【課題】光取り出し効率の更なる向上を図る半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１４と、第２導電型の半導体層１３と、第１導電型の半導体層１４の上に形成された、上面が開口された窪み１６を有する透光性の第１の電極１５と、窪み１６の内面に沿って形成された、光を反射する第２の電極１７と、を備えている。ここで、窪み１６の積層方向に平行な断面は、少なくとも窪み１６の底面より上に中心をもつ円の円弧状の断面を有する。 （もっと読む）

【課題】動作電流密度の増加に伴う発光波長の大きなシフトを抑制し得る構造を有し、しかも、一層広範囲の輝度制御を行うことを可能とするＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子は、（Ａ）ｎ型の導電型を有する第１ＧａＮ系化合物半導体層１３、（Ｂ）井戸層、及び、井戸層と井戸層とを隔てる障壁層から成る多重量子井戸構造を有する活性層１５、及び、（Ｃ）ｐ型の導電型を有する第２ＧａＮ系化合物半導体層１７を備え、活性層１５における第１ＧａＮ系化合物半導体層側の井戸層密度をｄ₁、第２ＧａＮ系化合物半導体層側の井戸層密度をｄ₂としたとき、ｄ₁＜ｄ₂を満足するように活性層１５における井戸層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度且つ低駆動電圧であることに加え、経時的な発光出力の低下、及び駆動電圧の上昇を抑制することが可能な半導体発光素子を得る。
【解決手段】基板上に、少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５から成る発光部が形成され、発光部の上部にｐ型ドーパント濃度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上であり、且つ、ｐ型クラッド層に添加されるドーパントとは異なる材料のドーパントが添加されて成る薄膜のＡｓ系ｐ型コンタクト層７が形成され、ｐ型コンタクト層７の上部に金属酸化物材料から成る電流分散層８が形成され、更に、ｐ型クラッド層５とｐ型コンタクト層７との間に、ｐ型の導電性であると共に故意的若しくは不可避的にＣ（炭素）が含まれ、且つ、膜厚がｐ型コンタクト層に添加されたドーパントの拡散長Ｌ以上であるIII／Ｖ族半導体で構成された緩衝層６を有する。 （もっと読む）

【課題】 高輝度、且つ低駆動電圧であることに加え、半導体発光素子を駆動させる上で、経時的な発光出力の低下、及び駆動電圧の上昇を抑制することが可能な半導体発光素子を得る。
【解決手段】 半導体基板１上に、少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５から成る発光部が形成され、前記発光部の上部に高濃度にｐ型ドーパントが添加されたコンタクト層７が形成され、前記コンタクト層７の上部にＩＴＯ膜８から成る電流分散層が形成された半導体発光素子において、前記コンタクト層７と前記ｐ型クラッド層５との間に、Ｖ族元素の主要成分がＰ（リン）であるアンドープのIII／Ｖ族半導体で構成した緩衝層１１を有する。 （もっと読む）

【課題】 高輝度且つ低駆動電圧であることに加え、経時的な発光出力の低下、及び駆動電圧の上昇を抑制することが可能な半導体発光素子を得る。
【解決手段】 基板１上に、少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型緩衝層６、ｐ型コンタクト層７が結晶成長され、更にそれらの上にＩＴＯ膜８から成る電流分散層が形成された半導体発光素子において、Ｍｇドープの上記ｐ型緩衝層中の一部、又は全てにＭｇ濃度が３．０×１０¹⁷／ ｃｍ³以下である低Ｍｇ濃度緩衝層１１又はアンドープ緩衝層１２を５０ｎｍ以上の厚さで設ける構造とし、これによりコンタクト層７のドーパントＺｎの拡散を効果的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】高輝度且つ低駆動電圧であることに加え、経時的な発光出力の低下、及び駆動電圧の上昇を抑制することが可能な半導体発光素子を得る。
【解決手段】基板上に、少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５から成る発光部が形成され、発光部の上部にｐ型ドーパント濃度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上であり、且つ、ｐ型クラッド層に添加されるドーパントとは異なる材料のドーパントが添加されて成る薄膜のＡｓ系ｐ型コンタクト層７が形成され、ｐ型コンタクト層７の上部に金属酸化物材料から成る電流分散層８が形成され、更に、ｐ型クラッド層５とｐ型コンタクト層７との間に、ｐ型の導電性であると共に故意的若しくは不可避的にＨ（水素）が含まれ、且つ、膜厚がｐ型コンタクト層に添加されたドーパントの拡散長Ｌ以上であるIII／Ｖ族半導体で構成された緩衝層６を有する。 （もっと読む）

【課題】 支持基板の強度特性に優れるとともに、該支持基板からの反射光が少なく、光取り出し効率を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５、金属膜層１０８，１０９、メッキ金属板１１０がこの順序で積層されてなる構造において、前記金属膜層及び前記メッキ金属板が、前記ｐ型半導体層上に部分的に形成されており、前記ｐ型半導体層上において前記金属膜層及び前記メッキ金属板が形成されていない部分に透光性物質層１１４が形成された構成としている。 （もっと読む）

【課題】配線による制約が少なく配置の自由度が高い発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０と、ＬＥＤチップ１０が実装された実装基板２０と、実装基板２０におけるＬＥＤチップ１０の実装面側でＬＥＤチップ１０を囲む透明樹脂材料からなる枠体４０と、枠体４０の内側に透明樹脂材料を充填して形成されＬＥＤチップ１０及びＬＥＤチップ１０に接続されたボンディングワイヤ１４を封止する封止部５０とを備える。実装基板２０を構成する絶縁部材２２の表面には、ボンディングワイヤ１４を介してＬＥＤチップ１０の電極と電気的に接続されるとともに端部まで延長されたリードパターン２３が形成され、リードパターン２３の延長された端部にリード線１１０を半田接合するためのスルーホール２３ｄを有した接合部２３ｃが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 支持基板の強度特性に優れるとともに、該支持基板からの反射光が少なく、光取り出し効率を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５、金属膜層１０８，１０９、メッキ金属板１１０がこの順序で積層されてなる窒化物系半導体発光素子１において、前記金属膜層、及び前記メッキ金属板が前記ｐ型半導体層上に部分的に形成された構成としている。 （もっと読む）

【課題】輝度、特性及び信頼性を向上させた窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子１００は、基板１１０と、該基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、該ｎ型窒化物半導体層上の所定領域に形成された活性層１３０と、該活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層１４０と、該ｐ型窒化物半導体層上に形成されたｐ型電極１６０と、前記活性層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極１７０と、を備え、前記ｐ型電極と前記ｎ型電極は、オーミック接触層３１０、アルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０、及び劣化防止層３３０が順次積層した多層構造である。 （もっと読む）

【課題】高い動作電流密度での駆動における高発光効率を達成し、同時に、動作電圧の大幅な低減を実現し得る構造を有するＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子は、（Ａ）ｎ型の導電型を有する第１ＧａＮ系化合物半導体層１３、（Ｂ）活性層１５、及び、（Ｃ）ｐ型の導電型を有する第２ＧａＮ系化合物半導体層１８を備え、更に、（Ｄ）第１ＧａＮ系化合物半導体層１３と活性層１５との間に形成されたＧａＮ系化合物半導体から成る下地層２１、及び、（Ｅ）活性層１５と第２ＧａＮ系化合物半導体層１８との間に形成され、ＧａＮ系化合物半導体から成り、ｐ型ドーパントを含有する超格子構造層２２を備えている。 （もっと読む）

【課題】導電性基板の実装面側にｎ電極を設けたとしても、輝度の向上が図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性の基板２の一方の面に、ｎ型半導体層３ａと、発光層３ｂと、ｐ型半導体層３ｃとが半導体層３として設けられ、この半導体層３にコンタクト電極４およびｐ電極６が設けられ、基板２の他方の面にｎ電極７が設けられた半導体発光素子１において、ｎ電極７は、矩形状に形成された基板２の角部に４つ設けられたオーミック電極７ａと、オーミック電極７ａを覆うとともに、かつ基板２の他方の面の全面に設けられた反射電極７ｂとで形成されており、ｐ電極６とオーミック電極７ａとは、基板２および半導体層３を間に挟んで重ならないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 反射層を具えた高輝度発光ダイオードの製造方法の提供。
【解決手段】 本発明は少なくとも以下の工程を包含する。まず、発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する。次に、少なくとも第２基板を包含する第２積層構造を提供する。それから、第２積層構造の上面が第１積層構造の上面と接続されるようにしてウエハーボンディングにより第１及び第２積層構造を接合する。第１金属層は反射鏡として作用し、それは純金属又は金属窒化物で形成されて優れた反射率を達成し、その反射面はウエハーボンディング工程に直接関与しない。 （もっと読む）

【課題】発光の取り出しを良好とし、蛍光体の波長変換の効率を増大させた反射型正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体チップと蛍光体を備え、該半導体チップからの発光波長を蛍光体により変換する半導体発光素子である。この半導体チップの光取り出し面から発光層に向けて凹溝が形成される。そしてこの凹溝内に蛍光体を充填した半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く、高輝度で発光する紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 ホウ素が高濃度でドープされたダイヤモンドからなるホウ素ドープダイヤモンド層１の一方の面上に、長軸が一方向に配向した複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ層２を形成する。そして、このカーボンナノチューブ層２上に電極３を形成すると共に、ホウ素ドープダイヤモンド層１の他方の面上の一部に電極４を形成して紫外線発光素子１０とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能な窒素（Ｎ）ドープの酸化物結晶成長方法を提供する。
【解決手段】超高真空容器２にアンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給する窒素ソースガン７を、実質的にステージ３を挟んで排気ポート８の反対側に配置し、容器２内に導入されたアンモニア（ＮＨ_３）がステージ３に載置されたＺｎＯ基板４に到達後速やかに排気されるようなアンモニア（ＮＨ_３）の流路を形成するようにした。その結果、超高真空容器内におけるアンモニア（ＮＨ_３）の蓄積が緩和されて、ＺｎＯ基板上の結晶成長層内の窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】電力−光変換効率に優れていて発熱が少なく、かつ発光を外部に効率的に取り出すことができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の積層体を含む発光素子である。この発光素子の積層体は第１の面と、それに相対する第２の面を持ち、第２の面が光の取り出し方向とする。第１の面には金属の電極が設置されており、第２の面には導電性でかつ透明の材料からなる電極が設置されていることからなる。 （もっと読む）

【課題】 ナノＳｉの結晶性を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子を提供し、また、その製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型単結晶のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一表面側に、シリコン基板１０から分離して設けられ、このシリコン基板１０と同一の結晶軸を持つナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２と、シリコン基板１０のナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２が設けられた一表面側に形成される透明電極１５と、このシリコン基板１０の他表面側に形成される金属電極１６とを備えた。
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【課題】垂直型構造の発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高温工程が求められない電解メッキの方法で発光構造の上部にメタル支持層を形成して、素子に欠陥の発生が減らせる。また、本発明は軟金属と硬い金属を含むメタル支持層を発光構造の上部に形成してウェーハの撓み問題を防止し、機械的強度が高められて信頼性を向上させられる。本発明は、例えば、発光構造と；前記発光構造の上部に形成され、軟金属と前記軟金属のヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）より高いヤング率を有する硬い金属で構成されるメタル支持層を含んでなされる垂直型構造の発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）