【課題】溶液中で分散し易く、かつその溶液中において長期間、安定に存在することができ、十分な低いバンドギャップを有するπ電子系共役ポリマー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１），（２）に例示される、チオフェン骨格π電子系共役ポリマー。


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【課題】熱伝導性の良い金属支持体で支持して熱伝導性の悪い成長基板を除去する光半導体装置において、厚い金属支持体をダイシング法あるいはスクライブ・ブレイキング法で素子毎に切断して分割していたために、素子の分割が困難であり、ばり等による歩留りの低下及び切断形状がV字状による収率の低下を招いていた。
【解決手段】電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させたフリップチップ型の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、平面視にて略四角形状に形成され、厚さの寸法と、平面視における最も長い辺の寸法と、の比が０．２６以上であるサファイア基板１０と、サファイア基板１０上に形成され、ｎ型半導体層２２，２４、発光層２５及びｐ型半導体層２６，２８をサファイア基板１０側からこの順で有し、III族窒化物半導体からなる半導体積層部２９と、半導体積層部２９の一部を除去することによりｐ型半導体層２６，２８及び発光層２５の側方に形成され、サファイア基板１０に垂直な軸に対して傾斜した傾斜面９２を有するメサ部９０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】発光面積を維持しつつ、順方向電圧の上昇を抑制できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の半導体層と、発光層２５と、第１導電型とは異なる第２導電型の半導体層とを含む窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、第２導電型の半導体層にオーミック接触するｐコンタクト電極３０と、ｐコンタクト電極３０にオーミック接触する点状の第２電極と、第２導電型の半導体層及び発光層２５の一部が除去されて露出した第１導電型の半導体層にオーミック接触すると共に、第２電極の数より多く設けられる複数の点状の第１電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、動作電圧が低く、かつ光取り出し効率が高い窒化物半導体発光素子を提供することができる。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層、Ａｌ_xqＩｎ_yqＧａ_1-xq-yqＮ井戸層を備えた発光層、ｐ型窒化物半導体層をこの順に備えた窒化物半導体発光素子であって、ｐ型窒化物半導体層と接するｐ側窒化物コンタクト層と、ｐ側窒化物コンタクト層と接する透光性電極層とを有し、ｐ側窒化物コンタクト層は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなり、透光性電極層は、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウム、またはタングステンからなる群より選択される元素のうち一種以上がドープされた二酸化チタンからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含み、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の転位密度が１×１０⁷個／ｃｍ²以下であり、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の表面が表面粗さＲ_P-Vで０．５μｍ以下に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体発光素子において、発光特性を阻害すことなく透光性電極層の剥がれによる素子の歩留の低下を改善し、かつ静電破壊耐圧を著しく向上させて素子特性を安定化させる。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、基板上に結晶成長させられた半導体積層構造を含み、この半導体積層構造は少なくとも第１導電型窒化物系半導体層、窒化物系半導体活性層、および第２導電型窒化物系半導体層をこの順で含み、半導体層積層構造はその結晶成長の際に不可避的に発生した表面凹部を含み、この表面凹部は第１の導電性酸化物の埋め込み層で埋められており、この埋め込み層の上面および半導体積層構造の上面を覆うように形成された第２の導電性酸化物の電極層をさらに含み、第１の導電性酸化物は第２の導電性酸化物に比べて大きな電気抵抗を有している。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】既存の業界工程と互換でき、有効に、生産コストを低減できる銀含有金属オーミック接触電極を提供する。
【解決手段】ニッケル（Ni）層とゲルマニウム（Ge）層、銀（Ag）層、パラジウム（Pd）層或いはプラチナ（Pt）層及び厚い膜金属（Thick Metal）層からなり、順に、ｎ形III-V族化合物半導体層上に堆積されてから、アニール（Anneal）処理を介して形成された構造で、上記銀層とゲルマニウム層との厚さ比例範囲が、Ag/Ge=７〜８の間にある。また、上記の低い電気抵抗率（Electric
Resistivity）と高い熱伝導率（Thermal Conductivity）のオーミック接触電極は、銀が材料として形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体層の一方の面に基板が形成された半導体素子について、特性の劣化を避けながら容易に形成することを実現する。
【解決手段】半導体素子１は、半導体材料からなる半導体層５と、半導体層５の一方の面に接合された金属層１８とを備え、金属層１８は、磁性体層１６を有し、磁性体層１６は、少なくともＦｅ及びＮｉを含む合金からなる層を有する。 （もっと読む）

【課題】急激な金属−絶縁体転移半導体物質を利用した２端子半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。 （もっと読む）

【課題】配線等の製造作業の煩雑さの少ない三次元形状計測用のパターン光発生装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップは、線状ＬＥＤ素子が当該素子の延伸方向に垂直な方向に沿って複数配列されてなる素子アレイを備える。この素子アレイは、半導体プロセスにより生成される。各線状ＬＥＤ素子は、それぞれ線状に延びるｐ側電極１０８を有しており、素子分離溝１１０により互いに分離されている。各線状ＬＥＤ素子は共通の基板１２０上に形成されており、その基板１２０の下側には全素子で共用されるｎ側電極１３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上された発光素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】第２電極層５０と、前記第２電極層の上に第２導電型半導体層２１と、前記第２導電型半導体層の上に活性層２２と、前記活性層の上にマスク層７１及びエアーギャップ７２を含む第１フォトニック結晶７０が形成された第１導電型半導体層２３と、及び前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極層６０と、を含む。前記第１フォトニック結晶は、ｎを前記第１導電型半導体層の屈折率とし、λを前記活性層から放出される光の波長としたときに、λ／ｎ以上及び１０λ／ｎ以下の周期に形成される。前記エアーギャップは、前記マスク層及び第１導電型半導体層により囲まれて形成される。前記マスク層の上面は、前記第１導電型半導体層の上面と面一に配置される。 （もっと読む）

【課題】カソード電極およびアノード電極について信頼性が高く且つ製造時の金属材料の使用量を低減でき、しかも、光出力の高出力化を図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形ＧａＮ層２２およびｐ形ＧａＮ層２４を有するＬＥＤ薄膜部２と、ｐ形ＧａＮ層２４におけるｎ形ＧａＮ層２２側とは反対側でｐ形ＧａＮ層２４に接合されｐ形ＧａＮ層２４よりも平面サイズが大きなｎ形ＺｎＯ基板３とを備え、カソード電極４がｎ形ＧａＮ層２２におけるｐ形ＧａＮ層２４側とは反対側の表面側でｎ形ＧａＮ層２２に対してオーミック接触となるように形成されるとともに、アノード電極５がｎ形ＺｎＯ基板３におけるｐ形ＧａＮ層２４側でｎ形ＺｎＯ基板３に対してオーミック接触となるように形成され、且つ、カソード電極４とアノード電極５とが同一の金属材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性を向上できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ形窒化物半導体層６とアノード電極７との間に、ｐ形窒化物半導体層６における窒化物発光層５側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層６よりも屈折率が小さなＧＺＯ（ＧａをドープしたＺｎＯ）膜からなる透明導電膜９と、透明導電膜９におけるｐ形窒化物半導体層６側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５から放射された光を反射するＡｇ膜からなる反射導電膜１１とを備え、透明導電膜９と反射導電膜１１との間に、窒化物発光層５から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜９側への反射導電膜１１の接着力を高めるＰｔ膜からなる接着導電膜１０を介在させてある。ここで、接着導電膜１０を構成するＰｔ膜の膜厚は、０．５ｎｍ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性を向上できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ形窒化物半導体層６とアノード電極７との間に、ｐ形窒化物半導体層６における窒化物発光層５側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層６よりも屈折率が小さなＧＺＯ膜からなる透明導電膜９と、透明導電膜９におけるｐ形窒化物半導体層６側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５から放射された光を反射するＡｇ膜からなる反射導電膜１２とを備え、透明導電膜９と反射導電膜１２との間に、透明導電膜９上に部分的に積層されｐ形窒化物半導体層６よりも屈折率が小さな低屈折率透明膜１０と、透明導電膜９において低屈折率透明膜１０が積層された表面側に形成され窒化物発光層５から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜９側への反射導電膜１２の接着力を高める接着導電膜１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好にトンネル電流を流すことによって駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。また、ｎ型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

電気的に画素化された発光素子、電気的に画素化された発光素子を形成するための方法、電気的に画素化された発光素子を含むシステム、電気的に画素化された発光素子の使用方法。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させる透光性被覆層を、より簡易に形成できるようにする。
【解決手段】半導体発光装置１は、サブマウント２、サブマウント２上に搭載された半導体発光素子３、および半導体発光素子３を完全に被覆した透光性被覆層４を有する。透光性被覆層４は、サブマウント２の外周全周に接して形成されている。 （もっと読む）