【課題】 本発明は、二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 特定の化学構造式を有する４級アルキルアンモニウム塩、塩基性化合物、並びに無機酸および／または有機酸を必須成分とすることを特徴とする窒化ケイ素用エッチング液を使用する。 （もっと読む）

【課題】加熱浴技術に伴う問題を解決する新たな窒化シリコンをエッチングする装置及び方法。
【解決手段】シリコンウエハ上の窒化シリコン層を除去するために、リン酸を密封チャンバ内でウエハに塗布する。リン酸を、ミスト又はエアロゾル状としてウエハに噴霧又は吹付してもよい。ウエハを、処理温度まで加熱した後に、ウエハ上にリン酸を被覆した状態で、処理温度で又は処理温度付近で維持する。次に、リン酸の加熱と塗布を停止し、ウエハを冷却し、処理チャンバから取除く。処理チャンバの上にある赤外線放射組立体により、赤外線放射をチャンバに投じて、ウエハを加熱してもよい。任意には脱イオン水及び／又は窒素ガスを被加工物に吹付して、ウエハを冷却してもよい。冷却用組立体を使用して、赤外線放射組立体を冷却してもよい。窒化シリコンを、極少量のリン酸を使用して、従来の高温リン酸浴技術のリスクや短所なしに、迅速に除去できる。 （もっと読む）

【課題】不純物として、砒素及びアンチモンを多く含有する粗製黄リンから、一気に砒素及びアンチモンを低減することができる高純度元素リンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の高純度元素リンの製造方法は、液状の粗製黄リンと、ヨウ素酸及びヨウ素酸塩から選択されるヨウ素酸含有化合物との接触処理をキレート剤の存在下に水溶媒中で行うことを特徴とし、前記キレート剤は多価カルボン酸、多価カルボン酸塩、ホスホン酸及びホスホン酸塩から選択されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 窒化ケイ素のエッチングにおいて、酸化ケイ素をエッチングすることなく、選択的に窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングする方法を提供する。
【解決手段】 エッチング槽及びエッチング再生槽を有するエッチング装置を用い、リン酸、フッ化ケイ素化合物及び水を含有するエッチング液で窒化ケイ素をエッチングする方法であって、
（ａ）エッチング槽に、リン酸、フッ化ケイ素化合物及び水を連続的、又は断続的に供給して、エッチング槽内で窒化ケイ素をエッチングする工程、
（ｂ）エッチング槽中のエッチング液を、エッチング槽から連続的又は断続的に抜き出し、エッチング液再生槽に移す工程、
（ｃ）エッチング液再生槽に移されたエッチング液にフッ酸及び／又はフッ酸塩を供給し、ケイ素、水、フッ素の一部乃至全部を除去する工程、並びに
（ｄ）エッチング液再生槽内の、ケイ素、水、フッ素の一部乃至全部を除去した液をリン酸として（ａ）の工程に戻す工程、
を含むエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 窒化ケイ素のエッチングにおいて、リン酸系エッチング液の表面張力を低減して、窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 リン酸、水及び炭素数２以上６以下のアルコールを含む窒化ケイ素のエッチング液で、窒化ケイ素をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、互いに対向する一対の側壁１０ａ、１０ｂを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽１０と、複数の基板を起立させて保持する保持部２１と、保持部２１に連結され、処理槽１０内に搬入された際に、保持部２１に保持された基板と処理槽１０の一方の側壁１０ａとの間に介在される背部２２とを有し、保持部２１に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構２０とを備えている。処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられている。この加熱器８０は、一方の側壁１０ａに設けられた第１加熱器８１と、他方の側壁１０ｂに設けられた第２加熱器８２と、を有しており、第１加熱器８１の出力と第２加熱器８２の出力は個別に制御される。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽２と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第１および第２フィルタ５ａ，５ｂと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽７と、処理槽２内の処理液を第１フィルタ５ａに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させ、その後、処理槽２内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽７内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽２内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第１フィルタ５ａに通して循環させる制御部９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【目的】より簡易な手法で、所定の層表面に反射防止構造を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、高周波電力を印加したプラズマ雰囲気中で、基板上にシリコン（Ｓｉ）含有絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記Ｓｉ含有絶縁膜を形成する際に用いたガスを継続して流し続けながら前記高周波電力の出力を弱めることで、前記Ｓｉ含有絶縁膜上にＳｉを主成分とする複数の粒子を堆積させる工程（Ｓ１０４）と、前記複数の粒子をマスクとして、前記Ｓｉ含有絶縁膜をエッチングする工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体装置の表面上への新規なエッチング組成物の非接触堆積方法、さらにはその後に行われる、これら半導体装置の最上部に位置する機能層のエッチングに関する。前記機能層は、表面パッシベーション層及び／又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）として提供され得る。 （もっと読む）

本発明は、新規な組成物と、これらの組成物を、半導体およびＭＥＭＳデバイスの製造中に保護層として用いる方法とを提供する。この組成物は、溶媒系中に分散または溶解したシクロオレフィン共重合体を含有し、酸エッチングおよびその他の処理および取扱い中に、基板を保護する層を形成するために用いることができる。保護層は、感光性であっても非感光性であってもよく、保護層の下に、プライマー層を用いても用いなくてもよい。好ましいプライマー層は溶媒系中に塩基性ポリマーを含む。 （もっと読む）

【課題】処理液が供給される基板の下面側の雰囲気から、処理液が供給されない基板の上面側への雰囲気の周り込みを防止する共に、上下両面側の雰囲気を分離するために供給されるパージガスの消費量を抑制することが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】水平に保持した基板の下面に処理液を供給する液処理装置２において、囲み部部材４は基板Ｗから飛散した処理液を受け止め、天板部５は水平に保持された基板Ｗの上面に対向するように配置され、ガス供給部５３、５３１は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間に加圧されたガスを供給する。そして気体取り込み口５２は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間内の負圧により、この空間の外部の雰囲気の気体を当該空間内に取り込む。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面の被加工膜をエッチングして剥離するときに、薬液が基板の他方の面に飛散することを防止する。
【解決手段】基板８を支持する基板ホルダー３を洗浄槽内に回転可能に設け、基板上に形成された被加工膜１８の上に薬液を吐出するノズル５を基板ホルダーの上方で横方向に移動可能に設け、ノズルを基板の上方で横方向に移動させると共に、ノズルから基板上に薬液を吐出させる制御装置を備え、基板から跳ねた液滴状の薬液を検知する液滴センサ１０を備え、制御装置は、液滴センサから出力された検知信号に応じてノズルの横方向への移動を停止させるように制御した。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

本発明の目的は、エッチャントを含む新規なインクジェット印刷可能なエッチング組成物であり、それは、第２の成分によって活性化される。したがって、他の目的は、この新規な組成物の、半導体デバイスの表面または太陽電池デバイスの表面のエッチングのための方法における使用である。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理が行われる処理槽内のエッチング液中の溶存物質の含有量が精度良く一定にコントロールされるようにエッチング液を再生できるエッチング液再生システムを提供すること。
【解決手段】エッチング槽又は循環経路内のエッチング液に溶存する物質の含有量を測定する溶存物質含有量測定手段３１０を設け、溶存物質含有量測定手段３１０で測定される溶存物質の含有量に基いてエッチング液再生手段からエッチング槽へ戻される再生エッチング液の液量を決定する。溶存物質含有量測定手段３１０はエッチング液Ｍとの界面をなすプリズム３１２の境界面３１２ｂに光源からの光を入射させて、該プリズム境界面３１２ｂからの反射光Ｒ２の反射度を検出する光学部１と、該光学部１の検出信号に基づいて、エッチング液中の溶存物質含有量を算出するデータ処理部２とで構成する。 （もっと読む）

【課題】液体中の溶存物質の含有量を短時間で高精度に測定でき、しかも、その液体を使用するプロセスのインラインでの測定を簡単に行える方法及び測定装置を提供すること。
【解決手段】 液体３５との界面をなすプリズム３２の境界面３２ｂに光源３１からの光Ｒ１を入射させ、プリズム境界面３２ｂからの反射光Ｒ２の反射度を検出する光学部１と、該光学部１の検出信号に基づいて、液体３５の溶存物質含有量を算出するデータ処理部２とを備える。データ処理部２は受光素子３３から出力される反射光Ｒ３の反射光量に対応する信号に基づいて吸光度（反射強度）を演算する。そして、演算した吸光度と検量線式とから、試料液（液体）中の溶存物質の含有量を演算する。 （もっと読む）

ここに、半導体装置の形成方法が提供された。ある実施の形態において、半導体装置の形成方法は、酸化物表面とシリコン表面とを有する基板を用意し、酸化物表面およびシリコン表面の双方の露出面に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去することによって窒素含有層を酸化する工程を有する。別の実施の形態において、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余部分上に酸化物層が形成される。また、ある実施の形態において、酸化物表面が半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置されている浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出した表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
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