【課題】窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、窒化物系半導体層上に、第二のオーミック電極および第二の接着用金属層をこの順で形成する工程と、導電性基板上に第一のオーミック電極および第一の接着用金属層をこの順で形成する工程と、第二の接着用金属層と第一の接着用金属層を接合する工程と、結晶成長用の基板を除去する工程と、窒化物系化合物半導体層に第二のオーミック電極まで延びる第一の溝を形成することにより、第二のオーミック電極の表面を露出させる工程とを含む窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード、光電池、光伝導体および電界効果トランジスターを含む電子素子中の活性成分として有用なコポリマー、および該コポリマーに由来する電子素材を提供する。
【解決手段】（ａ）少なくとも（残留モノマー単位で）１０％の９−置換および／または９，９−二置換フルオレン部分ならびに非局在化ｐ電子を含む少なくとも２種の他のモノマー単位を含むフルオレンコポリマー、および（ｂ）該コポリマーに由来する1つまたは複数のフィルムを含む（ポリマー発光ダイオードなどの）電子素子。 （もっと読む）

第１のコンタクトポイント（１）および第２のコンタクトポイント（２）と、第２のコンタクトポイントに直接的に導電接続されている反射層（３）とを備えている、オプトエレクトロニクス半導体チップ、を開示する。反射層は、マイグレーションを生じる傾向にある金属を含んでいる。さらには、反射層は、金属のマイグレーション経路（４）が第２のコンタクトポイントと第１のコンタクトポイントとの間に形成されるように、配置されている。本半導体チップは、半導体チップの動作時に金属のマイグレーションを抑制する電界を発生させる手段（６）、をさらに備えている。
（もっと読む）

【課題】発光特性に優れる化合物半導体発光素子及びその製造方法、ランプ、電子機器並びに機械装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極１５及び導電型電極からなる負極１７を備えてなり、正極１５をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するＩｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】電極からの電流リークや素子の破壊を引き起こすことがなく、また、素子特性の悪化を抑制できる半導体素子の提供。
【解決手段】第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を有する半導体積層部と、第１導電型半導体層に接続される第１導電側電極と、第２導電型半導体層に接続される第２導電側電極とを備える半導体素子であって、第２導電側電極と、半導体積層部を被覆する絶縁膜とが、離間領域を介して離間して配設され、絶縁膜表面に第１金属層が設けられ、第２導電側電極表面に第１金属層とは材料の異なる第２金属層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の裏面に、接触抵抗の低い電極を形成した窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置１は、基板２と、基板２の表面上に形成された窒化物半導体層としてのｎ型クラッド層３〜ｐ型コンタクト層９とを備える。基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。窒化物半導体装置１は、凸部１３に接触するように形成された電極１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】耐湿性の向上が図られた新規なＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子は、第１の導電型を有するＺｎＯ系半導体からなる第１の半導体層、及び、第１の半導体層の上方に形成され、第１の半導体層とｐｎ接合を形成し、第１の導電型と反対の第２の導電型を有するＺｎＯ系半導体からなる第２の半導体層を含む積層構造と、積層構造のｐｎ接合が露出する表面を覆い、Ｚｎ、Ｓｉ、及びＯの化合物を含むＺｎ−Ｓｉ−Ｏ層とを有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性透明導電性カーボンナノチューブ膜を調製するための方法およびこの方法によって調製されたカーボンナノチューブ膜を提供する。
【解決手段】可撓性透明導電性カーボンナノチューブ膜を調製するための方法は、カーボンナノチューブを界面活性剤の中に分散させて分散物を形成させる工程、前記分散物をフィルタ膜によってろ過し、 前記フィルタ膜の上にカーボンナノチューブ膜を形成させる工程、および前記カーボンナノチューブ膜の表面の上の界面活性剤を緩衝液によって実質的にすべて除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】外部発光効率の向上した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された保護膜１８と、保護膜１８に挟まれた基板１０および保護膜１８上に配置され,ｎ型不純物をドープされたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２上に配置された活性層１３と、活性層１３上に配置され，ｐ型不純物をドープされたｐ型半導体層１４とを備えることを特徴とする半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ツェナーダイオードの利用なしにも外部から流入可能な静電気から発光ダイオードを保護するために、発光ダイオードの活性層と並列に接続される電流通路を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層を形成する段階と；前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する段階と；前記活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と；前記ｎ型半導体層をエッチングする段階と；前記ｐ型半導体層上にｐ-電極を形成する段階と；エッチングされた前記ｎ型半導体層とｐ-電極が形成されていない前記ｐ型半導体層の一部にかけてｎ-電極を形成する段階とを含んで発光ダイオードの製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションし易い金属を用いた半導体発光素子において、マイグレーションを抑制し、信頼性の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、第１の層の表面の一部の第１の領域において、第２の層が除去されて第１の層が現われている。ｐ側電極が第２の層の表面上に配置され、第２の層に電気的に接続され、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜８ｎｍである。絶縁膜がｐ側電極を覆う。反射膜が、絶縁膜の上に、ｐ側電極と重なるように配置され、銀を含む合金または銀で形成され、ｐ側電極及びｎ側電極のいずれにも接続されておらず電気的にフローティング状態にされている。ｐ側電極、絶縁膜、及び反射膜が、多層反射膜を構成している。 （もっと読む）

放射を放出する活性層（７）と、ｎ型コンタクト（１０）と、ｐ型コンタクト（９）と、電流拡散層（４）と、を有するＬＥＤ、を提供する。電流拡散層（４）は、活性層（７）とｎ型コンタクト（１０）との間に配置されている。さらには、電流拡散層（４）は、積層体の複数個の繰り返しを備えており、積層体は、少なくとも１つのｎ型ドープ層（４４）と、アンドープ層（４２）と、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層（４３）と、を備えている。Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮから成る層（４３）は、Ａｌ含有量の濃度勾配を有する。 （もっと読む）

基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１４を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記ｐ型半導体層１４上に設けられた透光性電極１５とを備え、前記透光性電極１５が、結晶化されたＩＺＯ膜を含むものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、オーム接点層を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物構造物を製作する方法を提供する。この方法は、ｐ型層を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物構造物を製作することを包含する。この方法は、最初にｐ型層をアニーリングすることなしに、ｐ型層上にオーム接点層を堆積させることを、さらに包含する。この方法はまた、続いてアニーリングチャンバー内で所定の温度で所定の期間の間、ｐ型層およびオーム接点層をアニーリングし、それによって単一のアニーリングプロセスにおいてｐ型層とオーム接点との抵抗率を低減することも包含する。
（もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 発光効率を向上できると共に、順電圧の上昇を抑制可能な半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体層と、該層上に設けられた透光性の導電性酸化物膜とを有し、導電性酸化物膜は、部分的に柱状構造部を有する半導体発光素子。
（もっと読む）

【課題】半導体層から外側に光を効率よく取り出し易く、かつ、半導体層中において電流が均一に広がり易い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ｎ型半導体層５１とｐ型半導体層５３との間に発光層５２を有する半導体積層体５０の基板１０に実装される側の面とは反対側の光取り出し面に複数の凹部９０が設けられ、かつ、光取り出し面の上にｎ側電極６０を有し、凹部９０は、底面９２を有し、凹部９０の開口９１から底面９２に到達するまでに底面９２に向かって縮径する方向に傾斜角の異なる２段の傾斜面９３，９４を有し、それぞれの傾斜面９３，９４が、凹部９０の開口に近いほど傾斜角が緩やかになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の良好な半導体発光素子を得る。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、発光層１０４、ｐ型層１０５を順に積層して形成した後、、酸化スズと酸化インジウムの混合物（酸化スズ５％）をターゲットとして、真空蒸着法により３００ｎｍの膜厚のＩＴＯの針状結晶から成る透光性ｐ電極１０６を真空度２．５×１０−３Ｐａ下でｐ型層１０５の上に形成する。次に、不活性ガス雰囲気下で、７００℃、５分間の焼成を行う。この後、通常のフォトリソグラフィによりレジストを形成し、ＩＴＯ膜をウェットエッチングし、ＩＴＯ膜のパターニングを行う。 （もっと読む）