【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】リーク特性のばらつき幅を低減可能な、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第１溶液を用いた処理を行って半導体積層５３ｂに第１処理面６５ｆを処理装置１０ｄで形成する。第１溶液による処理温度は、摂氏５０度以上摂氏１００度以下である。第１溶液の濃度は５パーセント以上であり、５０パーセント以下である。第１処理工程に引き続き第２処理工程を行う。第２処理工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第２溶液を用いた処理を半導体積層５３ｂに行って半導体積層５３ｂに第２処理面６５ｇを処理装置１０ｅで形成する。第２処理工程の後において、半導体積層５３ｂの処理面６５ｇのドナー性不純物の濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｒ−アルコール液を有するエッチング液のエッチングレートを安定させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、Ｂｒをアルコールで希釈した溶液に、該アルコールよりも比重が小さく、かつ該アルコールに難溶解性の液体である封止液を加えたエッチング液に、ウエハを浸漬させて該ウエハをエッチングするエッチング工程を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスからの光抽出を向上させること。
【解決手段】発光デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を有する半導体構造体を含む。多孔質領域は、発光層とｎ型領域及びｐ型領域のうちの１つに電気的に接続したコンタクトとの間に配置される。多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができる。幾つかの実施形態において、多孔質領域は、ＧａＮ又はＧａＰのようなｎ型半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】ｐ−型窒化物半導体層３０と、該ｐ−型窒化物半導体層３０上に位置する発光層２０と、該発光層２０上に位置するｎ−型窒化物半導体層１０と、該ｎ−型窒化物半導体層１０上に位置するエッチング障壁層４０と、該エッチング障壁層４０上に位置する光抽出構造５０と、を含んで構成され、前記エッチング障壁層４０は、前記ｎ−型窒化物半導体層１０よりも大きいエネルギーバンドギャップを有し、前記エッチング障壁層４０の少なくとも一部が前記光抽出構造５０と接している。 （もっと読む）

【課題】バルクＡｌＮ上にエピタキシャル成長させた１層以上の層からバルク窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクＡｌＮはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクＡｌＮの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、キレート剤、界面活性剤、糖アルコール類、フェノール類、アゾール類、および複素環化合物からなる群から選択される少なくとも一つと、酢酸と、フッ化水素酸と、硝酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】実用上十分なプロセスマージンを備える状態で、リーク電流の増大およびキャリア濃度の低下を招くことなく、ゲート電極とチャネル層との距離が短縮できるようにする。
【解決手段】ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された電子供給層１０２と、電子供給層１０２の上に形成されたスペーサ層１０３と、スペーサ層１０３の上に形成されたチャネル層１０４と、チャネル層１０４の上に形成された障壁層１０５とを備え、障壁層１０５は、ＧａおよびＡｌの少なくとも１つと、Ｉｎと、Ｐとを含んだアンドープの化合物半導体から構成し、ＩｎＰよりショットキー障壁高さが高いものとされている。 （もっと読む）

【課題】ゲート動作に関与する結晶表面における表面電荷蓄積を大幅に低減し、ピンチオフ特性が得られる、高性能のＩｎＮ系ＦＥＴを提供すること。
【解決手段】チャネル層としてＩｎＮ系半導体を含む電界効果トランジスタである半導体装置であって、ＩｎＮ系半導体でなるチャネル層２の表面（ｃ面）に、段差を形成して窒化物半導体の六方晶結晶のａ面もしくはｍ面でなる側壁面２ａを形成し、この側壁面２ａにゲート電極６が配置され、ゲート電極６を挟むようにソース電極３とドレイン電極４がｃ面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を用いることなく、ＬＥＤの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化（凹凸化）することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。
さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。
さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。
また、金属化合物として、鉄系化合物を用いる。
有機酸および有機酸塩として、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
本発明のエッチング液組成物を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ膜、ＡｌＧａＡｓ膜、ＧａＡｓＰ膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた２次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】第１基板３０上に、ｐ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層、およびｎ型窒化物半導体層を、この順序で積層された第１積層膜を設ける工程と、ｎ型窒化物半導体層の上面にｎ電極４４を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層の上面におけるｎ電極が形成された領域を除きアルカリ液を用いてウェットエッチングすることにより、ｎ型窒化物半導体層の上面に凹凸を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。
【解決手段】複数の半導体薄膜（２０）が基板（１１）上にあるときに、複数の半導体薄膜（２０）を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分（１０１）を有する連結支持体（１００）を設ける。連結支持体（１００）のシート状部分（１０１）を半導体薄膜（２０）の上に設けた後、シート状部分（１０１）に貫通孔（１０３）を形成する。貫通孔（１０３）が、エッチング液を少なくとも基板（１１）の面に垂直な方向に通過させる。これにより、複数の半導体薄膜（２０）を基板（１１）から剥離する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性が安定的に得られる窒化物半導体装置を提供すること。

【解決手段】基板１と、基板１上に形成され、且つ、ヘテロ接合界面２２ａを有する窒化物半導体層２と、窒化物半導体層２に形成されたリセス３と、を備える窒化物半導体装置であって、
窒化物半導体層２は、基板１上に形成されたＡｌｘ１Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ１＜１、０≦ｘ２≦１、０≦（ｘ１＋ｘ２）≦１）からなるキャリア走行層２２と、キャリア走行層２２上に形成されたＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１、ｘ１＜ｙ）からなる第１の層２３１、第１の層２３１上に形成されたＧａＮからなる第２の層２３２、及び、第２の層上に形成されたＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ≦１、ｘ１＜ｚ）からなる第３の層２３３を有するキャリア供給層２３と、を備え、
凹部３は、第３の層２３３を貫通し、凹部底面３１において第２の層２３２の主面が露出するように形成される。 （もっと読む）

本発明は、制御された孔径、孔密度及び多孔率を有する、大面積（１ｃｍ²より大きい）にわたってＮＰ 窒化ガリウム（ＧａＮ）を生成する方法に関する。さらに、多孔質ＧａＮに基づいた新規の光電子デバイスを生成する方法も開示される。さらに、基板の再利用を含む新しいデバイス製造のパラダイムを可能にする、自立型結晶ＧａＮ薄層を分離して作成するための層転写スキームが開示される。本発明の他の開示される実施形態は、ＧａＮベースのナノ結晶の製造、並びに、電気分解、水分解、又は光合成プロセスの用途のためのＮＰ ＧａＮ電極の使用に関する。 （もっと読む）