【課題】発光素子およびその点灯を制御する点灯制御部の双方を有し且つこれらの熱を適切に回収するとともに、様々な灯具に搭載可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０において、制御回路部３０は、半導体発光素子２０の点灯を制御する。放熱基板ユニット１３は、各々が発する熱を回収するよう半導体発光素子２０および制御回路部３０を支持する。放熱基板ユニット１３は、半導体発光素子２０の発光部が制御回路部３０よりも発光部の主光軸方向に突出するよう半導体発光素子２０を支持する。放熱基板ユニット１３は、制御回路部３０を支持する放熱基板１５と、放熱基板１５から突出して半導体発光素子２０を支持する支持部材１４を有する。放熱基板１５と支持部材１４とは別体に形成され、３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する接着剤を介して互いに固定される。 （もっと読む）

【課題】小型化およびコンパクト化を容易とし、製造工程を簡単化することが可能な、電子部品、および電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１面および第２面を有し、所定の貫通ホールが形成される印刷回路基板と、貫通ホール内に収容され、第１面に結合される半導体素子と、第１面に結合される一つ以上の受動素子と、を備える電子部品が提供される。 （もっと読む）

【課題】保護素子の存在に起因する発光素子の輝度の低下を抑制しつつ、廉価であって、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】保護素子としてのツェナーダイオード２４を、樹脂部２５のキャビティ３１内に露出した第１リード端子２９上に搭載する。発光素子としての発光ダイオードチップ２２,２３を、キャビティ３１内に露出した第２リード端子３０の凹部３２の底部３５に搭載する。こうして、ツェナーダイオード２４を発光ダイオードチップ２２,２３より上側に配置して、発光ダイオードチップ２２,２３から出射されて凹部３２の側壁３６で反射された光がツェナーダイオード２２に到達し難くして、発光装置２１から出射される光の輝度が低下するのを防止する。また、樹脂部２５に設けるキャビティを一つにしてパッケージの製造を簡単にし、発光装置２１の製造コストの上昇を抑える。 （もっと読む）

【課題】放熱ベースに、異なる仕様の発光ダイオードチップをそれぞれ配置できること。
【解決手段】放熱板とブラケット板との結合により少なくとも２つの放熱ベース及び少なくとも２組の導電性ブラケットを形成することにより、熱電分離を維持させるような設計であり、具体的な実施の形態の他方は、厚シートにより少なくとも２つの放熱ベース及び少なくとも２組の導電性ブラケットを形成することにより、熱電分離を維持させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や耐光性が極めて高く、成形までの可使時間を十分に確保した材料を用いて作成した半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ）ポリオルガノシロキサン樹脂、（Ｂ）フィラー、及び（Ｃ）硬化触媒を含有する樹脂成形体２、を少なくとも備える半導体発光装置用パッケージであって、前記フィラーを除いた前記樹脂成形体中における前記硬化触媒の金属成分含有量を０．４ｐｐｍ以上、２５ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高温条件で使用できる蛍光体を使用した発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子と、前記発光素子上に形成された蛍光体層とを具備する。この発光素子のジャンクション温度は１００℃以上２００℃以下である。また、前記蛍光体層は、下記一般式：（Ｍｇ_１−ｘ，ＡＥ_ｘ）_ａ（Ｇｅ_１−ｙ，Ｓｎ_ｙ）_ｂＯ_ｃＨＡ_ｄ：ｚＭｎ（式中、ＡＥはＣａまたはＳｒの少なくとも１種類の元素であり、ＨＡはＦまたはＣｌの少なくとも１種類以上の元素であり、２．５４≦ａ≦４．４０、０．８０≦ｂ≦１．１０、３．８５≦ｃ≦７．００、０≦ｄ≦２．００、０≦ｘ≦０．０５、０≦ｙ≦０．１０、および０＜ｚ≦０．０３である）で表され、前記発光素子から放出される光を吸収して６５０ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する光を放出する蛍光体を含む。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、フレーム面とレンズとの間における気泡の発生を抑制できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、リードと、前記リードの一部を覆う本体部であって前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部を有するフレームと、を備え、前記フレームは、前記凹部を取り囲む壁状体として前記凹部の開口端に立設された枠部であって先端に切り欠き部が形成された枠部を有している。さらに、前記凹部のなかに設けられ前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで充填され、前記光半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂に接合されたレンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】例えば、発光素子の小型化及び集積化を改善させること。
【達成手段】本発明の実施形態に係る発光素子は、互いに離隔される複数の金属層と、前記複数の金属層の上面領域の外側部上に配置されて全気風数の金属層の一部が開放されるオープン領域を有する第１絶縁フィルムと、前記複数の金属層のうち何れか一つの上に配置されて他の金属層と電気的に接続される発光チップと、前記複数の金属層及び前記発光チップ上に樹脂層を含め、前記複数の金属層の外側部は内側部の厚さより厚い厚さを含む。 （もっと読む）

【課題】反射率が高い発光装置の提供。
【解決手段】発光素子と反射膜とを有する発光装置であって、前記反射膜が、金属膜上に光学多層膜を積層した反射膜であり、かつ４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域における平均反射率が９０．０％以上である発光装置である。光学多層膜の層数が、５層以上である態様が好ましい。また、光学多層膜が、下記式（１）で求められるαが１．０５以上である層を有する態様が好ましい。
α＝４×ｎ×ｄ／λ 式（１）
ここで、ｄ（ｎｍ）は層の厚み、ｎは層の屈折率、λ（ｎｍ）は（λ_１＋λ_２）／２を示す。λ_１は２００ｎｍ〜１，０００ｎｍの波長領域における発光素子の発光波長において、ピーク波長の光強度の１／１０となる波長のうちの最も短い波長を示し、λ_２は最も長い波長を示す。 （もっと読む）

【課題】液晶性樹脂に無機フィラーを配合した液晶性樹脂組成物を用いて、表面が平滑な反射体及び当該反射体を製造する方法を提供する。
【解決手段】反射体の表面粗さＲａと、反射体を製造するための金型の内壁面の表面粗さＲａと、の差（ΔＲａ）が０．１ｍｍ以下になるように反射体を製造する。使用する無機フィラーとしては、平均一次粒径が１５μｍ以下のものが好ましい。また、無機フィラーの含有量は、液晶性樹脂１００質量部あたり５質量部以上７０質量部以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を抑制することができる発光装置及びこの発光装置を備えた照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の発光素子３が一面側に実装された基板２と、この基板２が、側周囲に間隙Ｇを有して配設される凹部４２を備えた取付部材４と、前記基板２の一面側に接触する押圧部５２を有し、この押圧部５２の前記基板２の一面側から他面側へ向かう方向の弾性的押圧力によって前記基板２を取付部材４の凹部４２に保持する機械的固定手段５とを備える発光装置１である。 （もっと読む）

【課題】 １）片面配線基板でありながら放熱性が良好で、２）薄型で、３）配線パターンがＬＥＤチップの光の反射に影響しにくく、４）配線パターン上のめっきを銀めっきに頼らなくても良い、特に小サイズのＬＥＤチップに適したＬＥＤモジュール、ＬＥＤパッケージ並びに配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも第１面側の光（波長４５０ｎｍ）の全反射率が８０％以上である電気的絶縁材と、前記電気的絶縁材を貫通するビアホールと、前記電気的絶縁材の第２面側に設けられた配線パターンと、前記ビアホール内に設けられた前記配線パターンと電気的に導通された金属充填部とを有し、前記電気的絶縁材の第１面側かつ前記金属充填部の表面にＬＥＤチップをボンディングし、前記ＬＥＤチップを樹脂封止した。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の反射性能を高め、半導体装置における発光効率を高めることが可能な、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂付リードフレーム１０は、リードフレーム１５と、リードフレーム１５上に設けられた外側樹脂２３とを備えている。リードフレーム１５は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するＡｇめっき層１２とを含んでいる。Ａｇめっき層１２は、外側樹脂２３に対応する外側樹脂対応部１６と、封止樹脂２４に対応する封止樹脂対応部１７とからなっている。Ａｇめっき層１２の封止樹脂対応部１７の光沢度は、外側樹脂対応部１６の光沢度より高められている。 （もっと読む）

【課題】発光素子や基板等の使用材料の無駄が少ない発光装置の製法を提供する。
【解決手段】複数の発光素子（Ｄ）が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形リードフレーム１に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームＬを作製し、これらのリードフレームＬに通電して発光試験を行い、合格したリードフレームＦ１に対し樹脂封止を施し、発光装置を製造する。これにより、従来の無駄な材料をなくすことができ、省資源を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】光反射面の上に黒味を帯びた汚れが生じ難くなり、光反射面の光反射性能を良好に維持できる発光モジュールを得ることにある。
【解決手段】発光モジュール(6)は、モジュール基板(25)、光反射層(28)、複数の発光素子(37)および封止材(46)を備えている。モジュール基板(25)は、グリシジルエステル系、線状脂肪族エポキサイド系または脂環族エポキサイド系のエポキシ樹脂を用いた樹脂製の絶縁層(27)を有する。光反射層(28)は、絶縁層(27)の上に積層されているとともに、銀の光反射面(32)を有する。発光素子(37)は、光反射面(32)に実装されている。封止材(46)は、透光性を有するとともに、光反射層(28)および発光素子(37)を覆うように絶縁層(27)の上に積層されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が改善され、高出力化が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向した第２のリードと、発光素子と、透明樹脂からなる成型体と、を備えた発光装置が提供される。前記第１のリードは、主面および前記主面に設けられた凹部を有するダイパッド部と、前記主面の上方に折り曲げられた屈曲部と、を有する。前記発光素子は、前記凹部の底面に接着される。前記成型体は、前記発光素子と、前記屈曲部と、前記ダイパッド部と、前記第２のリードの前記一方の端部と、を覆い、前記第１のリードの他方の端部および前記第２のリードの他方の端部をそれぞれ突出させる。前記成型体の重心の位置は、前記凹部の前記底面とは反対側となる前記ダイパッド部の下面と前記屈曲部の上端を含む面との間、かつ上方からみて前記発光素子の領域内とされる。 （もっと読む）

【課題】光の吸収を抑制し、光の取り出し効率に優れるとともに、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、導電部材が表面に部分的に形成された単層構造の基板１０２と、上記導電部材に電気的に接続されるように基板１０２の表面に直接搭載された複数の発光素子１１０と、第１光反射樹脂層１０８と、複数の発光素子１１０が搭載される搭載領域を囲むように基板１０２の表面に環状に設けられた第２光反射樹脂層１２０と、複数の発光素子１１０を覆う封止樹脂１２２とを備え、発光素子１１０の搭載領域に形成された導電体配線は、第１光反射樹脂層１０８により覆われ、第２光反射樹脂層１２０の下方に形成された導電体配線は、当該第２光反射樹脂層１２０により直接覆われ、第２光反射樹脂層１２０の下方に形成された印刷抵抗は、第１光反射樹脂層１０８を介して当該第２光反射樹脂層１２０により覆われている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、良好な光反射性を付与することのできる光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】金属リードフレーム１と、それに搭載された光半導体素子２の周囲に形成されるリフレクタ３において、そのリフレクタ３形成材料が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するとともに、無機質充填剤を含有せず、かつ下記の（Ｃ）成分である酸化チタンの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の３〜９０重量％の範囲に設定されている光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなる。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）酸化チタン。 （もっと読む）

【課題】樹脂密着性が良好であり、ＬＥＤチップ等の発熱を効率的に放散することが可能なチップオンボードでの放熱基板としての使用に適するＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金薄板を提供する。
【解決手段】Ｆｅ；１．５〜２．４質量％、Ｐ；０．００８〜０．０８質量％およびＺｎ；０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、銅合金条材の表面より１０μｍまでの深さの範囲の結晶組織内のＥＢＳＤ法にて測定したＣｕｂｅ方位の方位密度が１０〜２０％であり、ＥＢＳＤ法にて測定した平均結晶粒径が１２〜２０μｍであり、銅合金条材の表面が表面処理剤により粗化された部位の表面の最大高さＲｚが１．０〜２．０μｍであり、粗化されていない部位の表面の算術平均粗さＲａが０．０２〜０．０５μｍであり、最大高さＲｚが０．２０〜０．４０μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比Ｒｑ／Ｒｚが０．１０〜０．２５である。 （もっと読む）

【課題】温度衝撃に強く、樹脂成形体からリードフレームや封止材が剥離しにくいパッケージであって、かつ、物理的衝撃に強く、割れや欠けが生じないパッケージを提供すること。
【解決手段】（Ａ）樹脂と（Ｂ）フィラーとを含有する樹脂成形体を少なくとも備える半導体発光装置用パッケージであって、前記樹脂成形体は、対面角α＝１３６°の正四角錐ダイヤモンドで作られたピラミッド形をしている圧子を材料表面に０．３ｋｇｆの力で１５秒間押しつけることで痕跡を付けて実施されるビッカース硬度測定試験において、ビッカース硬度の逆数の１０００倍で表される傷つき指数が１．０以下であること。 （もっと読む）