【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。
【解決手段】先ず、図１（ａ）で示すように、Ｓｉ基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜２を蒸着する。次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＮｉ薄膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。したがって、図１（ｃ）で示すようにＧａＮナノコラム５が成長すると、ＳｉＯ_２をナノコラム５間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤヘッドなどの半導体装置において高解像度化に対応した構成とする場合であっても、配線での抵抗分を抑えてエネルギー効率を十分に改善させ得る半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の一主面側に配設した第１導電型半導体層と、該第１導電型半導体層上に形成され前記第１導電型半導体層との間に第１及び第２導電型半導体接合面を形成する第２導電型半導体層とを有する発光素子とを有し、前記発光素子は複数形成され、隣接する所定数の前記発光素子の前記第２導電型半導体層を共通に接続する第２導電側配線を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の窒化物半導体に接触される電極の透光性とオーミックコンタクト特性を向上させる。
【解決手段】本発明による発光素子は、光を発生する活性層５と、活性層５を被覆するｐ−ＧａＮ層７と、ｐ−ＧａＮ層７の上に形成されたｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａと、ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａを被覆するように形成されたＩＴＯ膜８ｂとを具備する。ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａは、ｐ型半導体になるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極の直下部分の発光層からの発光を抑制して、光の取り出し効率を向上させることができるとともに、過電圧がかかった場合でも破壊を抑制することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ層７上に、ショットキー用ＺｎＯ層６が積層され、ショットキー用ＺｎＯ層６の一部を残して、コンタクト用ＺｎＯ層５が形成されている。ショットキー用ＺｎＯ層６の一部とコンタクト用ＺｎＯ層５に接触するようにｐ型ＧａＮ系コンタクト層４が形成されており、その上には、ＭＱＷ活性層３、ｎ型ＧａＮ系コンタクト層２、ｎ電極１が順に積層されている。ｎ電極１の直下に相当する部分のＺｎＯ層がショットキー接合となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】基板面内の任意の場所でｎ型不純物濃度の最小値が５×１０^１７ｃｍ^−３以上としたIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】表面が酸化物である透光性電極を備えており、ｐ電極とｎ電極が共通の材料で構成された窒化物半導体素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層（２）とｐ型窒化物半導体層（４）とを有し、ｎ型窒化物半導体層（２）にｎ電極（１１）が、ｐ型窒化物半導体層（４）に透光性電極（５）とその上の一部にｐ電極（１０）とが形成された窒化物半導体素子において、ｎ電極（１０）及びｐ電極（１１）は、第１金属層（６）と、第２金属層（７）とを含み、第１金属層（６）は、白金族の金属を含み、離散した島状に形成され、第２金属層（７）は、ｎ型窒化物半導体層（２）とオーミック接触可能な金属から成り、第１金属層（６）の島同士の間から露出したｎ型窒化物半導体層（２）又は透光性電極（５）と接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層の輝度の向上を図ることができる、半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この半導体発光素子１では、ｐ型ＧａＮ層５およびｐ型ＡｌＧａＮ層６がｐ型クラッド層をなす。そして、ｐ型クラッド層上にＭＱＷ活性層７が設けられ、ＭＱＷ活性層７上にｎ型クラッド層としてのｎ型ＧａＮ層８が設けられている。ｐ型ＧａＮ層５を成長させる工程の初期の段階では、成長室の内面などにｐ型不純物であるＭｇが付着して奪われるが、それ以降は、成長室の内面などへのＭｇの新たな付着はない。したがって、ｐ型クラッド層の上層部には、十分な量のＭｇが取り込まれる。ｐ型クラッド層上にＭＱＷ活性層７が設けられるので、ｐ型クラッド層のＭＱＷ活性層７との界面付近のＭｇ濃度を十分に高くすることができる。その結果、ＭＱＷ活性層７の輝度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層から放出された発光出力を向上することができ、かつ、歩留まりよく製造できる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、ｎ型半導体層とｐ型半導体層と該ｐ型半導体層の少なくとも一部に接続されてなるｐ側電極とを有する第１領域と、ｎ型半導体層とｎ型半導体層の少なくとも一部に接続されてなるｎ側電極とを有する第２領域と、第３領域とからなる半導体発光素子であって、前記第３領域は、前記基板が露出してなるとともに、半導体からなる複数の凸部を有する。 （もっと読む）

【課題】量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型の半導体基板１１と、半導体基板１１の一方の主面上に設けられた第１導電型の第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられた第２導電型の第２半導体層１４と、第２半導体層１４上に設けられた超伝導の第１電極１５と、半導体基板１１の他方の主面上に設けられた第２電極１６と、第１半導体層１２と第２半導体層１４との間に設けられた半導体量子ドット領域１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電極と窒化物系化合物半導体層の密着性が得られ、かつコンタクト抵抗を低減することのできる電極形成方法、発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ層とＡｕ層からなるｐ側電極１８を加熱して層転換させる際に、ＧａＮ系半導体層との界面部分にＮｉと酸素が残るように不完全な層転換状態を形成することで、Ａｕ層とＮｉ層の３層構造を成すｐ側電極１８が形成され、ＧａＮ系半導体層とｐ側電極１８との密着性の確保及びコンタクト抵抗の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】側面発光効率が高い発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡単、スピーディで、金属電極製造コストを大幅に下げる発光ダイオードの多層金属一次電極製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】発光ダイオードの多層金属一次電極製造方法及びその製造装置は、重畳チップを洗浄後、製造装置内に入れ、多層金属電極を製造する。この製造装置は、少なくともキャリア体、磁性部品、キャリア、磁性マスク及び複数個の金属源を含み、重畳チップをキャリアから磁性マスクを設置した接触窓を利用して複数個の金属源を金属メッキ膜沈殿方式で接触窓を通して沈殿させ、多層金属電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流拡散効果を最適化すると共に、静電気放電衝撃を最小化することにより、高い静電気から安定化させることができる高輝度の窒化物系半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、前記ｎ型窒化物半導体層１２０上の所定領域に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上にｐ型枝電極１６０ａを有して形成されたｐ型電極１６０と、前記ｐ型枝電極１６０ａの先端部に前記ｐ型枝電極１６０ａの端部幅より大きな幅で形成されたｐ型ＥＳＤパッド１６０ｂと、前記活性層が形成されないｎ型窒化物半導体層１２０上にｎ型枝電極１５０ａを有して形成されたｎ型電極１５０と、前記ｎ型枝電極１５０ａの先端部に前記ｎ型枝電極１５０ａの端部幅より大きな幅で形成されたｎ型ＥＳＤパッド１５０ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧（Ｖｆ）が低く、光取り出し効率の高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子１のｐ型半導体層１４上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜１５を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、透光性導電酸化膜１５を積層した後、該透光性導電酸化膜１５にレーザーを用いてアニール処理を行うレーザーアニール工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く接合界面の抵抗成分を充分に低くすることができるＧａＮ系半導体発光素子の製造方法及びＧａＮ系半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】第１の基板上に少なくともｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を覆う保護膜を形成し、前記ｐ型半導体層上あるいは該ｐ型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして第１の接合層を積層することにより、第１の積層体を形成する工程と、導電性を有する第２の基板上に少なくとも導電体からなる第２の接合層を積層することにより、第２の積層体を形成する工程と、前記第１の積層体と第２の積層体とを、前記第１の接合層と第２の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、前記第１の積層体から第１の基板を除去する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】発光出力が高く、かつ駆動電圧が低いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層３、発光層４およびｐ型半導体層５をこの順序で成長させた後、該ｎ型半導体層およびｐ型半導体層に負極６および正極７をそれぞれ形成してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を製造する際に、該ｐ型半導体層の成長速度を８〜２０ｎｍ／分に調整する。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた直流駆動型無機発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１１上に、第１の層１３及び第２の層１４が積層して設けられた発光素子であって、第２の層１４は、ＳまたはＳｅの少なくとも一方から選ばれる元素及びＺｎを構成要素とする第１の部位１７と、ＣｕまたはＡｇの少なくとも一方から選ばれる元素及びＳまたはＳｅの少なくとも一方から選ばれる元素を構成元素とする第２の部位１８とから構成され、第１の層１３は、ＳまたはＳｅの少なくとも一方から選ばれる元素及びＺｎから構成され、第２の層１４において、第２の部位１８の基板１１に平行な断面積が第１の層に向かって先細りになっている。 （もっと読む）

【課題】より高品質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】縞状に複数の溝が形成された（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、ＡｌＩｎＮからなるバッファ層１２０を、ＭＯＣＶＤ装置を用いて常圧のもとで形成し、該バッファ層１２０上に、Ａｌ／Ｉｎ／Ｇａ／Ｎからなる中間層１３０を、パルス原子層エピタキシー法によって形成し、その中間層１３０の上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層を高温でエピタキシャル成長する。これによりＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】水素アニール処理によるｐ型半導体層の比抵抗の増加を抑えるとともに、透光性導電酸化膜の比抵抗を減少させ、駆動電圧（Ｖｆ）の低い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型ＧａＮ層１４上に透光性導電酸化膜からなる正極１５を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、正極１５を、水素（Ｈ_２）を含むガス雰囲気中でアニール処理する水素アニール工程が備えられた構成としている。 （もっと読む）

【課題】 転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。
【解決手段】下地基板の上に被覆部Υが閉曲線をなすマスクを付け窒化物半導体を気相成長させ、露呈部Πにファセット面で取り囲まれる凸型のファセット丘を形成し、露呈部Πの輪郭線をなす被覆部Υは窪みとし、露呈部Πのファセット丘と被覆部Υの窪みを維持しながら結晶成長させ転位をファセット面の作用で外側へ追い出して輪郭線である被覆部Υへ集結させ被覆部Υの上に欠陥集合領域Ｈを生成し露呈部Πの上ファセットの下には低欠陥単結晶領域Ｚを形成する。デバイスを製作したのち加熱したＫＯＨ、ＮａＯＨで欠陥集合領域Ｈを溶かし多角形のチップに分離できる。 （もっと読む）