発光半導体基板２のＡｌＧａＩｎＰから成るｎ型半導体層１１の表面に遷移金属層を介してＡｕ層を設ける。ＧａとＡｕとの共晶点よりも低い温度の熱処理によってＡｕを遷移金属層１７を介してｎ型半導体層１１に拡散させ、２０〜１０００オングストロームの厚みを有し且つ光吸収率の小さいオーミックコンタクト領域４を形成する。遷移金属層及びＡｕ層を除去し、ｎ型半導体層１１及びオーミックコンタクト領域４の表面にＡｌから成る導電性を有する光反射層５を形成する。光反射層５に第１及び第２の接合金属層６，７を介して不純物がドープされたＳｉから成る導電性支持基板８を貼り合せる。
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【課題】
サイズがコンパクトなリフレクタを備えたＬＥＤ用サブマウント及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
ＬＥＤ用サブマウントは、表面に入出力端子３ａ，３ｂを有するＳｉ製ベース基板２と、斜面付き貫通穴を有するとともに、少なくともこの斜面に反射膜５が形成されたＳｉ製リフレクタ１とからなり、Ｓｉ製ベース基板２の上にＳｉ製リフレクタ１を搭載し、接合固定されている。Ｓｉ製リフレクタ１とＳｉ製ベース基板２とは、薄膜はんだにより接合される。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフリップチップ構造の発光装置において発光素子の搭載に用いられるトランジスタ付きサブマウントに関するものである。
【解決手段】 本発明は、フリップチップ構造の発光装置において窒化物半導体発光素子を搭載するためのサブマウントにおいて、第１導電型半導体物質から成る基板； 上記基板上の一領域に形成され第２導電型半導体物質から成る第１領域； 上記第１領域以外の領域に形成され第２導電型半導体物質から成る第２領域； 上記第１領域及び第２領域上に各々形成される第１及び第２電極； 及び、上記基板の背面に形成される導電層を含み、上記第１及び第２電極は上記窒化物半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極とバンプを通して連結されることを特徴とするトランジスタを具備したサブマウントを提供する。本発明によると、フリップチップ構造の発光装置において窒化物半導体発光素子へ流入する静電気などによる高圧電流を遮断して素子の破壊を防止し、素子の信頼性を向上させる効果がある。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの発熱を効率よく放熱することができ、安価な発光素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子１１からの発熱を放熱するためのヒートシンク板１３に発光素子１１が直接搭載される発光素子収納用パッケージ１０において、発光素子１１が搭載される部位の周囲のヒートシンク板１３に貫通孔１５を有すると共に、ヒートシンク板１３の下面に接合されて多層回路基板１６を有し、発光素子１１とボンディングワイヤ１７を介して電気的に導通状態とするための貫通孔１５の底面に露出する多層回路基板１６の表面にヒートシンク板１３と電気的に断線状態からなるボンディングワイヤ１７接続用の導体配線パッド１８を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、チップのパッケージ化の前に、ウェハまたはチップ全体に蛍光体構造体が形成され、チップを覆う蛍光体の厚さの不均一性によって生じる色の変化を防止することができる半導体発光装置およびその製作方法を提供することである。
【解決手段】半導体発光装置は、不透光性基板と、接合構造体と、半導体発光スタックと、該半導体発光スタックを覆うように設置された蛍光体構造体とを有する。半導体発光スタックは、成長基板から分離され、接合構造体を介して不透光性基板に接合される。半導体発光装置を製作する方法は、半導体発光スタックを成長基板から分離するステップと、半導体発光スタックを不透光性基板に接合するステップと、半導体発光スタックを覆うように蛍光体構造体を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ランバーシアン分布の配光特性が得られると共に、ＬＥＤチップの占有面積が大きくなってもレンズ部に応力によるクラック，反り等の歪みが発生しないようにしたＬＥＤを提供することを目的とする。
【解決手段】 ＬＥＤチップ搭載部１１ｂ，接続ランド１１ｃ及び外部電極１１ｄ，１１ｅを含む導電パターン１１ａを備えたシリコン基板１１と、このシリコン基板上に陽極接合された、ランプハウスを画成する貫通孔１２ａを備えたガラス枠体１２と、上記ガラス枠体の貫通孔内にて、シリコン基板上にマウントされるＬＥＤチップ１３と、上記ガラス枠体の貫通孔内に充填されるシリコーン樹脂から成るモールド部１４と、を含むように、ＬＥＤ１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 高い光束と高い演色性とを両立する発光装置、特に暖色系の白色光を放つ発光装置を提供する。
【解決手段】
窒化物蛍光体を含む蛍光体層３と発光素子１とを備え、発光素子１は３６０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有し、窒化物蛍光体は発光素子１が放つ光によって励起されて発光し、窒化物蛍光体が放つ発光成分を出力光として含み、窒化物蛍光体は、Ｅｕ²⁺で付活され、かつ、組成式（Ｍ_1-xＥｕ_x）ＡｌＳｉＮ₃で表される蛍光体であり、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎから選ばれる少なくとも１つの元素であり、ｘは式０．００５≦ｘ≦０．３を満たす数値である発光装置である。 （もっと読む）

【課題】 励起光を発光する発光素子と、該励起光の一部を波長の異なる光に変換し、前記励起光と前記波長変換された光とを混色した光を発する発光ダイオードであり、簡単な構成で、熱による構造体の劣化や発光特性の劣化がなく、安定して、全方位に光を発する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、発光素子と該発光素子の全周に配置した光変換用セラミック複合体とからなる発光ダイオードであり、前記光変換用セラミック複合体は、単一金属酸化物と複合金属酸化物とが連続的にかつ３次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体であって、前記単一金属酸化物または前記複合金属酸化物は、蛍光を発する金属元素酸化物を含有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光素子アレイチップとヘッド基板との搭載が容易となり、発光素子アレイチップの接続端子電極とヘッド基板の配線パターンとの電気的な接続が非常に容易に達成できる光プリンタヘッドおよびプリンタを提供することにある。
【解決手段】
本発明は、複数個の発光素子１０を配列された発光素子アレイチップ１と、該発光素子アレイチップ１が列状に搭載され、且つ前記発光素子１０に電気的に接続する駆動ＩＣ３が搭載されてなるヘッド基板２と、前記ヘッド基板２を収容するとともに、発光素子１０から光を外部に供給するロッドレンズアレイ７を備えたハウジング６、８とからなる光プリンタヘッドである。ヘッド基板２の表面には、前記各発光素子１０と駆動ＩＣ３とを接続する配線パターン２１が形成されているとともに、前記接続端子電極１３、１４は、前記発光素子アレイチップ１の端面に延在するとともに、前記接続端子電極１３、１４と所定配線パターン２１とが、前記発光素子アレイチップ１端面とヘッド基板２の表面の成す角部で導電性接着部材４によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、フリップチップ型発光ダイオードが取り付けられたサブマウントにワイヤを使用せずに、信頼性が高く、かつ、容易に接続を行なうことができる発光ダイオード組立用基板を提供する。
【解決手段】 本発明の発光ダイオード組立用基板は、サブマウントに取り付けられたフリップチップ型発光ダイオードが挿入される開口部と、前記開口部近傍の裏面に接続電極が形成されている。前記開口部には、フリップチップ型発光ダイオードが挿入されて、発光ダイオード組立用基板の面と、前記フリップチップ型発光ダイオードの頂面とがほぼ同じになるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。 （もっと読む）

【課題】発光素子実装用サブマウント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板300と、基板上に第２極性不純物が注入して拡散させ、拡散領域が存在しない基板領域を挟んで両分された第１拡散層310と、第１拡散層の一部を露出させる第１開口341aと基板領域の一部を露出させる第２開口341bとを備えて基板上に形成される絶縁層340と、絶縁層上に形成され、第１開口を通じて第１拡散層に接続される第１電極ライン351と、第２開口を通じて基板領域に接続される第２電極ライン352を含む。シリコンバルクマイクロマシンニング工程を用いて拡散マスクを使用せずツェナーダイオード素子が集積された発光素子サブマウント基板を製造して、製造工程を縮めて製造費用を節減し、発光素子を直接にフリップチップボンディングして、発光素子と定電圧素子をパッケージングする工程を単純化する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、フリップチップ型発光ダイオードの電極とサブマウントに形成されている配線との接続において、共晶ハンダと導電性熱硬化性接着剤とを使用した発光ダイオード組立体およびその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の発光ダイオード組立体は、フリップチップ型発光ダイオードと、前記フリップチップ型発光ダイオードが取り付けられているサブマウントと、多数の開口と、各フリップチップ型発光ダイオードを接続する配線電極等が形成されている配線基板とから構成されている。サブマウントは、上面に一対の配線が形成されている。前記フリップチップ型発光ダイオードの一対の電極と、前記サブマウントの一対の配線とは、共晶ハンダを介して接続される。前記開口近傍の裏面に形成された電極と、前記サブマウントの上面に形成された配線とは、導電性熱硬化性接着剤を介して接続される。 （もっと読む）

発光素子の温度を正確に検出し、発光素子の破壊や劣化を防止する発光装置を提供する。 本発明の発光装置は、電気信号端子を備えてこの電気信号端子に外部から与えられる電気信号によって駆動され発光する発光素子と、電気信号を出力して電気信号端子に印加する発光素子駆動用回路並びに周囲温度を検出する温度検出素子を半導体によって形成した発光素子駆動用半導体チップと、を備え、発光素子を発光素子駆動用半導体チップ面上に装着すると共に温度検出素子が検出した温度に連動して発光素子を駆動する。 （もっと読む）

半導体発光デバイス（１２）用のサブマウントは、発光デバイス（１２）を受け取るように構成されたキャビティ（１６）をその中に有する半導体基板（１４）を含む。第１のボンドパッド（２２Ａ）は、キャビティ内で、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第１のノードに結合するように位置決めされる。第２のボンドパッド（２２Ｂ）は、キャビティ内で、その中で位置決めされた発光デバイスの第２のノードに結合するように位置決めされる。中実波長変換部材（３２）を含む発光デバイスと、それを形成するための方法もまた提供される。

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表面実装発光パッケージは、上部及び下部の主表面を有するチップキャリアを含む。少なくとも１つの発光チップは、チップキャリアの上部主表面に取付けられる。リードフレームは、チップキャリアの上部主表面に取付けられる。付随する支持体に表面実装されるときに、チップキャリアの下部主表面はリードフレームが間に介在することなく付随する支持体と熱接触する。 （もっと読む）