【課題】発光出力を維持しながら順方向電圧を低くすることができ、信頼性に優れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、金属密着層２と、光反射性を有する金属材料の多層膜からなる反射金属層３と、ＳｉＯ_２膜４と、ＳｉＯ_２膜４の所定の位置に設けられるオーミックコンタクト接合部５と、ＭｇドープのＧａＰ層６ＡとＺｎドープの６Ｂとを含むＧａＰ層６と、ｐ型ＧａＩｎＰ介在層７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８と、アンドープ多重量子井戸活性層９と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰウィンドウ層１１と、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１２と、第１電極１３と、Ｓｉ基板１の外部接続側に設けられる第２電極１４とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８、アンドープ多重量子井戸活性層９、およびｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０からなる発光部とオーミックコンタクト接合部５とを３００ｎｍ以上離れて設けた構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＡｕＳｎ半田による実装に適した半導体発光素子を提供する。拡散電極をＩＴＯなどで薄膜に形成するとその表面に凹凸が生じ、その上に形成されるパッシベーション膜へバリア層用の開口部をエッチングするとき、この凹凸に起因して拡散電極とパッシベーション膜との界面で横方向エッチングが進行するおそれがある。
【解決手段】半導体層上に形成された拡散電極と、該拡散電極表面を被覆するパッシベーション膜であって一部に開口部を有するパッシベーション膜と、チタン層とニッケル層とを交互に積層した多層構造を有し、前記パッシベーション膜の表面に形成されるバリア層と、該バリア層の上に形成されるＡｕＳｎ半田層とを備える半導体発光素子において、拡散電極表面には、パッシベーション膜の開口部へ対向する位置に、該開口部より大径でかつその表面が平坦なバッファ電極が形成され、該バッファ電極へバリア層が接続する。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に電気的に接続された第２の電極とを備える。前記発光層は、前記半導体微粒子の一粒子層を有してもよい。前記半導体微粒子の平均粒子径は、前記ホール輸送層と前記電子輸送層との間の平均間隔よりも大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された複数の半導体微粒子からなる層を有する発光層であって、前記半導体微粒子は、前記電子輸送層又は前記ホール輸送層の互いに対向する少なくとも一方の表面に設けられた溝部に一粒子ずつ格納されている、発光層と、前記電子輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第２の電極と
を備える。 （もっと読む）

実施例による発光素子は、第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成される第１及び第２領域を含む第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層の第２領域上に形成された第３導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と前記第２領域の前記第２導電型半導体層を電気的に連結する第１電極層と、前記第２導電型半導体層と前記第３導電型半導体層を電気的に連結する第２電極層とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の無機系材料又は有機系材料を用いた半導体ダイオードの抱えるそれぞれの問題点を解消乃至低減することが可能な新規なハイブリッドダイオードを提供する。
【解決手段】金属酸化物層、シリコン酸化物層及び導電性ポリマー層を順次積層した構造を有する半導体ダイオード。 （もっと読む）

【課題】半導体素子端面での電流のリークやショートが防止された、新たな構造のIII −Ｖ族半導体素子。
【解決手段】III 族窒化物半導体からなる半導体層１０１は支持基板１０７に向かうにつれて断面積が漸減する逆テーパー状に形成され、半導体層１０１の下面には、ｐ電極１０２、低融点金属拡散防止層１０３が形成され、低融点金属層１０５、１０６を介して支持基板１０７に接合している。半導体層１０１の上面には、格子状にｎ電極１０８が形成されている。半導体層１０１の側端面には、イオン注入による高抵抗領域１１０が形成され、半導体層１０１上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域１１１が形成されている。この高抵抗領域１００、１１１によって、電流のリークやショートが防止される。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、電極形成工程の困難さを回避する。
【解決手段】ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、ｐ型ＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、成長基板から分離して、ｐ型電極となるＡｌ基板５上に多数散布し、その上にｎ型電極となるＩＴＯから成る透明導電膜４を蒸着する。ただし、蒸着の前にナノコラム２を、コア部２１が前記透明導電膜４と接触するように略半割れ状までエッチングするとともに、窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記透明導電膜４との短絡を回避する。こうして、電極を容易に形成できる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を積層したＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体を得ること。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる第一の層と、該第一の層に接するＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる第二の層を備えており、該第一の層は結晶界面が明瞭な結晶集合体であり、その厚さが２１ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体。 （もっと読む）

通常基板上に複数のＬＥＤを設けるステップを含む、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。ＬＥＤ上に脚柱を堆積させ、脚柱はそれぞれ、ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触する。ＬＥＤを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆の少なくとも一部を前記ＬＥＤ上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させる。次いで、ワイヤーボンドなどによって、露出した脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ接合されたＬＥＤを有するＬＥＤチップおよび他の半導体装置を製作するために使用される類似の方法を開示する。開示の方法を使用して製作されるＬＥＤチップウェーハおよびＬＥＤチップもまた開示される。
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【課題】窒化物半導体発光素子において、窒化物半導体多層膜から発する光の光取り出し効率を向上すること。
【解決手段】〔１〕基板１上に窒化物半導体多層膜２を形成してなる半導体発光素子において、光取り出し面の電極４，５形成部以外の領域３に、凹凸構造を形成することにより、光取り出し効率を向上する。該凹凸構造は、凹凸構造を特徴付ける面内方向の特性長Λと深さ方向の特性長ｄを有し、面内方向の特性長Λが発光波長λの１／５倍以上２倍以下であり、かつ深さ方向の特性長ｄと面内方向の特性長Λの比を１以上とする。〔２〕前記凹凸構造に対応するパターンは、窒化物半導体のドライエッチングにおいて選択比（窒化物半導体のエッチングレートとドライエッチングマスク材のエッチングレートの比）が２以上であるドライエッチングマスク材からなるドライエッチングマスクを、ナノインプリント法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極による光吸収を軽減し得る構造を備えたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、基板１０１と半導体積層体１０２とを有し、半導体積層体１０２には、ｎ型層１０２−１と発光層１０２−２とｐ型層１０２−３が含まれており、ｐ型層１０２−３の上には、透光性の導電性酸化物膜１０４と正パッド電極１０６とが形成されている。正パッド電極１０６は、その一部が導電性酸化物膜１０４の上に形成されており、その残りの部分とｐ型層１０２−３とは、透光性の絶縁膜１０５によって隔てられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体層構造へ拡散した場合にも影響が小さい光透過部材を有し、高出力の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光領域を含み、ＩＩＩ族元素含有領域を光取り出し側に有する半導体層構造と、ＩＩＩ族元素含有領域の光取り出し側表面に設けられ、ＩＩＩ族元素含有領域よりも屈折率の低い光透過部材と、を具備し、光透過部材は、ＩＩＩ族元素含有領域と共通するＩＩＩ族元素を含み、その表面に凸部を有し、ＩＩＩ族元素含有領域は、光透過部材との界面に凹部を有し、凸部と凹部が、半導体層構造面内において重なるように配置されている半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なり、屈折率が１．７〜２．２の誘電体により凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。基板１１を除去する場合は、屈折率が１．０〜２．３の誘電体により凸部１２を形成する。この発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高速で、しかもオン／オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心にポルフィリン類の残基又はフタロシアニン類の残基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース−ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】製造工程での歩留まりが良好な、優れた発光出力を有する化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層が、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が発光層を挟むように積層され、第１導伝型透明電極と第２導伝型電極を備えた発光素子において、該第１導伝型透明電極がビクスバイト(Bixbyite)構造のＩｎ₂Ｏ₃結晶を含むＩＺＯ膜からなることを特徴とする化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】イオン化エネルギーが十分に小さな不純物（アクセプターもしくはドナー）が存在せず、ｐ型もしくはｎ型半導体を作ることが出来ないワイドギャップ半導体に対して、正孔または電子を注入することが可能な電極構造を提供する。
【解決手段】イオン化エネルギーが０．２〜１ｅＶの不純物がドープされたワイドギャップ半導体と、不純物イオンの結合エネルギーよりも小さな仕事関数を有し、かつ、ワイドギャップ半導体と接合される金属層と、を備え、外部電場を印加されることにより金属層からワイドギャップ半導体へ正孔が注入される電極構造。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、可視光を放射するＬＥＤチップ１０が実装される実装基板２０と色変換部材７０とでＬＥＤチップ１０用のパッケージを構成しており、実装基板２０に実装されたＬＥＤチップ１０が封止樹脂からなる封止部５０により封止されている。封止部５０は、分子構造中に芳香族系官能基を含んでいないシリコーン樹脂からなる封止樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）