【課題】リーク特性のばらつき幅を低減可能な、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第１溶液を用いた処理を行って半導体積層５３ｂに第１処理面６５ｆを処理装置１０ｄで形成する。第１溶液による処理温度は、摂氏５０度以上摂氏１００度以下である。第１溶液の濃度は５パーセント以上であり、５０パーセント以下である。第１処理工程に引き続き第２処理工程を行う。第２処理工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第２溶液を用いた処理を半導体積層５３ｂに行って半導体積層５３ｂに第２処理面６５ｇを処理装置１０ｅで形成する。第２処理工程の後において、半導体積層５３ｂの処理面６５ｇのドナー性不純物の濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】ｐ−型窒化物半導体層３０と、該ｐ−型窒化物半導体層３０上に位置する発光層２０と、該発光層２０上に位置するｎ−型窒化物半導体層１０と、該ｎ−型窒化物半導体層１０上に位置するエッチング障壁層４０と、該エッチング障壁層４０上に位置する光抽出構造５０と、を含んで構成され、前記エッチング障壁層４０は、前記ｎ−型窒化物半導体層１０よりも大きいエネルギーバンドギャップを有し、前記エッチング障壁層４０の少なくとも一部が前記光抽出構造５０と接している。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。
【解決手段】第１の基板であるシリコン基板１２と、前記シリコン基板上に配置された犠牲層であって、シリコンとゲルマニウム及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物からなる少なくとも１層のシリコン化合物層を有し、該犠牲層を構成する化合物層が全て臨界膜厚以下の厚みを有する犠牲層１４と、前記犠牲層上に配置されたシリコン層であって、第２の基板に転写される転写用シリコン層１６と、を備え、前記シリコン基板及び前記シリコン層の少なくとも一方に前記犠牲層に通じる溝又は穴が設けられているシリコン層転写用基板１０。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス層がエッチングされないようにしながら、窒化物半導体デバイス層を基板から剥離することができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法を、基板１２上に、エッチング犠牲層１３を形成する工程と、エッチング犠牲層１３上に、エッチングストッパ層２を形成する工程と、エッチングストッパ層２上に、窒化物半導体デバイス層１を形成する工程と、エッチング犠牲層１３を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含むものとし、エッチングストッパ層２を、窒化物半導体デバイス層１に正孔が蓄積することを防止する層とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置に関し、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｓｉ炭化物層２を形成する工程と、前記Ｓｉ炭化物層上に、化合物半導体層３を形成する工程と、少なくとも前記Ｓｉ炭化物層に、前記Ｓｉ炭化物のバンドギャップよりも高いエネルギーを有する光を照射しながら、前記Ｓｉ炭化物層を選択的に溶解除去し、前記基板１と前記化合物半導体層とを分離する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。化合物半導体層の形成に用いた基板を化合物半導体層から分離させて再利用することができるため、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】製造過程における機械的強度の低下および製造コストの増大を抑制することのできる導波路一体型半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態による導波路一体型半導体受光素子においては、リッジ型光導波路１２０を経由して半導体基板表面に平行な方向に伝送された光は、半導体受光素子１１０に入射され、半導体受光素子１１０と光導波路１２０とが接する面１３０Ａと反対側の面である順メサ反射面１３０Ｂにて下方向に反射される。半導体基板方向に反射された光は、半導体受光素子１１０にて検知され、電気信号に変換される。半導体受光素子１１０にて発生した電気信号は、Ｎ型コンタクト形成部１４０及びＰ型コンタクト形成部１５０に接続された電極（図示せず）にて外部回路に取り出される。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を安定したエッチングレートでエッチングすることができるエッチング液を得る。
【解決手段】Ｖ族として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエッチングに用いるエッチング液であって、ＲをＣ_ｎＦ_２ｎ＋ｌ（ｎは８を除く正の整数）とし、ＸをＮＨ_４^＋，Ｋ^＋，Ｈ^＋，Ｎａ^＋の何れか１つとして、ＲＳＯ_３Ｘ，ＲＣＯＯＸ，（ＲＳＯ_２）_２ＮＸの何れか１つと酸又はアルカリを含む。 （もっと読む）

本発明は、この目的に適したエッチングペーストを塗布し、反応が完了した際に適切な方法でペースト残渣を除去するまたは基板表面を洗浄することによる、「ソーラーモジュール」の湿式化学的な端部除去のために局所的に実施可能な迅速かつ安価な方法に関する。この目的のために新規に開発されたエッチングペーストがこの方法において用いられる。
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【課題】表面側に卑金属の酸化物層及び硫化物層を備え、基板側に高融点金属を含む金属層を備えた半導体素子のエッチングに使用することができ、金属層を消失させることなく他の層を一括してエッチングすることが可能なエッチング液及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面側に卑金属の酸化物層及び硫化物層を備え、基板側に高融点金属を含む金属層を備えた半導体素子のエッチングに用いられ、リン酸と、前記リン酸より酸化力の高い第２の酸と、有機被膜の剥離を抑制するための剥離抑制剤とを含み、残部が希釈剤からなるエッチング液、及び、このようなエッチング液を用いて、表面側に卑金属の酸化物層及び硫化物層を備え、基板側に高融点金属を含む金属層を備えた半導体素子のエッチングを行うエッチング工程を備えた半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】 超格子／量子井戸構造体を含むセグメント化された半導体ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 セグメント化された半導体ナノワイヤは、テンプレートなしに、２つ又はそれ以上の半導体材料の層状構造体から材料を除去することによって製造する。除去は、層状構造体の表面上のいくつかの場所で起こり、優先的に結晶軸の方向に沿って進行するので、除去が殆どまたは全く生じなかった場所に、セグメント化された構造体を有するナノワイヤが残る。異なるセグメント間の界面は、ナノワイヤの長手方向に対して垂直であるか又はある角度をなしている。 （もっと読む）

【課題】高温プロセスを用いて機能性膜を形成することが可能であり、汎用性が高く、簡易で実用的な機能性膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、特定のエッチング液により選択的にエッチングされる第１の犠牲層を基板上に直接又は間接的に形成する工程と、熱又は物理的作用力に対する耐性が第１の犠牲層よりも弱い第２の犠牲層を第１の犠牲層上に形成する工程と、第１及び第２の犠牲層が形成された基板上に、機能性材料によって機能性膜を形成する工程と、第２の犠牲層に熱及び／又は物理的作用力を加えて第２の犠牲層を部分的に除去することにより、特定のエッチング液を第１の犠牲層に到達させる通過孔、クラック、又は隙間を形成する工程と、特定のエッチング液を用いて、通過孔等を介して第１の犠牲層をエッチングすることにより、第１及び第２の犠牲層と第２の犠牲層の上の機能性膜とを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上への窒化物半導体薄膜成長時における、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、該薄膜の歪み、および熱応力に伴うクラック・反りの問題を低減した、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供すること。
【解決手段】 シリコン単結晶基板片面上に、相対的に多孔度の高い第２多孔質シリコン層および酸化膜除去された相対的に多孔度の低い第１多孔質シリコン層が順次設けられてなることを特徴とする窒素化物半導体形成用基板およびシリコン単結晶基板片面を、電解液中で相対的に低い電流密度で陽極酸化することによって、相対的に低い多孔度の第１多孔質シリコン層を形成する工程、電解液中で相対的に高い電流密度で陽極酸化することによって、シリコン単結晶基板と前記第１シリコン層の間に相対的に高い多孔度の第２多孔質シリコン層を形成する工程、前記第１多孔質層シリコン層および第２多孔質シリコン層を形成した後、酸化膜を除去する工程を含む窒化物半導体形成用基板の製造法。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制でき高出力動作が可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、エッチングモニタ用開口部１１７で反射する光の反射干渉波形をモニタし、エッチングマーカ層１１０を利用してドライエッチング工程の終点を検出し、ドライエッチングを停止しているので、従来の時間制御法に比べて、より深くまで精度良くドライエッチングを続けることができる。さらに、このドライエッチング工程に続くウエットエッチング工程において、エッチングストップ層１０８を利用してウエットエッチングを行うので、リッジ部１２０の高さを精密に制御できると共に、等方的に進むウエットエッチングの時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＧｅ層をエッチングする際に、Ｓｉ層の増速エッチングを防止できるように
した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＳｉＧｅ層を形成する工程と、ＳｉＧｅ層上にＳｉ層を形成する工程と、Ｓｉ層とＳｉＧｅ層とを部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝を形成する工程と、溝を介してＳｉＧｅ層をエッチングすることによって、Ｓｉ基板とＳｉ層との間に空洞部を形成する工程と、を含み、空洞部を形成する工程では、Ｓｉ基板に対して例えばフッ硝酸溶液を用いたエッチング処理と、純水を用いた水洗処理とを交互に繰り返し行う。 （もっと読む）

本発明は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）からなる少なくとも１つの表面層２１と、ＳｉＧｅ層の下にある歪みシリコン層２２とを有するウェーハ２０を処理する方法に関する。回転するウェーハ上にエッチング液１１を供給することによるＳｉＧｅ層の選択エッチングの工程によって、歪みシリコン層２２が露出させられる。ついで、選択エッチングの後に、回転するウェーハ２０上に供給されるオゾン水溶液１２で歪みシリコン層２２の表面を洗浄する工程が続く。
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【課題】水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。
【解決手段】ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。バッファ層は、基板／バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ／エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 （もっと読む）

【課題】 インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀Ｃ−Ｖ法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハを提供する。
【解決手段】 本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。ここで、水銀除去層として、化学的水銀除去層または物理的水銀除去層を用いることができる。さらに、２層以上の水銀除去層を設けることもできる。 （もっと読む）

【課題】 クラッド層のメサ部上にキャップ層の突出部が無くて、高出力領域で安定した特性を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー層４と、ｎ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第１クラッド層５と、ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層６と、ｐ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第２下側クラッド層７と、ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１０と、ｐ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第２上側クラッド層１１と、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１２を、順次結晶成長する。キャップ層１２の活性層７に近い側の面にレジスト膜を配置して、キャップ層１２の活性層７から遠い側の面にエッチング液を接触させて、第２上側クラッド層１１の頂部よりも幅方向両端に突出するキャップ層の突出部をエッチング除去する。電流阻止層１８ａに空洞が生じないから、良好な特性の半導体レーザ素子が得られる。 （もっと読む）