【課題】槽内の使用中の燐酸を、循環濾過経路部とフッ酸を用いる燐酸再生装置で再生する処理装置において、燐酸再生装置側へ回収する回収時及び回収量を自動化し易くかつ燐酸中の不純物を低減したり一定に維持可能にする。
【解決手段】ウエハ１を熱燐酸により処理する溢流部３ａ付エッチング槽３と、溢流部３ａに溢流した燐酸を槽外に導いて濾過、加熱及び純水を添加して槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加え加熱処理する燐酸再生装置６と、燐酸再生装置６で再生された燐酸を槽３に補給する補給配管６７ａとを備えた処理装置を対象としている。改良点は、分岐配管６０を循環濾過経路部５の燐酸を濾過する濾過部５２の手前に設け、燐酸再生装置６側へ分岐する燐酸の量を濾過部５２へ流れる循環液圧に応じ制御可能な流量調節手段（圧力計とニードル弁等）を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
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【課題】本発明はエッチングテープ及びこれを利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。本発明の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極、ストレージキャパシターの第１電極、ゲート配線を形成する段階、ゲート絶縁膜、アクティブ層、オーミック接触層、ソース電極及びドレーン電極を形成し、誘電体層及びストレージキャパシターの第２電極を形成し、データ配線を形成する段階、画素電極を形成し、ゲートパッド電極を形成し、データパッド電極を形成する段階、保護層を形成する段階及びゲートパッド電極上に形成された保護層とデータパッド電極上に形成された保護層をエッチングテープを利用してエッチングすることでコンタクトホールを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷なしに絶縁膜を除去することができ、経済的に基板を再生することができる手段を提供する。
【解決手段】低誘電率材料もしくは保護材料のいずれか一方または両方を含む絶縁材料を除去するための組成物であって、前記組成物は組成物の総質量１００質量％に対して、酸化剤１〜５０質量％と、フッ素化合物０．１〜３５質量％と、残部の水と、を含むことを特徴とする、絶縁材料除去用組成物である。 （もっと読む）

【課題】 二酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、窒化ケイ素を低温又は高温で、選択的かつ工業的な速度で除去できるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】 Ｆ／Ｓｉの原子比が６．０未満のケイ素とフッ素の化合物及び／又は混合物にリン酸を含んでなる窒化ケイ素エッチング用組成物を用いる。リン酸としてはオルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸が好ましい。１００℃以下の低温エッチングの場合には、フッ化水素酸換算で１０ｐｐｍ〜１０重量％、リン酸の含量が０．１〜８５重量％、１２０〜１８０℃の高温エッチングの場合にはＳｉＦの含量が１０ｐｐｍ〜１重量％、リン酸の含量が８０〜９９重量％が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成された被エッチング膜のエッチング方法であって、基板表面の荒れを抑制し選択性に優れた安価なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチング剤であるフッ酸水溶液のミスト３０が導入された処理槽２０１内に、シリコン酸化膜１３および被エッチング膜としてのシリコン窒化膜２０が形成されたＳＯＩ基板１０を設置し、このＳＯＩ基板１０をフッ酸水溶液のミスト３０にさらすことにより、シリコン窒化膜２０をシリコンのフッ化アンモニウム塩からなる水溶性物質２１に改質した後、基板１０を水４１で洗浄して水溶性物質２１を除去することにより、シリコン窒化膜２０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の金属不純物の汚染を抑制し得る半導体基板表面処理剤及び半導体基板表面の処理方法、特に、半導体基板のエッチング剤及びエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 （１）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板表面処理剤、（２）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板のエッチング剤、（３）半導体基板を上記（１）に記載の処理剤で処理することを特徴とする半導体基板表面の処理方法、及び（４）半導体基板を上記（２）に記載のエッチング剤でエッチングすることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 二酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、窒化ケイ素を１００℃以下の低温で、選択的かつ工業的な速度で除去できるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】 二酸化ケイ素等を含む半導体材料の窒化ケイ素のエッチングに、フッ化水素酸、還元剤及び水を含んでなるエッチング用組成物を用いる。還元剤としては、シュウ酸、ギ酸、ホルマリン等の有機物、亜硫酸、亜燐酸、亜硝酸、ヒドラジン等の無機物が用いられ、特にシュウ酸、亜燐酸、亜硝酸が好ましい。 （もっと読む）

少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 素子分離膜形成のエッチング処理において、エッチング液として燐酸を使用せずに、低コストで半導体装置の製造方法を提供する。
を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板３０上に第１絶縁層３４を形成する第１絶縁層形成工程と、第１絶縁層上に第２絶縁層３８を形成する第２絶縁層形成工程と、基板、第１絶縁層３４及び第２絶縁層３８の一部を除去して凹部Ｈ１を形成する凹部形成工程と、凹部Ｈ１を含む第２絶縁層３８上に撥液性を有する第３絶縁層３６を形成する第３絶縁層形成工程と、第３絶縁層３６の一部を除去して第２絶縁層３８を露出させ、第２絶縁層３８及び第３絶縁層３６上を平坦化する平坦化工程と、ウェットエッチング処理により、第２絶縁層３８を除去する第２絶縁層除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エッチング処理を確実に行って歩留まりを向上させることができる半導体基板処理装置及びその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽３０内に半導体基板２０が投入された後、所定のタイミングで、処理槽３０内の処理液の温度を計測し、当該タイミングにおける、所定フィルタを使用したときの処理槽３０内の処理液の温度と、計測された温度との温度差を算出し、温度差に基づいて半導体基板２０をエッチング処理する処理時間を算出し、算出された処理時間を基に半導体基板２０をエッチング処理する制御部１００を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＮ膜の燐酸を用いた選択的エッチングに代替するエッチング方法を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 共沸点が１５０℃以上のＨ₂ＳＯ₄とＨ₂Ｏとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、ＳｉＮ膜またはＣＶＤ法で作製されたＳｉＯＮ膜を、ＳｉＯ₂膜、Ｓｉ基板またＳｉ膜に対して選択的にエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 サブカバーの形状を工夫することにより、沸騰状態における処理液の飛散を防止しつつも、水分蒸発を適切に行うことによりサブボイル状態を短時間で安定させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 燐酸溶液の温度が１４０℃程度にまで達すると、激しい沸騰が生じて液面から上方へ液滴の飛散が生じるとともに、水分が蒸発する。しかし、オートカバー１９は、その挿通開口２７にサブカバー２９が設けられ、これも閉止されている。そのため燐酸の液滴が上方へ飛散するのをサブカバー２９によって防止できる。さらに、サブカバー２９は側方に開口を有するので、燐酸溶液の水分蒸発を妨げることがない。したがって、沸騰状態における液滴の飛散を防止することができつつも、サブボイル状態を短時間で安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の処理液の温度分布を略均一にすることにより、良好な基板処理を可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液調合槽５０のヒータ５３および処理槽２０のヒータ２９によってエッチング液の液温をエッチング温度に加温して維持する。また、エッチング温度以上のガス吐出温度に維持された窒素ガスを窒素ガス供給ノズル１２から処理槽２０の上部付近に向けて供給する。これにより、エッチング液２１からの熱移動を補償でき、エッチング液２１の各部分における温度分布を略均一に維持できるため、良好なエッチング処理を実行できる。 （もっと読む）

Ｓｉ／ＳｉＯ_２パターン付きの半導体ウェーハ表面から、ケイ素窒化物およびケイ素酸化物などのケイ素含有粒状物質を除去するための方法および組成物が記載される。該組成物は、超臨界流体（ＳＣＦ）、エッチング液種、共溶媒、表面不活性化剤、バインダー、脱イオン水、および任意に界面活性剤を含む。ＳＣＦベースの組成物は、次の加工の前に、ウェーハ表面から汚染粒状物質を実質的に除去し、これにより半導体デバイスのモルフォロジ、性能、信頼度、及び歩留まりが向上される。

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本発明は半導体およびマイクロエレクトロニクス(MEMS)デバイスの製造におけるウェットエッチング処理で用いられる新規保護被膜層に関する。各層はプライマー/第1の保護層、および所望により第2の保護層を含む。プライマー層は、好ましくは溶媒系内のオルガノシラン化合物を含む。第1の保護層は、スチレン、アクリロニトリル、および所望によりその他の、（メタ）アクリレートモノマー、塩化ビニルベンジル、およびマレエートまたはフマレートのジエステルのような付加重合可能なモノマーから生成される熱可塑性コポリマーを含む。第2の保護層は、加熱時に架橋結合してもしなくてもよい塩化ポリマーのような高度にハロゲン化したポリマーを含む。 （もっと読む）

酸化ケイ素のエッチング速度を安定させつつ高い選択性を提供する、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択エッチング装置（図５）及び方法。本発明は、プロセスチャンバ（１０）、注入ライン（２０、２１、２２）、供給ライン（３０、３１、３２）、再循環ライン（４０）、プロセス制御器（２００）、濃度センサー（５０）、粒子計数器（５５）、排出ライン（９０）、を含む。本発明は、少なくともひとつの基板の処理中に、使用されるエッチング液の構成要素の濃度比を動的制御し、および／または、エッチング液内の粒子数を動的制御する。結果として、エッチング液の液寿命は延び、エッチングプロセスパラメータは、よりしっかりと制御される。
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シリコン含有犠牲層を、かかる犠牲層を有するマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）や他の半導体基板から除去するための方法および組成物について記載する。エッチング組成物には、超臨界流体（ＳＣＦ）と、エッチング液種と、共溶媒と、場合により界面活性剤とが含まれる。かかるエッチング組成物は、ＳＣＦの洗浄試薬としての固有の欠陥、すなわちＳＣＦの非極性や、それらに関連した、半導体基板から除去されなければならない極性種に対する溶解不能を克服する。これによって得られるエッチングされた基板が被るスティクションの頻度は、従来の湿式エッチング技術を用いてエッチングされた基板と比べてより低い。 （もっと読む）