【目的】信頼性の高い新機能発光装置を提供する。
【構成】ＧａＮ系の半導体発光素子を接着剤で固定した、光透過性の基材をフリップチップのかたちでリードフレームに取り付ける。発光素子からの光は発光素子の基板、接着剤、光透過性でかつ蛍光体を含む基材及び封止レジンを順に通過して外部に放出される。発光素子で生ずる熱による光の放出方向の封止レジンの変色が抑制されるため、信頼性の高い発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】
発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
発光装置は、一面にｎ及びｐ電極を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子をフリップチップ接続するマウント部材からなり、前記半導体発光素子の前記ｎ電極は、略正三角形の頂点となる位置に複数形成され、前記半導体発光素子のｐ電極は、少なくとも１つのｎ電極の周囲を囲むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも１種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも１種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。 （もっと読む）

発光ダイオードは、第１及び第２の対向する面（２００ａ、２００ｂ）と、第１及び第２の対向する面の間にあり第２の面から第１の面に向かって傾斜した角度で延びている側壁（２００ｄ）とを有する基板を備えている。蛍光体を含む共形層（２２０）が傾斜した側壁上に設けられている。この傾斜側壁によって、従来の垂直側壁よりも均一な蛍光体コーティングが可能となる。
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【課題】電気特性が安定で、かつ、基板面からの出射光強度の大きい発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１０１の端面に、基板１００面に略平行なテラス１２５と、テラス１２５よりも基板１００側に設けられた、傾斜した端面領域とを含む構成とする。テラス１２５を設けたことにより、第１電極１０４と発光層１０２との間隔を、基板面と略平行な方向について大きくとり、層の厚み方向には接近させることができるため、半導体層１１を端面に向かって伝搬した光の多くを反射することができる。よって、基板１００から取り出される光強度を高めることができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの構造化された層（１０Ａ）を作成するための方法を提供し、その際第１の構造（２０Ａ）および第２の構造（２０Ｂ）を有するマスク構造（２０）が基板（５）上に存在している層（１０）に生成される。このマスク構造（２０）を通して第１の構造（２０Ａ）は等方性構造化法を用いてかつ第２の構造（２０Ｂ）は異方性構造化法を用いて層（１０）に移される。本発明の方法により、少なくとも１つの層に唯一のマスク構造を用いて２つの構造（２０Ａ，２０Ｂ）を生成することが可能になる。
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【課題】 １つ以上の半導体層に対して接触抵抗を低下するコンタクト層を備えたナノチューブを含む電子および光電半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、少なくとも１つの半導体層と、半導体層と電気的に接触する金属層と、金属層と半導体層との間に介在するカーボン・ナノチューブ・コンタクト層とを含む。コンタクト層は、金属層を半導体層に電気的に結合し、低い比接触抵抗を有する半導体コンタクトが得られる。コンタクト層は、可視光範囲の少なくとも一部において、実質的に光透過膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に層状化し、効率的な発光素子を生成して非線形効果を最小化する方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤと１つ又はそれよりも多くの蛍光体を含み、各蛍光体に対して（入射ＬＥＤ光束）×（蛍光体の励起断面積）×（蛍光体材料の減衰期間）の積として定義される性能指数（ＦＯＭ）が０．３よりも小さいＬＥＤランプ。そのような構成は、駆動電流のある一定の範囲にわたってルーメン出力及び色安定性の改善した発光素子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

大型の窒化ガリウム発光ダイオードにおいて熱放散を改善する方法は、サファイアをより良い熱伝導体に代えることにより、結果として熱エネルギをより効果的に除去することを含む。ＧａＮエピタキシャル層と支持ウエハとの間に信頼性があり、強力な仮のボンディングを達成する方法。成長基板から二次基板にエピタキシャル膜を転写する方法。エキシマ・レーザが成長基板からの膜の剥離を開始する。このレーザ・ビームはシャドー・マスクによって成形され、成長基板にある既存のパターンと位置合わせされる。白色スペクトル光を放射するＬＥＤを製造する方法。ダイを分割およびパッケージングする前にＧａＮエピタキシャル・ウエハ上に青色またはＵＶスペクトルを励起後に白色スペクトルを放射する蛍光体。ＧａＮエピタキシャル層上に金属基板を堆積させる方法。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】各発光素子の発光強度を均等にして、高性能かつ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを順次積層し、この一導電型半導体層２を引き出した延在部７の上に共通電極５と絶縁膜６とを並設して成る発光素子を複数個配列して成る発光素子群９にて構成され、この発光素子群９内における各発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔ｘが異なるとともに、一方の発光素子の電極間隔ｘと他方の発光素子の電極間隔ｘとを同じにして、双方の共通電極５を通電せしめるように成し、そして、前記延在部７と共通電極５との接触面積ｓを、電極間隔ｘが長くなるにしたがって、大きくしている。 （もっと読む）