【課題】コンタクト層の上に上部電極と反射膜とを別に設けることによって、上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、ＧａＮ系ＬＥＤを提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。
（もっと読む）

【課題】 下側の電極コンタクト層の厚さが薄い場合において当該電極コンタクト層の上面を露出させて電極コンタクトを形成する場合であっても、高発光効率及び低抵抗な安定した特性を実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、少なくとも発光する活性層１１０ｇ、及び活性層１１０ｇのエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有して当該活性層１１０ｇよりも下層に設けられた導通層１１０ｂを含む半導体薄膜層１１０と、活性層１１０ｇよりも上層に設けられた第１の導電型コンタクト層１１０ｉとコンタクトを形成する第１の導電側個別配線１０７と、活性層１１０ｇよりも下層であり且つ導通層１１０ｂよりも上層に設けられた第２の導電型コンタクト層１１０ｃとコンタクトを形成する第２の導電側個別配線１０８と、導通層１１０ｂの下方に設けられた基板１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発光性能を従来程度に維持するかまたは向上させつつ、その半導体素子の静電耐圧特性を従来よりも大幅に改善すること。
【解決手段】静電耐圧部１４０の形成工程では、まず最初に、１１００℃でアンドープＧａＮからなる無添加半導体層１４１を２００ｎｍの膜厚で成長させる。続いて、８５０℃まで降温して、ＳｉをドープしたＧａＮからなる添加半導体層１４２を５０ｎｍの膜厚で成長させる。なお、この無添加半導体層１４１と添加半導体層１４２の２層の半導体層によって、ｎ形コンタクト層１３０の側から数えて１組目の本発明の耐電圧構造が構成される。その後、シランガスのみを止め、同温にてアンドープＧａＮからなる無添加半導体層１４３を２００ｎｍの膜厚で成長させる。最後に、シランガスを追加し、同温にてＳｉをドープしたＧａＮからなる添加半導体層１４４を３０ｎｍの膜厚で成長させる。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の電気発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電性物質から形成された前面電極２０と、導電性物質から形成された背面電極４０と、前面電極２０と背面電極４０との間に介在されるものであって、シリコンから形成されたコアと、コアの表面に酸化ケイ素または窒化ケイ素から形成されたシェルとを持つコア／シェル構造のナノ粒子２４ａを含む発光層３０と、を備えるナノ粒子の電気発光素子。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いた発光素子において、半導体層の劣化を防止し、逆方向電圧の印加や長時間動作に対しても半導体層が破壊し難く、かつ、信頼性の優れた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１の表面に、窒化物半導体からなり第１導電形層（ｐ形層５）および第２導電形層（ｎ形層３）を含む半導体積層部６が形成され、その上に透光性導電層７およびp形層５に電気的に接続してｐ側電極８が設けられ、半導体積層部６の下層側のｎ形層３に電気的に接続してｎ側電極９が設けられている。このチップ周囲の半導体積層部６がエッチングにより除去されることにより、メサ状半導体積層部６ａが形成され、そのメサ状半導体積層部６ａが、平面形状で９０°以下の角部を有しないで、そのコーナー部が曲線になるようにエッチングされている。 （もっと読む）

【課題】
小型化が容易で、また、基板の表面に生じた熱を基板の裏面に効果的に逃がすことができるサイドビュー型発光装置を提供する。
【解決手段】
サイドビュー型発光装置１である。基板１−１と、正極性の表面電極１−２と、負極性の表面電極１−３と、発光素子１−４と、発光素子１−４を封止する封止部材１−５と、正極性の裏面電極１−６と、負極性の裏面電極１−７と、短絡防止用部材１−８と、を備えている。正極性の表面電極１−２と正極性の裏面電極１−６とは、第１のスルーホール１−９を介して電気的に接続されており、負極性の表面電極１−３と負極性の裏面電極１−７とは、第２のスルーホール１−１０を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧を低くでき、且つ歩留り良く製造することのできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】気相成長法を用いて、第一導電型基板１上に、第一導電型クラッド層４、活性層５及び第二導電型クラッド層６で構成される発光部を形成し、その上に第二導電型の電流分散層７を形成するIII−Ｖ族半導体発光素子の製造方法において、前記第二導電型電流分散層７の第二導電型クラッド層側の部分（初期成長部分）の成長温度Ｔ２を前記発光部の成長温度Ｔ１よりも低く、且つ途中から該第二導電型電流分散層７の成長温度Ｔ３を前記発光部の成長温度Ｔ１よりも高くして成長する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ_X Ｇａ_1-X Ａｓ（０＜ｘ＜１）層を活性層とする半導体発光素子であって、内部発光効率の高い半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 Ａｌ_X Ｇａ_1-X Ａｓ（０＜ｘ＜１）で構成された少なくとも一つの活性層と該活性層に隣接または近接して設けられるクラッド層とを備えて成る半導体発光素子であって、前記クラッド層のうち少なくとも１層以上がＩｎ_y Ｇａ_1-y Ｐ（０＜ｙ＜１）で構成されていることを特徴とする半導体発光素子。前記活性層がｐｎ接合を有する２層以上の層からなる前記の半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 高い発光効率を実現可能な半導体基板を容易に製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 p型基板１を多孔質化して多孔質層２を形成する基板多孔質化ステップと（ステップｂ）、ｐ型基板１の多孔質層２上に被処理層３を形成するステップと（ステップｃ）、被処理層３の少なくとも表面側を多孔質化するステップと（ステップｄ）、多孔質化された被処理層３をアニーリングすることによりｎ型半導体層４を形成するステップと（ステップｅ）を備える半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

光共振器、およびそれを製造するための方法、ならびにそれを含むデバイスおよびサブアセンブリを提供する。たとえば、そのような電子デバイス（図４）は、第１の波長を有する放射に対して光活性であるように設計された第１の電子構成要素（１７２）と、第２の波長を有する放射に対して光活性であるように設計された第２の電子構成要素（１７４）とを含むことができる。デバイスは、また、光共振器が、第１および第２の波長にロケートする連続共振モードで共振するような空洞長さを有する光共振器を規定する空洞を含むことができる。
（もっと読む）

【課題】 アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体が格子整合しない基板１上に窒化物半導体層３が成長される場合に、基板１上に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなりａ軸およびc軸が整列した単結晶の緩衝層２が直接設けられ、その単結晶の緩衝層２上に窒化物半導体層３がエピタキシャル成長されている。この単結晶の緩衝層は、ＰＬＤ法を用いることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＧａＮ系半導体発光装置における寿命の問題、不良品の発生率の問題の解決を図ることができた半導体発光装置を提供するものである。
【解決手段】 Ａｇ電極１２を有するＩｎＧａＮ系半導体発光装置であって、少なくともそのＡｇ電極１２のコンタクト側の半導体層３の転位密度が、１×１０^７［１／ｃｍ^２］以下の低転位半導体層として、この転位にそって発生するＡｇのマイグレーションによる短絡を回避する。 （もっと読む）

一実施形態においては、有機組成物のための閉じ込め構造を提供する。この閉じ込め構造は、アンダーカット層と上層とを含み、アンダーカット層および上層が、液体形態の有機組成物を収容するための容積を画定している。
（もっと読む）

【課題】 オーミックコンタクト不良が発生しない半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系半導体層１の一面上に、Ａｌ含有オーミック電極２と、ＴｉＷＮからなるバリアメタル層５と、Ａｕ配線電極７とが順に形成されている。この場合、Ａｌ含有オーミック電極２とＡｕ配線電極７との間にＴｉＷＮからなるバリアメタル層５が形成されていることから、Ａｌ含有オーミック電極２中のＡｌとＡｕ配線電極７中のＡｕとの反応を防止することができる。それにより、半導体装置１００の特性劣化を防止することができる。また、ＴｉＷＮは高温域においてもバリア性に優れていることから、半導体装置１００に高温アニール処理を施しても、Ａｌ含有オーミック電極２中のＡｌとＡｕ配線電極７中のＡｕとの反応を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】単純マトリクス方式を採用した時などにおける素子間の共通配線を用いる場合であっても、リーク電流の問題を抑えることの可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】 光を発生させる活性層を第１導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の前記第１導電型クラッド層と接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第１導電型クラッド層の厚みを１００ｎｍ以上とする。 （もっと読む）

半導体発光素子は、発光機能を有する半導体基板（２）とアノード電極（３）とオーミックコンタクト領域（４）と合金化阻止用の光透過層（２０）と金属光反射層（５）と導電性支持基板（８）とを有する。前記光透過層（２０）は絶縁性を有する材料から成り、前記半導体基板（２）と前記金属光反射層（５）との合金化を阻止する機能を有する。オーミックコンタクト領域（４）は光透過可能な厚みに形成される。前記半導体基板（２）から発生した光は前記光透過層（２０）を通って前記金属光反射層（５）で反射し、且つ前記オーミックコンタクト領域（４）を通って前記金属光反射層（５）で反射する。この結果、半導体発光素子の発光効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】アレイ型（array-type）発光ダイオードの各発光点の解像度が向上する発光アレイの構造を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２０３、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層２０４、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２０５をエッチングすることで島状の複数の発光ダイオード領域を形成し、この島状発光ダイオード領域の側壁及び表面を絶縁保護膜２１０で覆い、その後島状発光ダイオード領域の側壁及び発光窓部を除く表面を配線兼金属クラッド層２２０Ｂ、２２０Ａで覆う。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生率を減少できる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】傾斜した側壁を有する共に、Ｎ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を含んでいる素子構造物111と、該素子構造物上に形成されたＰ電極パッド層120と、該Ｐ電極パッド層上に形成された反射金属膜130と、前記素子構造物111、Ｐ電極パッド層120、反射金属膜130、および該反射金属膜上部の一部を取り囲むパッシベーション層140と、該パッシベーション層を取り囲むシード金属層150と、該シード金属層と前記反射金属膜とを取り囲む金属層160と、前記素子構造物の下部に形成されたＮ電極パッド層170とを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 放熱性、光取り出し性の向上を阻害することなく発光特性に優れ、安価で量産性に優れる発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】 厚膜状のＮｉ層５０とその表面に薄膜状に形成されたＡｕ層５１からなる融着接合部５をＬＥＤ素子２の製造過程で一体的に設けるようにしたので、従来のバンプ形成工程を省略でき、工数低減による量産性の向上、低コスト化を実現することができる。また、スタッドバンプによるフリップ実装において問題となるＬＥＤ素子２の傾きが生じないことから量産性に優れる。 （もっと読む）

【課題】 多層電極及びこれを備える化合物半導体の発光素子を提供する。
【解決手段】 化合物半導体の発光素子のｐ型化合物半導体層（２０）上に形成される電極において、ｐ型化合物半導体層（２０）上に透明伝導性酸化物、非伝導性酸化物、及び窒化物からなる群から選択されるいずれか一つから形成される第１電極層（２２ａ）と、第１電極層（２２ａ）上に透明伝導性酸化物、非伝導性酸化物、及び窒化物からなる群から選択されるいずれか一つから形成される第２電極層（２２ｂ）とを備える化合物半導体の発光素子の多層電極。 （もっと読む）