【課題】半導体装置の基板において発熱体を含むその周囲の熱を当該基板周囲の熱を高い熱伝導率で拡散する技術を提供する。
【解決手段】平面視矩形状をなすグラファイトシートの一辺が基板１０の半導体装置１搭載面の一部をなすように、その一辺と頂点を共有する他辺が基板の厚み方向となるように多数配置され、前記多数のグラファイトシート間には金属材料２２が充填されることで形成される放熱性基板１０である。 （もっと読む）

【課題】光反射率が高く熱伝導性および表面粗さが良好な基板を備え、発光効率ならびに放熱性、印刷性が向上された発光装置を得る。
【解決手段】本発明の発光装置は、アルミナ含有量が９６重量％を超える高純度アルミナ基板からなり、波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率が厚さ１ｍｍで９０％以上である基板１と、発光素子であるＬＥＤチップ３を備えている。基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．３０〜０．８０の範囲となっている。また、基板１の厚さは０．５〜１．５ｍｍの範囲とし、かつ熱伝導率（２５℃）を３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることができる。さらに、基板１の上に印刷により形成された配線層２を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス材料に発光素子を封止して、高信頼性の発光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の発光デバイスは、ガラス基板２の表面に形成された窪み６に発光素子を配置し、発光素子を覆うように封止材が設けられた構成である。ここで、リードフレームがガラス基板２の側面と窪み６の底面において露出するようにガラス基板に埋め込まれており、発光素子が窪みに露出したリードフレームに電気的に接続して実装されている。このような構成により、発光デバイスの耐久性が向上する。 （もっと読む）

【課題】パッケージの熱抵抗が改善された発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う発光素子パッケージは、上部にキャビティーを含むパッケージ本体と、上記パッケージ本体の表面に絶縁層と、上記絶縁層の上に複数の金属層と、上記キャビティーに発光素子と、上記発光素子に対応する上記パッケージ本体の下面に第１金属プレートと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 受光又は発光を行う光素子と半導体回路素子、及び光素子と光接続される光ファイバとを備える光素子モジュールにおいて、光素子と光ファイバとの光接続が高機能的になされる光素子モジュールとその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板２の一方の面に光素子８と半導体回路素子９が搭載され、他方の面に、略４５度傾斜するミラー面２ａが形成されるとともに、ミラー面に対面する光ファイバ７が、他方の面に沿って形成されたＶ溝に配置される光素子モジュール１の製造方法であって、他方の面に対して、ミラー面２ａと、Ｖ溝のＶ状側面とを第１の結晶異方性エッチングにより同時に形成する工程と、一方の面及び他方の面に略垂直で、Ｖ溝の先端側に形成されて光ファイバ７先端が突き当てられる当接面２ｂを、第１の結晶異方性エッチングとは異なる結晶面方位での第２の結晶異方性エッチングによって形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップと反射部とで決まる実効的な光源サイズの小型化を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置Ａは、矩形板状のＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１が一表面側に実装された矩形板状の実装基板２と、実装基板２の上記一表面側に配置されＬＥＤチップ１から側方へ放射された光をＬＥＤチップ１における実装基板２側とは反対側へ反射する反射面３１を有する反射部３とを備えている。反射部３は、反射面３１が、実装基板２の上記一表面におけるＬＥＤチップ１の投影領域Ｍの外周線の４辺それぞれから立ち上がる形で形成されている。ここにおいて、反射部３は、上記投影領域Ｍの外周線の周方向において離間した複数（本実施形態では、４つ）の反射エレメント３０により構成されている。 （もっと読む）

【課題】出射光の直線性がよい光半導体装置を提供する。
【解決手段】凹部１１と、凹部１１の底面に形成された貫通孔１２とを有する遮光性の基台１３と、発光面が貫通孔１２を跨ぐように凹部１１の底面に載置された発光素子１４と、凹部１１を対向させて基台１３が載置されたマウントベッド１５と、マウントベッド１５の周りに配置され、発光素子１４に電気的に接続された複数のリード端子１６と、側面からリード端子１６を延出して、マウントベッド１５、基台１３、および発光素子１４をモールドする透光性樹脂１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの経時変化に起因した寿命時期を精度よく求めることができる照明装置を提供する。
【解決手段】光検出素子４で計測されたＬＥＤチップ１の光出力は、照明器具１００に設けられている制御回路１６０に伝送され制御回路１６０内の記憶手段に一時記憶される。記憶手段には、ＬＥＤチップ１に流れる電流とＬＥＤチップ１の光出力との関係に経時変化レベルを対応付けた特性データが予め記憶されている。制御回路１６０には、ＬＥＤチップ１に流れる電流値と光検出素子４で検出されたＬＥＤチップ１の光出力との関係、および上述の特性データに基づいて経時変化レベルを求める監視手段としての機能が備わっている。求まった経時変化レベルは、照明器具１００からコントローラＣＲに通知され、コントローラＣＲに設けられている表示部にて表示される。 （もっと読む）

【課題】発光素子に組み込む前の段階で、色管理を行なうことができ、簡便且つ少ない製造工程で発光色度が均一な発光装置を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】励起光を発光する半導体発光素子と、蛍光体の多結晶材料から成り、前記励起光と異なる波長の光を発する蛍光体セラミック板とを備え、前記励起光と前記蛍光体セラミック板が発光する光とを合成した光を発する発光装置の製造方法であって、前記蛍光体に含まれるドーパントの原子濃度と前記蛍光体セラミック板の厚みとの積と、前記発光装置が発光する光の色度との関係とを用いて、前記発光装置に用いる蛍光体セラミックを調整する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子、発光素子を含む発光装置、発光素子および発光素子を含む発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１１は、ベース基板３０９上にある第１電極１４０と、第２電極１５１と、第３電極１５２と、第１電極１４０上におよび第１電極１４０と同一のレベルの少なくとも一方にある発光構造体１１０と、ベース基板３０９上の第１電極１４０と電気的に接続された第１パターン３１０＿１と、複数の第２パターン３２０＿１、３２０＿２であって、第２パターン３２０＿１、３２０＿２のうち少なくとも一つは第１パターン３１０＿１の第１側面上に配置されて第２電極１５１と電気的に接続され、第２パターン３２０＿１、３２０＿２のうち少なくともまた他の一つは第１側面と対向する第１パターン３１０＿１の第２側面上に配置され第３電極１５２と電気的に接続される複数の第２パターン３２０＿１、３２０＿２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】チップを一表面側に実装したベース基板と機能基板とを接合する接合工程の歩留まりの向上を図れる構造体の製造方法および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配光用基板（機能基板）３０との接合表面側にＬＥＤチップ（チップ）１を収納する凹部２０ｂを有するベース基板２０を形成した後でベース基板２０における凹部２０ｂ内にＬＥＤチップ１を収納して実装し、その後、ベース基板２０と配光用基板３０との互いの接合表面が対向するようにベース基板２０と配光用基板３０とを対向配置して両者の対向方向に直交する方向に配置された１つのビーム照射源１００から不活性ガスのイオンビームもしくは不活性ガスの原子ビームをベース基板２０と配光用基板３０との間の空間に向けて照射することで各接合表面それぞれを清浄・活性化し、その後、ベース基板２０と配光用基板３０とを互いの接合表面を重ね合わせて接合する。 （もっと読む）

【課題】素子基板に形成した素子の特性劣化を防止できる構造体の製造方法および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配光用基板（機能基板）３０との接合表面側に凹部４２を有する素子基板４０を形成した後で素子基板４０における凹部４２の内底面に素子たる受光素子４を形成し、その後、素子基板４０と配光用基板３０との互いの接合表面が対向するように素子基板４０と配光用基板３０とを対向配置して両者の対向方向に直交する方向に配置された１つのビーム照射源１００から不活性ガスのイオンビームもしくは不活性ガスの原子ビームを素子基板４０と配光用基板３０との間の空間に向けて照射することで各接合表面それぞれを清浄・活性化し、続いて、素子基板４０と配光用基板３０とを互いの接合表面を重ね合わせて接合する。その後、発光素子が実装されたベース基板と配光用基板３０とを接合する。 （もっと読む）

【課題】部品点数の削減やコストダウンを図りつつも輝度を向上させることができるＬＥＤランプを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の表面１０ａに搭載される複数のＬＥＤモジュール３０とを備えたＬＥＤランプＡであって、基板１０の表面１０ａは、鏡面状に形成されている。基板１０は、Ｓｉにより構成されている。基板１０の裏面１０ｂには、放熱部材２０が設けられている。 （もっと読む）

発光機器は、複数の発光ダイオード、及び各々が発光ダイオードのそれぞれ１個を格納するためのくぼみのアレイを伴う絶縁（低温同時焼成セラミックス）基板を含む。基板は、発光ダイオードを接続するために選択された電気的機器内で発光ダイオードを接続し、かつくぼみの底部上に少なくとも２つの電気的接続を与えるように構成された導電体の構造を組み込む。発光ダイオードは、少なくとも１つのボンドワイヤ又はフリップチップ接続により、電気的接続に電気的に接続しうる。各々のくぼみは、各々の発光ダイオードを封入するために、透明な材料で充填される。機器が選択された色及び／又は色温度の光を放出するように、透明な材料は少なくとも１つの蛍光体材料を組み込むことができる。
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【課題】 外部に取り出せる光量を増加させることが可能な発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 各発光部６からの光は周囲に拡散し、モールド部８１を透過して外部に放射されるが、各発光部６からの光のうちの一部はモールド部８１の側面８３において反射される。この側面８３が、発光部６からの光の少なくとも一部を発光部６が臨む領域に導く反射面８２となるので、外部に取り出せなかった光、および厚み方向Ｚで各発光部６が臨む領域に照射されなかった光を、各発光部６が臨む領域に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージ（その発光面）における輝度ムラを減少させ、その発光面における輝度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】有底の多角錐台形状の凹部が形成されたパッケージ本体と、前記凹部に配置されたＬＥＤ発光素子と、前記凹部に充填された透明な封止材料と、を備えたＬＥＤパッケージにおいて、前記凹部に充填された透明な封止材料表面に散乱層を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤ発光部１００で励起された光のうち、発光領域から光取り出し面方向に出射する光束Ａ１以外の光束Ｂ１を有効に取り出すこと。
【解決手段】 Ｓｉ基板１２６には、テーパー状の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に薄膜半導体チップ１５０が貼り付けられる。図示しない配線層を介して、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５との間に所定の電圧が印加され電流が流れると、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３が発光する。テーパー状の側面形状は、薄膜半導体チップ１５０の側面出射光を光取出面出射光方向へ屈折させる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光出力の高出力化を図れ且つベース基板と枠基板との接合不良の発生を防止できる発光装置を提供する。
【解決手段】実装基板２は、ベース基板２０と中間層基板（枠基板）３０とを備える。ベース基板２０は、シリコン基板２０ａの一表面側に発光素子１よりも大きな平面サイズであり中央部に発光素子１がろう材により接合されるマウント用金属層２５ａ_１および中間層基板３０との接合用金属層２９が形成されるとともに、マウント用金属層２５ａ_１の投影領域の全域に複数のサーマルビア２６が形成されてなり、シリコン基板２０ａの上記一表面側にマウント用金属層２５ａ_１と接合用金属層２９とを電気的に接続し且つ熱結合する連絡金属層２５ｃと、上記ろう材が接合用金属層２９に濡れ広がるのを防止する濡れ広がり抑制部２１とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子から放射された光の一部を効率良く光検出素子へ集光することができ且つ製造歩留まりの向上を図れる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配光用基板３０形成用のシリコン基板３０ａに貫通孔３２を形成してから、絶縁膜（シリコン酸化膜）３３を形成し、アルカリ系溶液による異方性エッチングで凹所３１ａを形成し、凹所３１ａの内側面および内底面にシリコン酸化膜３３ｂを形成する。貫通孔配線３４を形成し、シリコン酸化膜３３ｂ上にミラー膜３９を形成し、シリコン基板３０ａの他表面側に導体パターン（第２の接続用金属層）３５を形成し、上記一表面側に導体パターン（第１の接続用金属層）３７の基礎となる金属層３７ａを形成し、シリコン基板３０ａの上記他表面側において開口窓３１に対応する部位以外をレジストマスク１３５により覆い上記他表面側からエッチングすることで開口窓３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子から放射された光の一部を効率良く光検出素子へ集光することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光検出素子４を形成したシリコン基板（第１のシリコン基板）４０ａと配光用基板３０とを接合する第１の接合工程（図１（ａ））と、少なくともシリコン基板４０ａの一表面側において配光用基板３０の開口窓３１に臨む部位を覆うレジスト層５２を形成するレジスト層形成工程（図１（ｄ））と、シリコン基板４０ａにおける光取出窓４１の形成予定部位が開口したレジストマスク層４２をマスクとしレジスト層５２をエッチングストッパ層としてシリコン基板４０ａを他表面側からドライエッチングすることにより光取出窓４１を形成する光取出窓形成工程（図１（ｆ））と、レジスト層５２を除去するレジスト層除去工程（図１（ｇ））とを備える。 （もっと読む）