【課題】非透明な基板上に形成した窒化物化合物半導体層を化学的なエッチング処理によって基板から剥（はく）離させることにより、基板を再利用することができるようにする。
【解決手段】基板と、該基板上に形成されたIII-V 族の窒化物化合物半導体層と、前記基板と窒化物化合物半導体層との間に形成されたＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ層（ｘ≧０．６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面準位が形成されている素子であっても、表面準位を安定化させて、表面リークを抑制し、高周波動作の応答性も向上させたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】費用のかかる付加的露光装置を必要とせずに、ＳＯＩウェハの半導体層を均一化する方法を提供すること
【解決手段】電気絶縁性材料の表面上に存在する半導体層の厚さを減少しかつ均一化する方法において、半導体層の表面をエッチャントの作用にさらし、その酸化還元ポテンシャルを前記材料及び前記半導体層の所望の最終厚さの関数として調節して、前記半導体層の表面の単位時間当たりのエッチャントによる材料浸食を半導体層の厚さの減少と共に低下させ、かつ前記材料浸食は所望の最終厚さに達した場合に１秒当たり前記の厚さの０〜１０％だけとなるようにし、その際、前記方法を光の作用なしで又は外部電圧の印加なしで実施する、半導体層の厚さを減少しかつ均一化する方法 （もっと読む）

【課題】基板に凹凸を形成した発光素子、その基板において、好適な特性を有するものを提供する。
【解決手段】基板10の第１主面上に、半導体20の発光構造を有する半導体発光素子100において、前記基板10の第１主面に、基板凸部11を有し、該凸部の底面14が上面13より断面幅広であり、若しくは基板面において底面14内に上面13が内包されており、該底面14の形状が略多角形状であり、該上面13が略円形状若しくは前記底面14の構成辺より多い構成辺の略多角形状である。 （もっと読む）

【課題】機械的研磨に起因するピットを除去することにより、研磨均一性を向上させることができるウエハ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】第１の工程において、機械的研磨されたウエハＷの処理面Ｓ２をフッ硝酸溶液でエッチングすることにより、処理面Ｓ２に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、第２の工程において、ウエハＷの処理面Ｓ２を第２の処理液により目的厚さまで化学的研磨しても、ウエハＷの処理面Ｓ２に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハＷの処理面Ｓ２における面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡｓ発光素子において光取り出し面に面粗し処理を均一に施すことができ、ひいては面粗し状態にムラの生じにくい発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 酢酸と弗酸と硝酸とヨウ素と水とを、その合計が９０質量％以上となるように含有し、かつ酢酸と弗酸と硝酸とヨウ素との合計質量含有率が水の質量含有率よりも高い面粗し用エッチング液ＦＥＡにより（１００）面からなるｐ型ＡｌＧａＡｓ光取出層２０に面粗し処理を施す。そして、その面粗し用エッチング液ＦＥＡによる面粗し工程に先立って、ＡｌＧａＡｓからなる積層体の第一主表面（主光取出領域）を、硫酸過酸化水素水溶液からなる前処理液と接触させて前処理を行なうことにより、面粗しにより得られるウェーハの突起形成状態にムラが生じることを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ないIII 族窒化物半導体の製造方法
【解決手段】Ｃ面を主面とするサファイア基板１上にＧａＮ層２をエピタキシャル成長させる（図１ａ）。次に、温度８５℃、濃度２５％のＴＭＡＨ水溶液により１時間ウェットエッチングを行い、エッチピット４を形成させる（図１ｂ）。次に、ＧａＮ層２上にＧａＮ層５をＥＬＯ法により成長させる（図１ｃ）。このようにして形成されたＧａＮ層５は、ＧａＮ層２よりもスクリュー転位密度が低い。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】 転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶構造が六方晶からなる半金属的性質をもつ単結晶基板１０の一主面に凹凸構造を形成する工程（１）、単結晶基板１０上に所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層１３と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層１４と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層１５とを積層した発光素子を作製する工程（２）、単結晶基板１０を選択的にエッチングすることにより発光素子から除去する工程（３）を具備する。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の向上が図られ、新規な構成を有する発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、第１の導電型を有する下側半導体層と、下側半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する上側半導体層と、下側半導体層に電気的に接続される下側電極と、上側半導体層に電気的に接続される上側電極とを有し、上側電極は、上側半導体層の上に形成され、上側半導体層の表面を、各々が上側電極で取り囲まれる複数の区画に分割するような網目形状を有し、さらに、区画の少なくとも１つの内部に、底面が少なくとも前記下側半導体層の上面まで達し、開口の縁が上側電極から離れた窪みを少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】 順テーパ型で対称性の高い均一なリッジ部を有する基板を用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０上にマスクパターン１１を形成し、まず、少なくとも ｛１１１｝Ｂ面を含む結晶の面方位に対して依存性を持たない等方性ウエットエッチングを行う。次いで、少なくとも｛１１１｝Ｂ面を含んだ面方位に対して選択的に行われる選択性エッチングを行う。これら２種類のエッチングにより、両側面が｛１１１｝Ｂ面で構成されたリッジ部１０ａを有する基板１０が作製される。この基板１０上にＳＤＨ構造を形成して半導体発光素子が作製される。 （もっと読む）

【課題】 リッジ形状部を有する半導体装置の製造において、ドライエッチングに引き続くウェットエッチングを安定して制御して、リッジ形状とリッジ高さを制御する。
【解決手段】 ドライエッチングの反応生成物９を酸化して除去することにより、それに続くウェットエッチングの安定性を向上させて、リッジ形状およびリッジ幅の制御性を向上させることができる。また、ウェットエッチングを必要最小限にとどめることにより、ウェットエッチングによりサイドエッチングを最小限にとどめてリッジ幅を厳密に制御することができる。よって、レーザ光の水平放射角のばらつきが少ない半導体レーザ装置を得ることができる。また、ウェットエッチングは、エッチングストップ層５を利用して停止させることにより、リッジ高さを厳密に制御することができる。 （もっと読む）

選択性が高い光誘導性のエッチングを達成するために、電解質に対する半導体構造の局部的電気化学的ポテンシャルを戦略的に改変することを含む、ＩＩＩ−窒化物半導体構造を製造するための方法。上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。
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【課題】 本発明は、半導体デバイスに用いることができるＡｌＮ結晶基板を効率的に得るため、効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＮ結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、その表面をエッチングする工程とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法である。ここで、表面を機械研削または機械研磨する工程において、砥粒径が６μｍ以下の砥粒または砥石を用いることができる。また、表面をエッチングする工程をウエットエッチングにより行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板１６上に成長された窒化物半導体層１８から、前記異種基板１６−窒化物半導体層１８界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、異種基板１６側から前記窒化物半導体層１８のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射することによって異種基板１６の剥離を行う。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）で、光はＬＥＤの窒素面（Ｎ面）（４２）を介して取り出される。また、Ｎ面（４２）の表面は１つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、ＬＥＤ内部で繰り返し起こる光の反射が減り、そのため、より多くの光をＬＥＤから取り出せる。Ｎ面（４２）の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、ＰＥＣエッチングが挙げられ得る。
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【課題】 クラッド層のメサ部上にキャップ層の突出部が無くて、高出力領域で安定した特性を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー層４と、ｎ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第１クラッド層５と、ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層６と、ｐ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第２下側クラッド層７と、ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１０と、ｐ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第２上側クラッド層１１と、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１２を、順次結晶成長する。キャップ層１２の活性層７に近い側の面にレジスト膜を配置して、キャップ層１２の活性層７から遠い側の面にエッチング液を接触させて、第２上側クラッド層１１の頂部よりも幅方向両端に突出するキャップ層の突出部をエッチング除去する。電流阻止層１８ａに空洞が生じないから、良好な特性の半導体レーザ素子が得られる。 （もっと読む）