本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
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【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

光電池において使用するための薄膜アモルファス、単結晶または多結晶シリコンウエハー基板であり、ｐｎまたはｎｐ接合および部分的なホスホシリケートまたはボロシリケートガラス層の少なくとも１つを該ウエハー基板の上面に有する該ウエハー基板を処理して、（ａ）該ウエハーのシート抵抗および（ｂ）前記ウエハーから作製された該光電池の出力密度レベルの少なくとも一方を増大させること。少なくとも１種の水酸化テトラアルキルアンモニウム、酢酸、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、少なくとも１種の金属キレート剤、アンモニアの無金属供給源、フッ化物イオンの無金属供給源および水を有する緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）溶液を、酸化剤溶液および場合により水と混合した酸処理溶液である、処理溶液。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】所望のエッチングレートを確保しつつリーニングの問題を本質的に解消することができるキャパシタ電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチングしてホールを形成する工程と、ホールの内面に導電体膜を成膜する工程と、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させてキャパシタ電極とする工程とを有するキャパシタ電極の製造方法において、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させる工程は、薬液を用いたウエットプロセスにより前記シリコン酸化膜を途中まで除去した後、ガスを用いたドライプロセスによりシリコン酸化物の残部を除去することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工する微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、０．０５〜１０重量％のフッ化水素、１０〜３９重量％のフッ化アンモニウム及び水を含む混合溶液に、脂肪族アミン又は脂肪族アミノハイドロフロライドの少なくとも何れかの界面活性剤を０．００１〜０．１重量％添加したものであり、フッ化水素の含有量をＸ重量％、フッ化アンモニウムの含有量をＹ重量％とした場合に、Ｘ及びＹは下記数式を満たし、シリコン化合物含有膜とポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／（ポリシリコン膜、又はアモルファスシリコン膜））が１０００以上である。
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【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたドープガラス層と酸化物層のうちドープガラス層を選択的に、しかも良好にエッチング除去することができる高圧処理方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）からなる洗浄成分と、メタノール（第１溶剤）と、純水とからなる洗浄組成物がＳＣＣＯ2に供給されて処理流体が調製される。そして、この処理流体が処理チャンバーに供給される。このため、処理チャンバーでは、メタノールの比誘電率に対応する比誘電率環境で洗浄成分（ＨＦ＋ＮＨ_４Ｆ）が基板に接触してエッチング除去が行われる（第１洗浄工程）。また、第１洗浄工程に続く第２洗浄工程においても、メタノールを含む環境調整剤をＳＣＣＯ2に混合してなる処理流体が処理チャンバーに供給されるため、処理チャンバー内がメタノール（第２溶剤）に対応する比誘電率環境に整えられている。 （もっと読む）

【課題】同一チャンバ内でフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスによる洗浄等の処理と水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスによるリンス処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に所望の処理により汚染された半導体基板を設置した後、この半導体基板を加熱しながら、その半導体基板にフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスを供給して洗浄する工程と、同一チャンバ内で半導体基板に水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスを供給したリンスする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ドープ酸化膜と非ドープ酸化膜とを等速に近い値でエッチングするエッチング水溶液を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸と脂肪族又は脂環式第三級アミンのフッ化水素酸塩を含む水溶液を包含する、シリコン酸化膜を含む絶縁膜のエッチング用またはシリコン自然酸化膜のエッチング除去用のエッチング液。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

本発明は、スルホン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸またはこれらの任意の２以上の混合物、およびフッ化物を含む湿式エッチング組成物、および窒化物、高窒素含量酸窒化ケイ素、金属、ケイ素またはシリサイドと対比して酸化物を選択的にエッチングするプロセスに関する。該プロセスは、酸化物および１以上の窒化物、高窒素含量酸窒化ケイ素、金属、ケイ素またはシリサイドを含む基板であって、該酸化物がエッチングされるべき基板を提供する工程、該基板から所望の量の酸化物を除去するために十分な時間、該基板に該エッチング組成物を付与する工程、および該エッチング組成物を除去することで、該酸化物が選択的に除去される工程を包含する。
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本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比が低い、開口部を有する絶縁構造部を形成する方法を提供する。
【解決手段】 開口部３を有する絶縁構造部２ｃを形成する方法において、ドーパントが、絶縁構造部２ｃにドーピングされ、ドーピング濃度が、前処理済みの半導体基板１から縦方向に（垂直方向に）平均して増加または減少している。開口部３は、ドライエッチング工程により形成され、該開口部３のアスペクト比は続いて行われるウェットケミカルエッチング工程により基準表面部を広げることにより低くなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄またはエッチングに用いる組成物と、それを用いる方法に関する。
【解決手段】組成物は、４級アンモニウムフルオライド、４級ホスホニウムフルオライド、スルホニウムフルオライド、より一般的には−オニオムフルオライド、または１つ以上の炭素含有基によって結合した２つ以上の４級−オニオム基を含む“マルチ”４級−オニオムフルオライドの様な活性剤等のフッ素含有組成物を含み得る。組成物は、無機酸、カルボン酸、ジカルボン酸、スルホン酸、またはこれらを組み合わせたｐＨが約２〜９であるｐＨ調製剤を含み得る。組成物は無水であることができ、アルコール、アミド、エーテル、またはこれらの組み合わせをさらに含み得る。組成物は、エッチング速度、エッチングの選択性、エッチングの均一性および種々の基板上の基準を洗浄することの改善を得ることに有用である。 （もっと読む）