【課題】垂直型構造の発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高温工程が求められない電解メッキの方法で発光構造の上部にメタル支持層を形成して、素子に欠陥の発生が減らせる。また、本発明は軟金属と硬い金属を含むメタル支持層を発光構造の上部に形成してウェーハの撓み問題を防止し、機械的強度が高められて信頼性を向上させられる。本発明は、例えば、発光構造と；前記発光構造の上部に形成され、軟金属と前記軟金属のヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）より高いヤング率を有する硬い金属で構成されるメタル支持層を含んでなされる垂直型構造の発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】 光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の第１の主表面の側に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３と、ＧａＮ基板１から見てｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３より遠くに位置するｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５と、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３およびｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の間に位置する発光層４とを備えた発光装置である。発光装置は、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。第２の主表面１ａにはレンズ構造が形成されている。 （もっと読む）

【課題】接合界面で発生する気泡の量を大幅に減らして工程収率を向上させる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】サブマウント２１８と、サブマウント２１８上に配置されている第１導電型基板２００と、サブマウント２１８と第１導電型基板２００との間に配置されている反射層２１６と、第１導電型基板２００上に配置されている第１導電型バッファ層２０２と、第１導電型バッファ層２０２上に配置されている第１導電型ＤＢＲ層２０４と、第１導電型ＤＢＲ層２０４上に配置されている第１導電型クラッド層２０６と、発光エピタキシャル構造上に配置されている第２導電型ウィンドウ層２１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体に対する低抵抗オーミックコンタクトの電極を実現すること。
【解決手段】電極とｐ型半導体の間にＧａＳｂ半導体中間層を積層する。４．４×１０¹⁷ｃｍ^-3のキャリア密度を持つＭｇドープのｐ型ＧａＮをバルク基板として用いた。まず、超音波洗浄したその基板上にフォトリソグラフィーによってパターンを作成した。この基板と電極との間に設けるＧａＳｂ中間層は、粉末状のＧａＳｂを真空蒸着して積層し、その上にＧａＳｂに対するコンタクト材としてＴｉを蒸着した。その電気特性は蒸着後はショットキーであったが、熱処理を施すことによりオーミック特性を示した。これは、ＧａＳｂ中間層の挿入によりショットキーバリアが２箇所に分散され、且つ、Ｎ，Ｓｂの熱拡散によって中間層とｐ型ＧａＮとの界面のＳＢＨ（ショットキーバリアハイト）が低減したためであり、これにより、中間層の上下両界面でそれぞれ界面抵抗が低くなる。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率に優れた反射型正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層からなる窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体を有する発光素子において、ｐ型半導体層上に設けられた正極が透明材料層および該透明材料層上に設けられた反射性金属層からなる反射型正極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１１の一主面に形成した凹部１１ａに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てＧａＮ層１２を成長させることによりこの凹部１１ａを埋めた後、このＧａＮ層１２から横方向成長を行う。このＧａＮ層１２上に、活性層を含むＧａＮ系半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。このＧａＮ系発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック構造を有する発光ダイオードおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この発光ダイオードは、基板、基板上に設けたエピタキシアル構造、エピタキシアル構造上に設けた抵抗性接触電極およびエピタキシアル構造中に設けた電流ブロック構造を含む。エピタキシアル構造は、下クラッド層、上クラッド層、上クラッド層と下クラッド層の間に挟まれた発光層、上クラッド層上に設けた窓層、窓層と抵抗性接触電極の間に設けたコンタクト層を含む。この電流ブロック構造は、抵抗性接触電極の下表面から発光層まで延ばすことができる。本発明は、注入技術を利用してプロトンをエピタキシアル構造中に注入することにより、電流ブロック構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】低動作電圧を実現することができ、信頼性の向上が可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 （もっと読む）

ビーム出口面と、ビーム出口面上に設けられていて、ボンディングパッドと、電流分布の拡がりのために設けられた複数の、ボンディングパッドと導電接続されたコンタクトウェブを有するコンタクト構造を有する本発明の発光ダイオードチップでは、ボンディングパッドは、ビーム出口面の縁領域内に設けられている。この発光ダイオードチップの特徴は、殊に、放射ビームがコンタクト構造内で吸収されるのが低減されることにある。
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【課題】素子の光出力を向上させることができるロッド型発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
第１極性層の上部に光を放出できる物質がロッドを形成し、このロッドそれぞれを包む第２極性層を形成することにより発光面積を増加させ、素子の内部に拘束されず外部に放出させる光量を増やして素子の光出力を向上させられる。
また、本発明は活性層をナノサイズのロッド構造物で形成して光抽出効率を倍加させることができる。 （もっと読む）

【課題】 導電性酸化物膜を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子であって、窒化物半導体層上に、導電性酸化物膜、パッド電極を順に有し、パッド電極は、導電性酸化物膜に接して第１の金属を含む接合層と第２の金属を含むパッド層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に発光層を形成するに際しその両方の間に新バッファ層を導入し、これにより発光層を限りなく単結晶に近づけることにより高効率の青色又は赤色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】バッファ層としてＩＩ−ＶＩ、ＩＩＩ−Ｖ、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の少なくとも二種類の異なった化合物半導体からなる超格子構造を用いることにより、発光層に近づくにつれて徐々に単結晶化させ、ガラス基板上に高効率な青色又は赤色発光ダイオードを成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超格子のナノデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる超格子のナノデバイスは、少なくとも一つの構成ユニットを含む。該構成ユニットは、基体と該基体に形成される一次元のナノの構成を含む第一電極と、該基体に形成され、前記一次元のナノ構成を囲う機能層と、該第一電極と電気絶縁し、前記機能層を囲う第二電極と、を含む。一次元のナノ構成の側面に多くの薄層の膜を積層することを通じるから、二次元の超格子の構成を製造する成熟の技術を利用でき、その製造難度が下がる。しかも、気相−液相−固相成長法でナノワイヤーを成長させる技術では、超格子の材料と金属の触媒が合金又は固溶体を形成する必要がある問題を解決できるから、種類が多い超格子のナノデバイスを製造できる。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率に優れ、かつ良好な配光均一性を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより溝１５を形成する工程と、溝１５が形成された表面上に窒化物半導体層２０を形成する工程とを含む窒化物半導体素子の製造方法。さらに、窒化物半導体層２０と第２の基板１７とを結合する工程と、窒化物半導体層２０と第１の基板１０とを分離する工程を含む窒化物半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
耐熱性及び耐光性が改良された発光装置を提供する。
【解決手段】
発光素子と、前記発光素子が載置された少なくとも一部が金属からなるパッケージとを有し、
前記発光素子は前記パッケージの金属部分に共晶接合されており、
前記発光素子は、
（イ）下記平均組成式（１）：
Ｒ^１_ａ(ＯＸ)_ｂＳｉＯ_{(４−ａ−ｂ)／２} （１）
（式中、Ｒ^１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10^３以上であるオルガノポリシロキサン、および
（ロ）縮合触媒
を含有する樹脂組成物の硬化物からなる樹脂層で被覆されている発光装置。 （もっと読む）

【課題】はんだ結合を形成するために規定された、特にはんだ層の酸化保護の改善という点において優れた改良された層列を備えた半導体チップを提供する。
【解決手段】はんだ層と酸化保護層との間にバリヤ層が設けられているようにした。 （もっと読む）

【課題】 直列抵抗を大幅に下げた縦型電極構造を有する発光効率の高いＡｌＧａＮ系深紫外発光素子を提供すること。
【解決手段】 本発明によるＡｌＧａＮ系深紫外発光素子は、順にｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層を、ならびに必要によりｐ型ＧａＮ層を含み、さらに該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｎ層電極を、そして該ｐ型ＡｌＧａＮ層または該ｐ型ＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｐ層電極を、当該駆動電流が各層内を各境界面に対して実質的に法線方向に流れるように形成させたＡｌＧａＮ系深紫外発光素子であって、該ｎ層電極として、錫含有量１０〜２０質量％のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極を使用したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムと塩化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）