【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。
【解決手段】第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第１から第３の電極とを含んで発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽光が有するプロファイルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを有し、発熱量が小さく、コンパクトなソーラーシミュレータ、及び量子ドット太陽光ＬＥＤ積層体を提供すること。
【解決手段】量子ドット太陽光ＬＥＤ用積層体は、ＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子及びＩＶ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される各層から構成され、ＬＥＤの光出力方向に向かって、半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、各層の中では、ＬＥＤの光出力方向に向かって、粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記各層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が上記半導体ナノ導体粒子の発光スペクトルの半値幅以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来にない新規な多波長発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多波長発光素子１０は、発光波長が異なる第１及び第２発光領域Ａ１，Ａ２が構成されている。第１発光領域Ａ１では、第１半導体下地層１４１と、その上に積層された第１半導体発光層１５１とが設けられている。第２発光領域Ａ２では、第１半導体下地層１４１の上に配置された第１半導体下地層１４１と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第２半導体下地層１４２と、その上に積層された第２半導体発光層１５２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】バイアス方向によって発光波長を変えることができる半導体発光素子において、波長分離性を向上させること。
【解決手段】半導体発光素子はサファイア基板１０を有し、サファイア基板１０上に、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ⁺ −ＧａＮ層１２、ｐ⁺ −ＧａＮ層１３、第１発光層１４、第２発光層１５、ｐ⁺ −ＧａＮ層１６、ｎ⁺ −ＧａＮ層１７、ｎ−ＧａＮ層１８が順に積層されている。ｎ−ＧａＮ層１８上には第１電極１９が形成されている。また、ｎ−ＧａＮ層１８表面の一部領域はｎ−ＧａＮ層１１に達する深さの溝が形成されていて、その溝により露出したｎ−ＧａＮ層１１上に第２電極２０が形成されている。さらに、第１発光層１４と第２発光層１５との間には、第１発光層１４および第２発光層１５よりもバンドギャップの大きな波長分離層２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多色、白色または近白色光を放射可能なＬＥＤデバイスの提供。
【解決手段】ｐｎ接合１０内に位置する第１のポテンシャル井戸１２と、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸４とを備える半導体デバイスが提供される。ポテンシャル井戸は量子井戸であり得る。半導体デバイスは通常、ＬＥＤであるとともに、白色または近白色光ＬＥＤであり得る。半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。半導体デバイスは第２または第３の量子井戸の周囲の、または近接するまたは直接隣接する吸収層３，５，７，９をさらに備え得る。さらに半導体デバイスを備えるグラフィックディスプレイおよび照明装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113を介して第１半導体薄膜発光素子上に集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第２半導体薄膜発光素子は、内部の第１半導体薄膜発光素子側に、第１発光波長の光を透過し、かつ第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射する半導体多層膜からなる第１半導体多層膜反射層116が形成され、第１半導体多層膜反射層を含む第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている. （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な発光素子部品、およびこれを備える発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態の一例である発光素子アレイ１０は、支持基板２０と、支持基板２０の上面２０ａの上に設けられている、赤外の光を発する第１の発光部３０ａと、第１の発光部３０ａの上に設けられていて、赤外の光を透過する、可視の光を発する第２の発光部３０ｂと、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂの駆動を制御する駆動回路６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 光の強度分布が小さい発光素子、ならびにこれを備える光モジュールおよび画像装置を提供する。
【解決手段】 発光素子３０は、受光レセプタに光を照射するものである。この発光素子３０は、第１の波長Ｌ１の光を発する第１の発光部３０ａと、第２の波長Ｌ２の光を発する第２の発光部３０ｂとが積層されて設けられており、第１の発光部３０ａの外部量子効率η_１と、受光レセプタにおける第１の波長Ｌ_１の光の波長感度Ｓ_１とを積算した第１の積算値Ｐ_１、および第２の発光部３０ｂの外部量子効率η_２と、受光レセプタにおける第２の波長Ｌ_２の光の波長感度Ｓ_２とを積算した第２の積算値Ｐ_２を比較して、積算値Ｓ_２の大きい第２の発光部３０ｂに比べて積算値Ｓ_１の小さい第１の発光部３０ａの面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】ウェーハボンディングまたはメタルボンディングを利用したモノリシック白色発光素子を提供する。
【解決手段】白色発光素子１３０は、上面にｐ側リード端子１３２ａとｎ側リード端子１３２ｂが形成されたサブマウント基板１３１と、下からｐ型窒化物半導体層１２６、第１活性層１２４，１２５、ｎ型窒化物半導体層１２３及び絶縁性基板１２１が順次に積層されて成り、前記ｐ型及びｎ型窒化物半導体層はそれぞれ前記ｐ側及びｎ側リード端子に各々連結された第１発光部１２０と、前記絶縁性基板の上面の一領域上に形成された金属層１３８と、前記金属層の一領域上に接合され、下からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層１４６、第２活性層１４５及びｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層１４２が順次に積層されて成る第２発光部１４０と、前記金属層の他領域と前記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層上にそれぞれ形成されたｐ側電極１４８及びｎ側電極１４９とを含む。 （もっと読む）

本発明は発光ダイオードであって、電気的に接続されている少なくとも１つの活性領域（１１）を備えている第１の半導体要素（１０）であり、発光ダイオードの動作時に活性領域（１１）において第１の波長域の電磁放射（１１０）が生成される、第１の半導体要素（１０）と、第１の半導体要素（１０）の上、第１の半導体要素（１０）の上面（１０ａ）に固定されている第２の半導体要素（２０）であって、多重量子井戸構造（２１３）を有する再放出領域（２１）を有し、発光ダイオードの動作時に再放出領域（２１）において第１の波長域の電磁放射（１１０）が吸収されて第２の波長域の電磁放射（２２０）が再放出される、第２の半導体要素（２０）と、第１の半導体要素（１０）と第２の半導体要素（２０）との間に配置されている結合材料（３０）であって、第１の半導体要素（１０）および第２の半導体要素（２０）を互いに機械的に結合する、結合材料（３０）と、を具備している、発光ダイオード、に関する。 （もっと読む）

【課題】発光セルが周期的に繰り返し形成されたアレイにおいて、各発光セルが同一のターンオン電圧で発光された後、ターンオン電圧以下に降下する瞬間に発光が中断されることによって起こるフリッカ現象を低減する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置された複数の発光セル１００−１〜１００−１６と、を備える発光デバイスであって、異なるサイズを有し、互いに直列に電気的に接続された少なくとも２つの前記発光セルが周期的に繰り返し形成されたアレイを有することを特徴とする発光デバイスを提供する。発光ダイオードに形成された各発光セルが互いに異なる大きさを有することにより、交流電源により発光動作を行う際に、発光セルごとに互いに異なるターンオン電圧を有することにより、各発光セルが発光を始める時間が互いに異なって、フリッカ現象を効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】１チップで、広色域の光を高効率に取り出すことの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属層２５，３１，３５，４１，４５は、金属層２１の少なくとも一部と非対向となるように形成され、金属層３５，４１，４５は、金属層３１の少なくとも一部とも非対向となるように形成されている。これにより、活性層２３から発せられた光は金属層２１，２５のうち少なくとも金属層２１で反射され金属層２１のうち金属層３１，３５，４１，４５との非対向領域の直上から外部に向かうので、活性層２３から発せられた光Ｒは活性層３３で吸収されることなく活性層３３を透過し、活性層２３から発せられた光Ｒは活性層４３で吸収されることなく活性層４３を透過する。 （もっと読む）

【課題】透明基板の片面に配設された複数の単結晶薄膜半導体発光素子からの光を両面から出射させることができる表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１１０の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子１１１を配設した表示装置１０であって、複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板１０１から剥離された単結晶薄膜半導体層１０２から構成され、単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層（活性層）１１３とこの発光層(活性層)を挟んだ２層の非発光層１１２、１１４とを備え、２層の非発光層のエネルギバンドギャップは、発光層（活性層）のエネルギバンドギャップより大きい値を有する。 （もっと読む）

【課題】発光面積の全体が同時に発光できる交流発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材に少なくとも交流微小結晶粒子発光モジュールが形成され、当該微小結晶粒子発光モジュールは少なくとも隣接している２つの微小結晶粒子を有し、各微小結晶粒子はそれぞれ少なくとも２層の能動層を有し、導電構造により各微小結晶粒子のそれぞれに電気的に接続されることにより、各微小結晶粒子の能動層のそれぞれが交流電力の正負波に応じて交互に発光し、発光面積の全体が同時に発光できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】均一な色合いの白色光を実現でき、且つ長寿命化を図ることができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１Ａは、窒化ガリウム基板１５と、窒化物半導体からなり窒化ガリウム基板１５の主面１５ａ上に設けられた活性層５と、希土類元素を含む窒化物半導体からなり、活性層５において発生した紫外光Ｌｕを吸収して赤色光Ｌｒ、緑色光Ｌｇ、及び青色光Ｌｂをそれぞれ発する第１〜第３窒化物半導体層１１〜１３を有する発光層１０と、を備える。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクス部品（１００）は、放射を放出するように構成されている活性層（１１０）と、主面（１１１）とを有する第１の半導体積層体（１０１）、を備えている。この主面の上には、半透過性のミラーを形成している分離層（１０３）が配置されている。このオプトエレクトロニクス部品は、分離層の上に配置されている第２の半導体積層体（１０２）を備えており、この積層体は、放射を放出するように構成されているさらなる活性層（１２０）を有する。
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【課題】１チップで小型パッケージに組み込まれ、高輝度、多色発光可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された第１の半導体発光素子１２と、第１の半導体発光素子１２上に配置された貼り付け電極１４と、貼り付け電極１４上に配置された第２の半導体発光素子１６とを備え、基板１０は発光波長に対して透明であることを特徴とする半導体発光装置。 （もっと読む）

【課題】電流注入で２色発光可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板１００上に配置された第１のｎ型半導体層１２０と、第１のｎ型半導体層１２０上に配置され，(Ａｌ_xＧａ_y)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦x≦０．８５、０≦ｙ≦１）４元系化合物半導体からなる第１の活性層１３０と、第１の活性層１３０上に配置された第１のｐ型半導体層１４０と、第１のｐ型半導体層１４０上に配置された第１のアノード電極２と、導電性基板１００上に配置された第２のｎ型半導体層１６０と、第２のｎ型半導体層１６０上に配置され，(Ａｌ_xＧａ_y)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦x≦０．８５、０≦ｙ≦１）４元系化合物半導体からなる第２の活性層１７０と、第２の活性層１７０上に配置された第２のｐ型半導体層１８０と、第２のｐ型半導体層１８０上に配置された第２のアノード電極３と、導電性基板１００上に配置された共通のカソード電極４とを備える。 （もっと読む）

発光デバイス及びそれを作製する方法が開示される。発光デバイスは、青色光又は紫外線を放射し、半導体構造体に取り付けられている発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む。半導体構造体は、ＩＩ〜ＶＩ族化合物の少なくとも１層を含み、放射された青色光又は紫外線の少なくとも一部分を、より長い波長の光に変換する再発光半導体構造体を含む。半導体構造体は、ＡｌＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓ化合物を含むエッチストップ構造体を更に含む。エッチストップは、ＩｎＰをエッチングできるエッチャントに耐えることができる。
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