えたエピタキシャル基板Ｂｅと、出発基板とは異なる材料で形成された永久基板とを貼り合せてなる。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。
【解決手段】この製造方法は、凹部３０ｒ及び凸部３０ｐを有する基板３０を準備する準備工程と、凸部３０ｐから少なくとも横方向に第１半導体３１を成長させる第１成長工程と、第１半導体３１の上に第２半導体３２を成長させて第２半導体３２からなるファセットを形成する第２成長工程と、ファセットから少なくとも横方向に第３半導体３３を成長させる第３成長工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 支持体の劣化が低減された信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる発光装置は、発光素子と、その発光素子を収納する凹部が設けられ、上記発光素子と接続するリード電極を有する支持体と、を備えた発光装置であって、上記発光素子は、その長手方向および短手方向が、上記凹部の底面の長手方向および短手方向にそれぞれ沿うように上記凹部の底面に配置されており、上記発光素子の電極が、上記凹部の底面の長手方向に露出されたリード電極に導電性ワイヤを介して接続され、さらに、上記発光素子は、ｎ側電極を有する半導体からなるｎ側コンタクト層とｐ側電極を有する半導体からなるｐ側コンタクト層との間に発光層を有する半導体積層構造を備え、上記ｎ側コンタクト層は、電極形成面側からみて、ｐ側電極を有する半導体積層構造が設けられた第１の領域と、複数の凸部を有する第２の領域からなり、上記凸部の頂部は、上記発光素子断面において、上記発光層よりも上記ｐ側コンタクト層側に位置する。 （もっと読む）

【課題】チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝を形成する場合に、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子を形成することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層２には、ｐ側から見て活性層３を越えた領域に段差Ａが形成されている。この段差Ａの部分まで、保護絶縁膜６によりｎ型窒化物半導体層２の一部、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４、ｐ電極５の側面とｐ電極５の上側一部にかけて覆われている。チップ側面を保護絶縁膜６で覆う構造とすることで、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する場合、活性層３等が、長時間エッチングガスに曝されることがない。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】水素原子を含有する窒素源を使用し、ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後、キャリアガスに不活性ガスを用い、かつ水素原子を含有する窒素源の流通を停止し、水素原子を含有しない窒素源により窒素原子を供給しつつ降温することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れ、かつ、電流拡散性能の優れた窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層２、発光層３、ｐ型半導体層４、透光性導電酸化膜層１１が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、前記透光性導電酸化膜層１１が、光取り出し層として機能する第１層７と、前記第１層７の前記ｐ型半導体層４側に配置され、電流拡散層として機能する第２層６とを少なくとも有する窒化物系半導体発光素子１２とする。 （もっと読む）

【課題】高い光取り出し効率を得るとともに、駆動電圧（Ｖｆ）を低くした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされている構成とし、前記ｐ型半導体層と透光性導電酸化膜との接触抵抗を小さくしている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長基板から他の基板へIII族窒化物系化合物半導体層を移す。
【解決手段】サファイア基板１００に発光領域Ｌを有するｎ型層１１とｐ型層１２を形成する。ＩＴＯ電極１２１−ｔ、ＳｉＮ_x誘電体層１５０とその孔部のＮｉから成る接続部１２１−ｃ、Ａｌから成る高反射性金属層１２１−ｒを形成する。この上にＴｉ層１２２、Ｎｉ層１２３、Ａｕ層１２４を順に形成する。次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。ＴｉＮ層２２１及び２３１、Ｔｉ層２２２及び２３２、Ｎｉ層２２３及び２３３、Ａｕ層２２４及び２３４。これらにスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１、５２を形成し、３００℃で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板１００側からレーザ照射によりｎ型層１１の表面のＧａＮを分解して、サファイア基板１００をリフトオフにより除去する。 （もっと読む）

【課題】発光領域を挟んで上下に形成されるｎ層側とｐ層側の電極形状を最適化する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、両面に導電性多層膜を形成したｎ型シリコン基板２００を支持基板とし、ｐ側にＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔ、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃ、アルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとを形成され、多層金属膜を介して金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５０でｎ型シリコン基板２００と電気的に接続されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、窓枠状に形成されたｎ電極である多層金属膜１３０の形成されていない領域が光取り出し領域である。ｐ電極側のニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃの形状とｎ電極である多層金属膜１３０の形状は、それぞれの発光領域Ｌ平面への正射影が重ならず、且ついずれの位置においても２０μｍ以上の間隔を有して離れている。 （もっと読む）

【課題】ウエハを個々の発光素子に分離する際の歩留まり及び光取り出し効率の向上。
【解決手段】エピタキシャル成長に用いたサファイア基板をレーザリフトオフ法により除去したウエハ１０００ｗ（２．Ａ）は、ｎ型シリコン基板２００に導電性多層膜ｆｍとIII族窒化物系化合物半導体層１１，１２とｎ電極１３０が形成された表面と、導電性多層膜２３０の形成された裏面とを有する。半導体層１１，１２側からテーパを有する切削面ｆｄを形成して、半導体層１１，１２を個々の素子ごとに分離する（２．Ｂ）。裏面側から切削面ｂｄを、ｎ型シリコン基板２００の厚さ１／３までの深さで形成する（２．Ｃ）。次に公知のブレーキング工程により、ウエハ１０００ｗの表裏の切削面ｆｄ及びｂｄがつながる様にして、個々の発光素子１０００を得る（２．Ｄ）。切削面ｆｄは同じ角度のテーパ状（２．Ｅ）としても、角度が変化するテーパ状（２．Ｆ）としても良い。 （もっと読む）

【課題】高効率、低コストであるとともに機械的強度も十分に確保できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１の第一主表面上に少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を順次積層した発光層部を含む化合物半導体層と、前記化合物半導体層の第一主表面上の一部に形成された上部電極７と、前記光吸収性半導体基板の第二主表面側に形成された下部電極８とを有する半導体発光素子において、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１と前記発光層部との間の前記上部電極７の下部に形成されたｐ型サイリスタ層２と、前記ｎ型クラッド層３の第二主表面側の前記上部電極７の下部以外の部分に形成された金属層１０と、前記ｎ型クラッド層３内の第二主表面側の前記上部電極７の下部以外の部分に形成されたオーミックコンタクト部９とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。
【解決手段】上記の目的を達成するために、本発明は、光を透過可能な基板１と、基板１上に設けられたｎ層３及びｐ層５と、前記ｎ層３と前記ｐ層５の間に設けられた発光層４と、前記ｎ層３と前記ｐ層５にそれぞれ設けられたｎ側電極７とｐ側電極６を有した発光素子であって、ｐ側電極６を少なくともｐ層５側からＰｔ層６１、Ａｇ層６２、Ｍｏ層６３の順に積層した。 （もっと読む）