【課題】構成が簡単で且つ故障しにくい、連続運転に適した基板洗浄装置を提供することである。
【解決手段】補液を連続的に補給する補液補給装置から補液が補給され、一定流量の前記補液を通過させる定量ユニットと、前記定量ユニットを通過した前記補液が供給される補液タンクと、液体の流入口が前記補液タンク内部に開口し、前記補液タンクの最上部と前記補液タンクの底の間に位置する高さに最高所が設定されたサイフォンを具備する洗浄装置である。 （もっと読む）

【課題】微細化された半導体マスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】最初に、一連のラインを含む犠牲マスクを有する半導体スタックが提供される２０２。犠牲マスクの一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有するスペーサマスクが形成される２０４。スペーサマスクはまた、スペーサライン間に介挿ラインも有している。最後に、犠牲マスクを除去して、スペーサマスクのみとする。介挿ラインを有するスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を３倍にする。 （もっと読む）

【課題】リン酸系の窒化ケイ素のエッチング用組成物では、長時間使用すると酸化ケイ素の析出があり、長期間安定に用いられるものがなかった。
【解決手段】リン化合物、ホウ素化合物及び／又はそれらのフッ化物を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物では、長時間の使用においても酸化ケイ素の析出がない。さらに可溶性ケイ素化合物を含むものは、酸化ケイ素の析出がなくなおかつ酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比も高い。さらに硝酸及び／又は硝酸塩を添加すると選択性の安定性が高まる。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細パターンを損傷させることなく、効率の高い基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】単数枚または複数枚の基板を１バッチとし、１バッチの基板をウェットエッチング液に浸漬する工程と、超音波洗浄する工程と、乾燥する工程とを備えるバッチ式ディップ処理方式による基板の洗浄方法であって、超音波洗浄工程は、大気圧下における溶存ガスの飽和度が６０％〜１００％である洗浄水を用い、超音波の周波数が５００ｋＨｚ以上、超音波の出力が０．０２Ｗ／ｃｍ²〜０．５Ｗ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制すること。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面及び該表面の反対の面である裏面に絶縁膜を形成する工程Ｓ２２と、半導体ウエハの前記裏面に選択的に第１薬液を供給することにより、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程Ｓ２６と、第２薬液に複数の半導体ウエハを同時に浸漬させることにより、表面に形成された絶縁膜を除去する工程Ｓ３０と、を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、使用済みの酸化膜等のマスクを、汎用の粘着フィルムを使用して、例えばフッ酸等のエッチング液を微粒子化して除去することができるミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハの表面にマイクロミストを噴霧してウエハ上の既存構造物をエッチングする際、ウエハの表面に露出した、先行するエッチング工程において耐エッチング性を有するマスクとして使用されたマスキング材を既存構造物として選択し、半導体ウエハの表面に形成された回路等の機能素子を粘着フィルムからなる保護材で少なくとも被覆し、かつエッチング液を微粒子化し不活性ガス中に霧状に分散させることによって形成されたマイクロミストを使用するように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体マスクを製造する方法が記載されている。
【解決手段】最初に、犠牲マスク及びスペーサマスクを有する半導体スタックが提供される。犠牲マスクは、一連のラインを含み、スペーサマスクは、一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有する。次に、スペーサマスクをトリミングする。最後に、犠牲マスクを除去して、トリミングされたスペーサマスクを与える。トリミングされたスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を２倍にする。 （もっと読む）

【課題】リン酸系の窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択エッチング性及び酸化ケイ素の再析出のないものがなかった。
【解決手段】リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び／又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。 （もっと読む）

【課題】所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるＨ_３ＰＯ_４液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_３ＰＯ_４処理装置１００は、ウエハを浸漬するＨ_３ＰＯ_４液を滞留させる処理槽１０と、処理槽１０に新しいＨ_３ＰＯ_４液を供給する新液供給機構１５と、処理槽１０からＨ_３ＰＯ_４液を排液する排液機構１６，１７と、事前に入手された積算ＳｉＮエッチング量に対するエッチングレート，対酸化膜選択比を記憶したデータベース３１と、現在のＨ_３ＰＯ_４液を用いて次処理のウエハを処理した場合に所望のエッチングレートおよび対酸化膜選択比が得られるか否かを判断する処理判断部３４と、処理判断部３４の判断が否であり、かつ、現在のＨ_３ＰＯ_４液におけるＳｉ濃度を低下させる必要がある場合にＨ_３ＰＯ_４液排出量と新しいＨ_３ＰＯ_４液供給量を算出する給排液量計算部３５とを有する制御ユニット２０を具備する。 （もっと読む）

【課題】 リン酸含有再生液の性質に影響する他の物質の残存はなく、低エネルギーかつ高効率でリン酸含有処理液を再生することのできるリン酸含有処理液の再生方法を提供することである。
【解決手段】 本発明にかかるリン酸含有処理液の再生方法は、窒化珪素の処理により生じたリン酸含有処理液を再生する方法であって、特定の有機リン化合物を含む疎水性有機溶媒と前記リン酸含有処理液をいったん混合させたのち相分離させることにより、前記リン酸含有処理液中の珪素化合物をリン酸含有処理液から析出分離させ、そののち、リン酸含有再生液を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】一括処理される基板群中の基板間における処理のバラツキを抑制する。
【解決手段】加熱された処理液中に基板Ｗ群を保持したリフター２０を浸漬する前に、リフター２０を加熱された燐酸溶液中に浸漬して燐酸溶液と略同じ温度にまで予め加熱しておくことにより、このリフター２０に基板Ｗ群を保持して燐酸溶液中に浸漬したときに、リフター２０の影響で燐酸溶液の温度が低下するのを阻止することができる。その結果、一括処理される基板Ｗ群中の基板間における処理のバラツキを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】砒素を含んだシリコン窒化膜に対して、燐酸を用いたウェットエッチングを行うと、ウェットエッチング液中に反応生成物（パーティクル）が発生し、汚染の原因になってしまう。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、砒素が含まれている部分と砒素が含まれていない部分とを有するシリコン窒化膜を形成する工程と、ドライエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれている部分をエッチングする第１のエッチング工程と、ウェットエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれていない部分をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】非透明な基板上に形成した窒化物化合物半導体層を化学的なエッチング処理によって基板から剥（はく）離させることにより、基板を再利用することができるようにする。
【解決手段】基板と、該基板上に形成されたIII-V 族の窒化物化合物半導体層と、前記基板と窒化物化合物半導体層との間に形成されたＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ層（ｘ≧０．６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱した処理液に基板を浸漬して基板の表面処理を行う半導体製造装置において、前記処理液を貯留する処理槽１と、前記処理液中の所定深さからガスを放出し、その放出圧力から前記処理液の液圧を検出する圧力検出部５３と、前記検出された液圧に基づき前記処理液の比重を算出する比重算出部５４と、前記処理液中に放出されるガスを加熱するヒータ５５と、前記算出された比重に基づいて前記処理槽への純水供給量を制御するコントローラ５１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】、予め設定した複数の処理時間を参照することにより、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部３７は、まず処理液のライフタイムに応じてそれぞれ異なる複数の処理時間ごとに、処理液を使用するリソースの使用タイミングを配置した処理ブロックを予め作成する。次いで、処理液を使用するリソースが使用されるタイミングに応じて、予め作成してある複数の処理ブロックの中から一つの処理ブロックだけを選択的に配置する。したがって、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる。また、処理時間を使用履歴に応じて自動的に変えるので、スケジュールを短縮することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

本発明は、基板を精密加工するための方法に関し、特に、薄層の微細構造の形成、局所的なドーパント導入および金属核形成層の局所的な形成のための方法であって、液体補助レーザー法を実行する、すなわち、適切な反応性液体によって加工される領域が覆われた基板にレーザー照射を行う方法に関する。 （もっと読む）

窒化ケイ素材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから、ポリシリコン、酸化ケイ素材料および／またはシリサイド材料に対して窒化ケイ素材料を選択的に除去するために有用な組成物。除去組成物は、フルオロケイ酸、ケイ酸、および少なくとも１種の有機溶媒を含む。典型的な工程温度は約１００℃よりも低く、窒化物対酸化物のエッチングの典型的な選択性は、約２００：１〜約２０００：１である。典型的な工程条件下では、ニッケルベースのシリサイドならびに窒化チタンおよびタンタルはあまり影響を受けず、ポリシリコンのエッチング速度は約１Å分^−１未満である。
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【課題】エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の材料膜を介して第２の材料膜を形成する膜形成工程と、前記第２の材料膜を所定のパターンにするパターン化工程と、所定のパターンにされた前記第２の材料膜の幅をエッチングにより細めるスリミング工程と、前記第１の材料膜をエッチングして、幅を細めた前記第２の材料膜のパターンを前記第１の材料膜に転写する第１の材料膜エッチング工程と、エッチングされた前記第１の材料膜の幅を測定する測定工程と、測定した前記第１の材料膜の幅に基づき、前記第１の材料膜の幅を所定の幅にする寸法調整工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたシリコン窒化膜のエッチングレートを一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液は、循環ライン２０を通して循環されている。シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Ｗが浸漬処理槽１０のリン酸水溶液中に浸漬されることによってシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理が進行する。再生ライン３０は、循環ライン２０を通して循環されるリン酸水溶液の一部を取り出して再生装置３１によりシロキサンを回収・排出してリン酸水溶液を再生する。制御部４０は、出側濃度計２４および入側濃度計３２の測定結果に基づいて流量調整弁３３を制御し、浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中に含まれるシロキサンの濃度が一定となるように浸漬処理槽１０に還流するリン酸水溶液の流量を調整する。 （もっと読む）